JPH09206974A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JPH09206974A
JPH09206974A JP8037168A JP3716896A JPH09206974A JP H09206974 A JPH09206974 A JP H09206974A JP 8037168 A JP8037168 A JP 8037168A JP 3716896 A JP3716896 A JP 3716896A JP H09206974 A JPH09206974 A JP H09206974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
projection mask
processing
substrate
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8037168A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahito Kumazawa
雅人 熊澤
Kenichi Kotaki
健一 小瀧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8037168A priority Critical patent/JPH09206974A/ja
Publication of JPH09206974A publication Critical patent/JPH09206974A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細な加工パターンにしたがって加工基板を
精度良く且つ安価に加工することのできるレーザ加工装
置。 【解決手段】 結像光学系を介して加工基板上に形成さ
れる所定形状の加工ビームに基づいて加工基板を加工す
るレーザ加工装置において、加工基板上に形成される加
工ビームの強度分布を所定の分布に設定するために、照
明光学系の開口数NAc と、結像光学系の投影マスク側
の開口数NAo'との比からなるコヒーレンスファクター
σ=NAc /NAo'は、0.4≦σの条件を満足する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置に関
し、特にレーザビームの照射によるアブレーション作用
を利用して加工基板を加工する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、たとえばポリマー樹脂等からなる
加工基板に所定形状の凹部を形成する場合、対応する所
定形状を有する凸型の金型を用いた射出成形が行われて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述の射出成形による
従来技術においては、微細なパターン形状を有する凹部
を形成しようとすると、形成すべき凹部の微細度に応じ
て金型の加工精度も厳密になってしまう。その結果、金
型の製作コストが著しく上昇し、歩留りも悪化するとい
う不都合があった。また、形成すべき凹部のパターン形
状すなわち加工基板の加工形状を変更するには、射出形
成で用いる金型も変更する必要があり、製造コストが上
昇するという不都合もあった。
【0004】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、微細な加工パターンにしたがって加工基板を
精度良く且つ安価に加工することのできるレーザ加工装
置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、所定形状の開口パターンが形成
された投影マスクをレーザビームで照明するための照明
光学系と、前記投影マスクを介したレーザビームに基づ
いて加工基板上に前記投影マスクの開口パターン像を投
影して、前記加工基板上に所定形状の加工ビームを形成
するための結像光学系とを備え、該結像光学系を介して
前記加工基板上に形成される所定形状の加工ビームに基
づいて、前記加工基板を加工するレーザ加工装置におい
て、前記加工基板上に形成される加工ビームの強度分布
を所定の分布に設定するために、前記照明光学系の開口
数NAc と、前記結像光学系の投影マスク側の開口数N
Ao'との比からなるコヒーレンスファクターσ=NAc
/NAo'は、 0.4≦σ の条件を満足することを特徴とするレーザ加工装置を提
供する。
【0006】本発明の好ましい態様によれば、前記コヒ
ーレンスファクターσは、0.6≦σ≦1の条件を満足
する。また、前記投影マスクの開口パターンは、前記レ
ーザビームを透過させる透過部を有し、前記レーザビー
ムに対する前記透過部の透過率は、前記透過部の面内に
おいて所定の分布にしたがって変化していることが好ま
しい。
【0007】
【発明の実施の形態】以下の実施例において詳述するよ
うに、結像光学系により加工基板上に投影される投影マ
スクの開口パターン像の光強度分布(加工基板上に形成
される所定形状の加工ビームの強度分布)は、照明光学
系の開口数NAc と結像光学系の投影マスク側の開口数
NAo'との比からなるコヒーレンスファクターσ=NA
c /NAo'の値に応じて変化する。すなわち、σ=0.
