KR940001645B1 - 화학기상 성장장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

화학기상 성장장치 및 방법

제1도는 반응실내로 반응원료가스를 도입하기 위한 샤워노즐(shouwer nozzle)을 갖는 종래의 화학기상성장(chemical vapor deposition : CVD) 장치의 구조를 나타내는 개략도.

제2도는 본 발명의 1실시예에 의한 CVD 장치의 구조를 나타내는 개략도.

제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 다이아그램.

제4도는 본 발명의 또다른 실시예를 나타내는 다이아그램.

본 발명은 화학기상성장에 관한 것으로, 보다 구체적으로 절연체 부분상에 텅스텐막의 성장을 억제하면서 기판의 금속부분 또는 반도체부분상에 선택적으로 텅스텐을 성장시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.

종래에는 기판을 가열하기 위한 수단으로서 저항성 히터를 사용하는 화학기상성장장치를 사용하여 기판상에 선택적으로 텅스텐과 같은 금속 또는 반도체를 성장시켰다. 그러한 종래의 장치에서는 기판뿐만아니라 반응실내의 기판고정구 도는 히터 자체와 같은 장치의 다른 부품이 비교적 균일하게 가열되므로 그와 관련하여 이들 가열부품들상에 CVD반응의 부생성물이 광범위하게 형성되는 경향이 있다. 이러한 부생성물은 기판의 절연체부분과 반응하여 텅스텐성장의 핵을 형성하며, 그에 의해 기판상에 텅스텐과 같은 원하는 재료를 더 이상 선택적으로 성장시킬 수 없게된다.

이러한 문제점을 피하기 위해 적외선 조사에 의해 기판을 국부적으로 가열하는 방법이 주로 사용되고 있다. 적외선 조사에 의해 가열할 경우, CVD 장치의 반응실내의 고정구 또는 다른부분들을 비교적 차가운 상태로 두고 기판만을 선택적으로 신속하게 가열 및 냉각 시킬 수 있다. 그러나, 대량생산을 위해서는 기판을 하나씩 순차 교체할 때 저항성 히터를 사용하는 장치가 유리한 것으로 생각된다. 왜냐하면 고정구와 기판의 온도가 비교적 안정되기 때문이다.

제1도는 종래의 화학기상성장장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.

제1도를 참조하면 인입튜브(1)를 통해 반응실(36)내로 도입된 원료가스는 샤워노즐(31)을 통해 반응실(36)내로 방출된다. 실(36)에서 기판(33)은 석영 등의 고정구(34)상에 유지되며, 또한 기판(33)은 반응실(36)의 외부의 고정구(34) 밑에 제공된 저항성 히터(35)에 의해 고정구(34)를 통해 가열된다. 또한 반응실(36)은 진공펌프(37)에 의해 또다른 배기구(37a) 뿐만 아니라 도시안된 진공펌프에 의해 배기구(32)를 통해 배기된다. 기판(33)을 가열하기 위해 적외선 램프를 사용할 때 램프는 고정부(34)밑에 설치하여 고정구를 통해 기판(33)을 조사하거나 또는 기판(33)위에 설치하여 조사할 수 있다.

제1도의 CVD 장치에서 샤워노즐(31)은 웨이퍼(33)로부터 약 20㎝의 거리만큼 떨어져 있으며 원료가스는 샤워노즐(31)(도시안됨)내의 메쉬구조를 통과한후 반응실(36)내로 도입되어 기판(33)의 표면을 균일하게 분산된다.

종래에는 CVD처리에 의해 텅스텐의 선택적인 성장이 10^-2Torr 이상의 비교적 높은 성장압력에서 행해진다. 그 결과로서 실리콘기판에서 성장 또는 부식된 텅스텐막의 비저항과 같은 성질의 평가는 확실한 문헌에 의해 증명된다.