2の場合には、開口パターン像の光強度分布においてオ
ーバーシュートが大きく発生するが、コヒーレンスファ
クターσの値が大きくなるにしたがってオーバーシュー
ト量が小さくなる。
【0008】そこで、本発明においては、コヒーレンス
ファクターσが0.4≦σの条件を満足するように照明
光学系および結像光学系を構成することによって、加工
基板上に形成される加工ビームの強度分布を所定の分布
に設定している。すなわち、オーバーシュート量を十分
小さくし、レーザ加工によって加工基板に形成される凹
部の底面の平坦性を確保している。また、さらに良好な
平坦性を確保するとともに光量損失を回避するには、コ
ヒーレンスファクターσが0.6≦σ≦1の条件を満足
するのが好ましい。さらに、投影マスクにおいてレーザ
ビームを透過させる透過部の透過率を透過部の面内にお
いて所定の分布で変化させることにより、底面が傾斜を
有する凹部を形成することもできる。
【0009】以下、本発明の実施例を、添付図面を参照
して説明する。図1は、本発明の実施例にかかるレーザ
加工装置の構成を概略的に示す図である。図1のレーザ
加工装置は、例えばエキシマレーザビームのような紫外
光を発するレーザ発振器10を備えている。レーザ発振
器10から射出されたレーザビーム30は、ビーム整形
光学系BFに入射する。
【0010】ビーム整形光学系BFは、たとえば、図1
の紙面内において正屈折力を有し且つ紙面に垂直な面内
において屈折力を有しない一対のシリンドリカルレンズ
11および12で構成されている。したがって、ビーム
整形光学系BFに入射したレーザビーム30は、図1の
紙面内においてビームサイズが拡大され、紙面に垂直な
面内においてビームサイズがそのまま保持され、所望の
ビーム形状に整形されたレーザビーム31となってホモ
ジナイザーHNに入射する。
【0011】ホモジナイザーHNは、例えば、光軸AX
に平行な長手方向軸線を有する多数のレンズエレメント
により構成されたフライアイレンズ13である。フライ
アイレンズ13に入射したレーザビーム31は、光軸A
Xに垂直な面内において二元的に分割され、各レンズエ
レメントの焦点面SSに多数の光源像を形成する。すな
わち、焦点面SSには、フライアイレンズ13を構成す
るレンズエレメントの個数だけ光源像(二次光源)が形
成される。
【0012】二次光源を形成する多数の光源像のうちの
1つの光源像からのレーザビーム32に着目すると、レ
ーザビーム32は、二次光源からの光束を制限する開口
絞りSを介した後、コンデンサーレンズ14に入射す
る。レーザビーム32は、コンデンサーレンズ14で屈
折されてレーザビーム33となり、投影マスク15を照
明する。投影マスク15には、レーザビームを透過させ
る透過部とレーザビームを遮光する遮光部とにより所定
の開口パターンが形成されている。
【0013】なお、投影マスク15は、コンデンサーレ
ンズ14のほぼ後側焦点位置に位置決めされている。ま
た、焦点面SSは、コンデンサーレンズ14の前側焦点
面とほぼ一致するように構成されている。したがって、
コンデンサーレンズ14から射出されたレーザビーム3
3は、平行光束となって投影マスク15を照明する。ま
た、焦点面SS上に形成された他の光源像からのレーザ
ビームも、コンデンサーレンズ14を介して平行光束と
なり、投影マスク15を重畳的に均一照明する。このよ
うに、レーザ発振器10、ビーム整形光学系BF、フラ
イアイレンズ13、開口絞りS、およびコンデンサーレ
ンズ14は、投影マスク15を重畳的に均一照明するた
めの照明光学系ILを構成している。
【0014】さらに、投影マスク15を照明するレーザ
ビーム33のうち投影マスク15の透過部を透過したレ
ーザビーム34は、結像光学系OSの部分系16に入射
する。レーザビーム34は、部分系16で屈折されてレ
ーザビーム35となり、結像光学系OS(16、18)
の入射瞳面位置に設けられた開口絞り17の位置に結像
する。すなわち、ホモジナイザーHNにより焦点面SS
上に形成された二次光源からの光は、コンデンサーレン
ズ14と結像光学系OSの部分系16とにより、開口絞
り17の位置に再結像することになる。
【0015】次に、投影マスク15から射出された別の
レーザビーム40(図中破線で示す)に着目する。レー
ザビーム40は、投影マスク15の透過部を透過する光
および透過部で回折される光であり、結像光学系OSの
部分系16で屈折されてレーザビーム41となる。レー
ザビーム41は、結像光学系OSの開口数を規定する開
口絞り17により通過光束が制限された後、結像光学系
OSの部分系18に入射する。レーザビーム41は、部
分系18で屈折されてレーザビーム42となり、例えば
ポリイミドのようなポリマー樹脂等からなる加工基板1
9上に結像する。すなわち、加工すべき加工基板19上
には、投影マスク15の開口パターンの像が投影され
る。
【0016】こうして、加工基板19上には、投影マス
ク15の開口パターンに応じた所定形状の加工ビームが
形成され、加工ビームによるアブレーション作用によっ
て所定形状を有する凹部が形成される。換言すれば、加
工基板19にレーザ加工を施す場合、形成すべき凹部の
形状に対応した開口パターンを有する投影マスク15を
用いれば良いことになる。
【0017】本実施例のレーザ加工装置は、例えばイン
クジェットプリンターのヘッド部において、インク溜め
から吐出ノズルまでインクを導くための溝状構造を有す
る液路を形成するのに使用することができる。なお、上
述の液路のレーザ加工において重要なことは、液路の底
面がほぼ平坦に形成されることである。さらに、インク
ジェットプリンターのヘッド部では、底面が平坦で且つ
所定の傾斜を有する液路を形成することが望まれること
もある。
【0018】なお、照明光学系ILの開口数をNAc と
し、結像光学系OS(16、18)の物体側(投影マス
ク15側)の開口数をNAo'とするとき、コヒーレンス
ファクターσは、次の式(1)で表される。 σ=NAc /NAo' (1) すなわち、コヒーレンスファクターσは、瞳面に投影さ
れた二次光源の径と結像光学系OSの瞳径との比であ
る。
【0019】以下、図2〜図4を参照して、結像光学系
OS(16、18)により加工基板19上に投影される
投影マスク15の開口パターン像の光強度分布(加工基
板19上に形成される加工ビームの強度分布)がコヒー
レンスファクターσの値に応じて変化する様子を説明す
る。図2は、σ=0.2の場合の加工基板19上におけ
る開口パターン像の光強度分布を示す図である。図2に
おいて、実線は開口パターン像の実際の光強度分布を、
破線は投影マスク15の開口パターンを構成する透過部
の透過率に対応する理想の光強度分布をそれぞれ示して
いる。
【0020】図2に示すように、σ=0.2の場合、開
口パターン像の実際の光強度分布の肩の部分において、
オーバーシュート(光強度が1よりも大きくなること)
がかなり大きく発生しているのがわかる。図3および図
4は、それぞれσ=0.5およびσ=0.7の場合の開
口パターン像の光強度分布を示す図である。図2〜図4
を比較参照すると、コヒーレンスファクターσの値が大
きくなるにしたがって、オーバーシュート量が小さくな
っていることがわかる。
【0021】図5および図6は、レーザ加工により加工
基板19上に形成される凹部の断面形状がコヒーレンス
ファクターσの値に応じて変化する様子を説明する図で
ある。そして、図5ではコヒーレンスファクターσが
0.4以上である場合に形成される凹部の断面形状を、
図6ではコヒーレンスファクターσが0.2である場合
に形成される凹部の断面形状をそれぞれ模式的に示して
いる。なお、図5および図6において、(b)は、
(a)の線A−A’に沿った断面図である。
【0022】図5に示すように、コヒーレンスファクタ
ーσが0.4以上である場合、レーザ加工により凹部2
0の底面BT4がほぼ平坦に形成されることがわかる。
一方、図6に示すように、コヒーレンスファクターσが
0.2である場合、レーザ加工により凹部20の底面B
T4が平坦に形成されないことがわかる。すなわち、図
6(b)に示すように、開口パターン像の光強度分布に
おけるオーバーシュートに起因して、底面BT4の中央
部分よりも壁面に沿った両側部分においてレーザ加工が
強く作用し、切り欠き部が形成されるのがわかる。
【0023】インクジェットプリンターのヘッド部分に
おいてインク溜からノズル部にインクを導くための液路
の底面が図6の凹部20の底面BT4のように形成され
た場合、インクの流れが円滑にはならず不都合が生じ
る。したがって、本発明においては、加工基板上に形成
される加工ビームの強度分布を所定の分布に設定するた
めに、コヒーレンスファクターσ=NAc /NAo'は、
以下の条件式(2)を満足する。 0.4≦σ (2)
【0024】なお、レーザ加工により形成される凹部2
0の底面BT4の平坦性をさらに高めるには、コヒーレ
ンスファクターσを0.6以上に設定することが望まし
い。また、光量損失を回避するには、コヒーレンスファ
クターσを1.0以下に設定することが望ましい。すな
わち、コヒーレンスファクターσは、次の条件式(3)
を満足することが望ましい。 0.6≦σ≦1 (3)
【0025】図7は、底面が傾斜を有する凹部をレーザ
加工する変形例を説明する図であって、(a)は投影マ
スク15の透過部AP15の構成を、(b)は透過部A
P15の透過率変化を、(c)はレーザ加工により形成
された凹部20の断面形状をそれぞれ示している。な
お、(b)は(a)の線A−A’に沿った透過率分布を
示し、(c)は(a)の線A−A’に沿った断面を示し
ている。また、投影マスク15を照明する照明光学系I
Lの開口数NAc と結像光学系OSの投影マスク15側
の開口数NAo'との関係は、条件式(2)を満たしてい
るものとする。