그러나, 특히 저항성 히터를 열원(35)으로 사용하면 WF₆와 SiH₄와 같은 원료가스가 반응 하게되어 고정구(34) 등의 가열표면에 SiFx와 같은 부생성물 분자가 광범위하게 형성되므로 이 부생성물 분자는 기판(33)에 원료가스 특히 WF₆를 이송할 때 기판(33)과 원하지 않는 반응을 하게되는 침식작용의 원인이 된다. 그에 의해, 실리콘상에 성장된 텅스텐막의 품질이 저하된다. 또한, 부생성물 분자는 기판의 절연막과 반응하여 텅스텐 성장용 핵을 형성한다. 그에 의해 선택적인 성장에 악영향을 주게 되어 양호한 선택성을 상실하게 된다.

종래에는 CVD 처리중 반응실내의 성장압력을 10^-3Torr 이하로 줄이면 그러한 바람직하지 못한 문제점들이 제거될 수 있는 것으로 알려져 있다. 일반적으로 그러한 성장압력을 줄이면 반응실의 배기설비인 부생성물 분자의 평균 자유공정이 길어지게 된다. 본 발명의 출원인에 의해 시행된 실험에 의하며, 텅스템 성장의 선택성이 성장압력을 10^-2Torr 이상으로하여 성장시킨 경우에 비해 약 10^-3Torr 이하로 할 때 확실하게 개선된다.

그러나, 그러한 감압하에서의 텅스텐 성장은 기판으로의 원료가스의 공급이 감소됨으로해서 성장속도가 너무 느려지는 문제점이 있다. 또한 텅스텐막의 질을 저하시키는 텅스텐의 침식문제가 완전히 해결되지 않는다.

따라서 본 발명의 일반 목적은 전술한 문제점이 제거된 신규하고도 유용한 화학기상성장장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 기판의 일부분상에 재료막을 선택적으로 성장시키되 감압하에서 성장을 행하더라도 선택성이 저하됨이 없이 만족스러운 성장속도가 성취될 수 있는 화학기상성장장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 실리콘기판상에 제공된 절연막이 일부 제거되어 노출된 상기 기판의 일부분상에 텅스텐막을 선택적으로 성장시키되, 10^-3Torr 이하의 압력하에서 성장을 행하더라도 선택성이 저하되지 않고 만족스러운 성장속도가 성취될 수 있는 화학기상성장장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 감압하에서 기판상에 텅스텐과 같은 재료를 성장시키되 기판내로 텅스텐의 침식이 효과적으로 억제될 수 있는 화학기상성장장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 화학기상성장공정은 수행하는 공간을 한정해주며 또한 배기용 배기구를 갖는 반응실과, 재료막을 성장시킬 기판을 고정시키기 위해 상기 반응실내에 제공되는 고정수단과, 상기 기판을 고정시키는 상기 고정수단을 제어되는 온도로 가열시키기 위한 히터수단과, 상기 반응실내로 원료가스로서 기판표면에서 행해지는 CVD반응시 재료를 생성시키는 반응종들을 포함하는 하나이상의 원료가스들을 도입하기 위해 반응실에 구성되는 가스인입수단과, 그리고 상기 반응실내의 압력을 제어하기 위해 반응실의 배기구에 연결되는 배기수단을 포함하는 기판의 일부분상에 선택적으로 재료를 성장시키기 위한 화학기상성장장치에 있어서, 상기 반응실내에서 원료가스의 분산을 제어하기 위해 상기 반응실내의 상기 가스인입수단상에 반응분산수단을 구성하고, 상기 원료가스 분산수단은 상기 반응실의 공간내에서 기판을 둘러싸는 부공간을 한정해주며 상기 부공간은 상기 기판의 표면에 수직한 방향에서 측정하여 일정 칫수를 가지며, 상기 칫수는 화학기상성장공정이 행해지는 조건하에서 반응실의 공간내부에 실현된 원료가스의 평균자유 공정길이의 적어도 1/2 이하이며 또한 CVD반응의 결과로서 형성되는 부생성물 원료가스를 자유로이 통과시키기 위해 상기 반응실의 나머지 공간과 상기 반응분산수단 내부의 부공간을 유통시키기 위한 개구가 형성되어있는 것이 특징인 화학기상성장장치를 제공하는데 있다. 본 발명에 의하면, 상기 반응실내로 도입된 원료가스는 상기 원료가스 분산수단에 의해 한정된 부공간내에 구속되므로 반응실내의 성장압력을 감소시킬지라도 증가된 반응속도를 포함하여 효과적인 반응이 성취될 수 있다. 상술한 본 발명의 장치를 사용하면 실리콘상에 텅스텐을 선택적으로 성장시킬 때 발생되는 텅스텐의 비선택적인 성장 또는 텅스텐의 침식과 관련하여 원인이 되는 텅스텐막의 질저하와 같은 문제점은 약 10^-3Torr 이하로 성장압력을 감소시켜줌으로서 제거되며 성장 압력을 줄임에도 불구하고 만족스러운 성장속도를 계속 유지될 수 있다.