【0026】図7(a)に示すように、投影マスク15
は例えば透明なガラス基板からなり、投影マスク15に
はレーザビームが透過する透過部AP15とレーザビー
ムが遮光される遮光部OB15(図中斜線で示す)とが
設けられている。そして、透過部AP15内には、結像
光学系OSの解像度よりも小さなサイズを有し且つレー
ザビームを遮光する微小な遮蔽部DT15がランダムに
多数配置されている。遮蔽部DT15は、投影マスク1
5上に蒸着された金属薄膜(例えばニッケルの蒸着膜)
である。
【0027】こうして、図7(b)に示すように、透過
部AP15の線A−A’に沿った透過率分布は所定の傾
きを有する。そして、図7(a)の投影マスク15を用
いてレーザ加工を行うと、図7(c)に示すように、加
工基板19には、透過部AP15の透過率分布の傾きに
応じて、底面BT8が所定の傾斜を有する凹部20が形
成される。例えばインクジェットプリンターのヘッド部
分においてインク溜からノズル(インク吐出穴部)にイ
ンクを導くための液路に図7の変形例を適用した場合、
レーザ加工により形成される液路の底面をインク溜から
ノズル部分に向かって所望の角度で傾斜させることがで
きる。その結果、インクの流れ易い液路を実現すること
ができる。
【0028】図8は、照明光学系ILおよび結像光学系
OSが本発明の条件式(2)を満足しない場合に底面が
平坦な凹部を形成するための変形例を説明する図であっ
て、(a)は投影マスク15の透過部AP15の構成
を、(b)は透過部AP15の透過率変化を、(c)は
レーザ加工により形成された凹部20の断面形状をそれ
ぞれ示している。
【0029】前述の図6(b)に示すように、投影マス
ク15の透過部の透過率がその全面に亘って一律である
場合、レーザ加工によって形成される凹部の底面は平坦
にはならない。そこで、図8の変形例では、図8(a)
に示すように、投影マスク15の透過部AP15を、透
過率が互いに異なる4つの部分領域CM1〜CM4で構
成している。なお、図8(b)に示すように、各部分領
域CM1〜CM4は、それぞれ各領域に亘って一定の透
過率IS1〜IS4を有する。
【0030】図8(b)に示す透過部AP15の透過率
分布は、図2において実線で示す光強度分布が加工基板
19上においてほぼ一定になるように規定されている。
したがって、図8(a)の投影マスク15を用いてレー
ザ加工を行うと、図8(c)に示すように、加工基板1
9にはほぼ平坦な底面BT9を有する凹部20が形成さ
れる。すなわち、図8の変形例によれば、照明光学系I
Lおよび結像光学系OSが本発明の条件式(2)を満足
しない場合にも、所定の透過率分布を有する透過部を介
してレーザ加工を行うことにより、ほぼ平坦な底面を有
する凹部をレーザ加工により形成することが可能にな
る。
【0031】なお、上述の実施例では、エキシマレーザ
ビームを用いて加工基板の加工を行っているが、他の適
当な紫外光を用いてレーザ加工することもできる。ま
た、上述の実施例では、加工基板に所定形状を有する凹
部を形成しているが、加工基板に所定形状の貫通孔を形
成するのに本発明を適用することもできる。
【0032】
【効果】以上説明したように、本発明のレーザ加工装置
によれば、微細な加工パターンにしたがって加工基板を
精度良く且つ安価に加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかるレーザ加工装置の構成
を概略的に示す図である。
【図2】結像光学系OS(16、18)により加工基板
19上に投影される投影マスク15の開口パターン像の
光強度分布がコヒーレンスファクターσの値に応じて変
化する様子を説明する図であって、σ=0.2の場合の
加工基板19上における開口パターン像の光強度分布を
示す図である。
【図3】結像光学系OS(16、18)により加工基板
19上に投影される投影マスク15の開口パターン像の
光強度分布がコヒーレンスファクターσの値に応じて変
化する様子を説明する図であって、σ=0.5の場合の
開口パターン像の光強度分布を示す図である。
【図4】結像光学系OS(16、18)により加工基板
19上に投影される投影マスク15の開口パターン像の
光強度分布がコヒーレンスファクターσの値に応じて変
化する様子を説明する図であって、σ=0.7の場合の
開口パターン像の光強度分布を示す図である。
【図5】加工基板19に形成される凹部の断面形状がコ
ヒーレンスファクターσの値に応じて変化する様子を説
明する図であって、コヒーレンスファクターσが0.4
以上である場合に形成される凹部の断面形状を模式的に
示している。
【図6】加工基板19に形成される凹部の断面形状がコ
ヒーレンスファクターσの値に応じて変化する様子を説
明する図であって、コヒーレンスファクターσが0.2
である場合に形成される凹部の断面形状を模式的に示し
ている。
【図7】底面が傾斜を有する凹部をレーザ加工する変形
例を説明する図であって、(a)は投影マスク15の透
過部AP15の構成を、(b)は透過部AP15の透過
率変化を、(c)はレーザ加工により形成された凹部2
0の断面形状をそれぞれ示している。
【図8】照明光学系ILおよび結像光学系OSが本発明
の条件式(2)を満足しない場合に底面が平坦な凹部を
形成するための変形例を説明する図であって、(a)は
投影マスク15の透過部AP15の構成を、(b)は透
過部AP15の透過率変化を、(c)はレーザ加工によ
り形成された凹部20の断面形状をそれぞれ示してい
る。
【符号の説明】
10 レーザ発振器 BF ビーム整形光学系 HN ホモジナイザー 13 フライアイレンズ S 開口絞り 14 コンデンサーレンズ 15 投影マスク IL 照明光学系 OS 結像光学系 16、18 部分系 17 開口絞り 19 加工基板 20 凹部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定形状の開口パターンが形成された投
    影マスクをレーザビームで照明するための照明光学系
    と、前記投影マスクを介したレーザビームに基づいて加
    工基板上に前記投影マスクの開口パターン像を投影し
    て、前記加工基板上に所定形状の加工ビームを形成する
    ための結像光学系とを備え、該結像光学系を介して前記
    加工基板上に形成される所定形状の加工ビームに基づい
    て、前記加工基板を加工するレーザ加工装置において、 前記加工基板上に形成される加工ビームの強度分布を所
    定の分布に設定するために、前記照明光学系の開口数N
    Ac と、前記結像光学系の投影マスク側の開口数NAo'
    との比からなるコヒーレンスファクターσ=NAc /N
    Ao'は、 0.4≦σ の条件を満足することを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 前記コヒーレンスファクターσは、 0.6≦σ≦1 の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載のレ
    ーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 前記投影マスクの開口パターンは、前記
    レーザビームを透過させる透過部を有し、 前記レーザビームに対する前記透過部の透過率は、前記
    透過部の面内において所定の分布にしたがって変化して
    いることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ
    加工装置。
JP8037168A 1996-01-31 1996-01-31 レーザ加工装置 Pending JPH09206974A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8037168A JPH09206974A (ja) 1996-01-31 1996-01-31 レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8037168A JPH09206974A (ja) 1996-01-31 1996-01-31 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09206974A true JPH09206974A (ja) 1997-08-12

Family

ID=12490077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8037168A Pending JPH09206974A (ja) 1996-01-31 1996-01-31 レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09206974A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003151903A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sharp Corp 半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置
US6570124B2 (en) 2000-08-31 2003-05-27 Sharp Kk Laser processing method
JP2010188418A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Dainippon Printing Co Ltd テーパ穴形成装置、およびテーパ穴形成装置で用いられる振幅変調マスクまたは位相変調マスク