본 발명의 기타목적과 특징들은 첨부도면을 참조하여 이하에 설명되는 양호한 실시예들로부터 이해될 수 있다.

이후, 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 발명의 제1실시예를 나타낸다. 도면중에서, 제1도를 참조하여 이미 설명된 것에 대응하는 것에 대해서는 동일번호를 부여하고 그에대한 설명을 생략한다.

본 실시예에서, 반응실(36)내로 연장되는 인입튜브(1)상에는 칼라(Collor)와 같은 반사판(2)이 제공되어 있고, 반사판(2)을 기판(33)과 반사판(2)간에 부공간(2a)을 한정한다. 반사판(2)은 그의 측단부(2c)를 제외하고 기판(33)을 둘러싸는 오목한 내면(2b)을 갖고 있어 부공간(2a)내에서 인입구(1)를 통해 반응실(36)내로 도입되는 반응 원료가스들을 구속시킨다. 반사판(2)을 반응실(36)내로 도입되는 원료가스들과 반응되지 않는 산화실리콘과 같은 재료로 형성된다. 또한 반사판(2) 뒤에 금속막(2d)을 제공하여 적외선을 반사판(2)과 금속막(2d)간의 경계를 따라 기판(33)과 기판(33)의 고정구(34)로부터 반사시키기 위한 반사경을 제공할 수 있다. 이 반사경은 상기 오목한 내면(2b)과 실제적으로 평행하게 연재되도록 할 수 있다. 그에 의해 기판(33)의 온도분산은 상당히 개선된다.

제한효과를 향상시키기 위해 반사판(2)과 기판(33)간의 거리(D)는 CVD공정의 정상조건하에서 예를 들어 원료가스 6불화텅스텐(WF₆)의 경우 그의 평균자유 공정의 절반이하로 설정한다. 도시된 예에서 거리(D)는 약 50㎜이다. 이와 같이 거리(D)를 설정해줌으로서, 인입구(1)로부터 부공간(2a)내로 도입되어 반응없이 기판(33)의 표면으로 반사되는 원료가스들은 반사판(2)에 의해 다시 기판(33)쪽으로 반사되므로 기판(33)의 표면에서의 반응확률이 상당히 증가된다. 인입구(1)로부터 부공간(2a) 내로 도입된 원료가스들은 기판(33)의 주표면에 수직한 이동방향을 가지며 또한 원료가스가 표면(33)의 표면에서 반응하지 못하게 될 때 반사판(2)에 역방향으로 반사됨을 주목할 수 있다. 그렇게 반사판(2)에 도달된 원료가스는 물론 기판(33)으로 다시 반사된다. 반사판(2)의 온도는 기판의 온도보다 실질적으로 낮으므로 반응원료가스가 반사판(2)에서 반사될 때 실질적인 반응이 행해지지 않는 것이 주목된다. 또한 부공간(2a)이 반사판(2)의 측연부(2c)에 형성되어 있기 때문에 기판(33)의 표면에 형성된 부생성종들이 10^-3Torr 이하의 감압하에서 침착하는 한 다른 종과의 충돌에 의해 분산되는 일없이 부공간(2a)를 통해 효율적으로 배출된다. 부생성종의 경우에 인입구(1)를 통해 도입된 반응종들과 대조적으로 이동방향에 있어 방향성이 없으므로, 부생성종들의 실질적인 부분이 분산됨이 없이 부공간(2a)을 통해 배출된다.