KR101533130B1 (ko) * 2007-11-19 2015-07-01 코히런트 게엠바하 균질화된 라이트 빔을 형성하는 장치 및 방법
JP2018158360A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP2020110810A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 本田技研工業株式会社 表面改質方法、鋳造用金型の製造方法及び鋳造用金型

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6570124B2 (en) 2000-08-31 2003-05-27 Sharp Kk Laser processing method
JP2003151903A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sharp Corp 半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置
JP4651249B2 (ja) * 2001-11-09 2011-03-16 シャープ株式会社 半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置
KR101533130B1 (ko) * 2007-11-19 2015-07-01 코히런트 게엠바하 균질화된 라이트 빔을 형성하는 장치 및 방법
JP2010188418A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Dainippon Printing Co Ltd テーパ穴形成装置、およびテーパ穴形成装置で用いられる振幅変調マスクまたは位相変調マスク
JP2018158360A (ja) * 2017-03-23 2018-10-11 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP2020110810A (ja) * 2019-01-08 2020-07-27 本田技研工業株式会社 表面改質方法、鋳造用金型の製造方法及び鋳造用金型

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7400380B2 (en) Two-dimensional light-modulating nano/micro aperture array and high-speed nano pattern recording system utilized with the array
JP5036732B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
US7508588B2 (en) Micro lens array and its manufacturing method
JP3689490B2 (ja) ノズル部材の製造方法及びそれを用いた加工装置
KR20060103099A (ko) 패턴 노광 방법 및 장치
JP2002116379A (ja) マイクロリソグラフィ用の照明システム
JPH09206974A (ja) レーザ加工装置
US5841101A (en) Method used in manufacturing a workpiece using a plurality of spaced apart mask patterns
JP3082652B2 (ja) 照明装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH03174114A (ja) 走査光学系
JP3997199B2 (ja) 露光方法及び装置
KR0149036B1 (ko) 프린터용 방사 소스
JPH1197340A (ja) 露光光学系、光加工装置、露光装置及び光結合装置
JP2005157358A (ja) 特に高出力ダイオード・レーザに対するビーム整形のための屈折性・回折性ハイブリッド型レンズ
JP2001009580A (ja) レーザ光集光装置
JPS6332555A (ja) 露光装置
JP2000218802A (ja) プリンタヘッドの製造方法とその装置及び孔加工装置
JP2004114065A (ja) レーザ照射装置
JP3526165B2 (ja) 光加工機及びそれを用いたオリフィスプレートの製造方法
JPH112763A (ja) レーザー加工機用照明光学系
JPH08257770A (ja) アブレーション現像方法およびその装置
JPH07104563B2 (ja) 露光装置用照明光学装置
JP4918769B2 (ja) 光学スクリーンとそれを用いたプロジェクションスクリーンおよびその光学スクリーンの製造方法
JPH10129033A (ja) マルチビーム記録装置
JPH05304074A (ja) 投影露光装置