반사판(2)과 기판(33)간의 거리(D)는 반응실(36)내의 반응종들의 평균자유공정의 1/3 이하로 설정하는 것이 좋다. 그렇게 함으로써 반사판(2)의 내면(2b)에서 한 번 반사후 기판에 도달하며, 인입구(1)로부터 도입되는 반응종들의 전체 경로길이를 반응종들의 평균자유공정 이하로 설정할 수 있다. 반응종들은 그러한 상황에서 공정의 거리(D)를 3회 이동한다.

이후, 본 실시예의 CVD시스템으로 실행할 실험결과에 대해 설명한다.

[실시예 1]

PSG 막내에 접촉구멍을 형성하여 그 밑의 실리콘기판을 노출시키는 접촉구멍내로 260℃의 기판온도에서 5sccm과 3.75sccm의 유량으로 각각 WF₆원료가스와 SiH₄원료가스를 공급하여 텅스텐의 성장을 행했다. 성장은 300초 동안 5.0×10^-4Torr의 성장압력하에서 행했다. 300초 성장후, 1㎛의 깊이를 갖는 접촉구멍은 텅스텐으로 완전히 매립되었다. 성장을 더 계속한 결과, PSG 막상에 더 이상 성장이 되지 않음이 확인되었다. 따라서, 텅스텐 성장의 우수한 성장이 유지될 수 있다. 본 실시예에서 얻은 약 2000Å/분의 성장속도는 성장장치의 구성과 성장조건을 그대로 유지시키는 한편, 반사판(2)을 대신하여 제1도에 보인 샤워노즐(31)을 사용하여 얻은 종래의 성장속도인 600Å/분에비해 상당히 개선되었다.

[실시예 2]

본 실시예에서는 실시예 1의 경우와 동일한 조건하에서 PSG막의 접촉구멍을 통해 노출된 실리콘 표면상에 텅스텐을 1000Å/분의 성장속도로 성장시켰다. 이 실험에서, 반사판(2)과 기판(33)간의 거리(D)는 15㎜로 설정되었다. 그렇게 성장된 텅스텐의 막두께와 비저항을 다음 표 1에 나타낸다.

[표 1]

표 1로부터 비저항값의 분포는 약 ±4.5% 이하임을 알 수 있다. 이는 약 ±8∼9%의 분포를 갖는 종래에 비해 상당히 개선된 것이다. 또한, 성장속도는 약 1000Å/분으로서 이 역시 이미 언급한 바와 같이 약 600℃/분의 종래의 성장속도에 비해 상당히 개선되었다.

[실시예 3]

이와 같은 일련의 실험에서, 제2도의 장치를 사용하여 WF₆(제1원료가스)를 도입, 초기 실리콘 유도환원을 위해 여러 가지 온도로서 제1텅스텐막을 성장시켰다. 실리콘 유도환원이라함은 하기식의 반응을 뜻한다.

2WF₆(g)+3Si(s)→2W(s)+3SiF₄

실리콘 유도환원 반응을 위한 각 실험들에서 WF₆의 유량을 5sccm, 성장시간은 10초, 성장 압력은 3.0×10^-4Torr이었다. 실리콘 유도환원후 다시 온도를 250℃로 설정하고, WF₆와 실란혼합가스(제2원료가스)를 도입, 하기 반응식으로 나타낸 실란 유도환원을 행하여 300Å의 두께를 갖는 제2텅스텐막이 얻어질때까지 성장을 계속하였다.

4WF₆(g)+3SiH₄(g)→4W(s)+3SiF₄(g)+12HF

그와 동시에 다른 실란 유도환원반응을 하기 반응식과 같이 행했다.

WF₆(g)+3SiH₄(g)→WSi₂+SiF₄+2HF+5H₂

이 공정중, Si에 의한 WF₆의 전술한 환원이 또한 행해졌다. 결국 WF₆의 3차원 반응을 서로 병행하여 실제로 행했다. 결과적으로 WF₆의 실란 유도환원에 의해 형성되는 텅스텐막은 순수 텅스텐이 아니고 소량의 실리콘을 함유한다.

상기 실험들에 의하면, 180℃∼300℃의 온도 범위에서 행해지는 WF₆의 실리콘유도환원에 의해 얻은 텅스텐막은 완전히 제거되지 않을 경우 침식이 뚜렷하게 되지않는 성향을 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이와 대조적으로, 실리콘 유도환원이 310℃ 또는 320℃ 등의 300℃ 이상의 온도에서 성취되는 샘플의 경우에 침식의 정도가 허용될 수 없을 정도로 높다. 또한, 반도체장치를 제공함에 있어 200℃ 이상의 온도에서 행해지는 실리콘 유도환원에 의해 얻은 샘플들의 경우에는 기판실리콘과 그위에 성장된 텅스텐막간에 우수한 접촉상태를 나타내는 반면 200℃ 이하 예를 들어 180℃ 또는 190℃에서 행해진 실리콘 유도환원에 의해 얻은 샘플들의 경우에는 바람직하지 못한 불량 접촉상태를 나타냄이 밝혀졌다.

요약하면 전술한 관측에 의하면, 실리콘내로 텅스텐의 침식은 텅스텐을 함유하는 원료가스의 실리콘 유도환원에 의해 행해지는 텅스텐의 초기성장시 200℃∼300℃간의 온도범위를 사용하면 최소화되는 것으로 나타났다. 텅스텐 박막이 형성된후, 실란 유도환원을 사용하여 성장을 계속했다.

본 발명은 오목한 내면(2b)을 갖는 반사판(2)을 사용하는 제2도의 실시예로 제한되지 않고 평평한 반사판(2')이 사용되는 제3도에 보인 제2실시예에 따라 구성될 수도 있다. 이 실시예에서도 역시 거리(D)는 부공간(2a)내로 도입되는 반응원료가스들의 평균 자유공정의 1/2 이하, 바람직하게는 1/3 이하로 설정되었다. 쉽게 이해될 수 있는 바와 같이, 이 구성은 또한 원료가스를 반사판(2)과 기판(33)간에서 전후로 반사시킴으로서 원료가스를 부공간(2a)내에 구속하기 위해서도 효과적이다.

제4도는 다수의 인입튜브(1a∼1c)를 따라 원료가스가 도입되는 또다른 실시예를 나타낸다. 이 구성에서도 역시 평평한 구성을 갖는 반사판(2')을 제공하여 반사판(2')과 기판(33)간에 부공간(2a)을 한정했으나 그들간의 간격(D)은 상기 부공간(2a)내로 도입된 반응원료가스의 평균 자유공정 이하가 되도록 설정했다. 본 실시예의 작용효과는 전술한 설명으로부터 명백하므로 더 이상 설명을 생략한다.

본 발명의 CVD 장치를 사용하면 선택적인 성장을 희생함이 없이 개선된 성장속도로 특히 텅스텐과 같은 재료를 성장할 수 있다.

또한, 본 발명은 전술한 실시예들로 제한되지 않고 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 범위내에서 여러 수정 변경 가능하다.

Claims (12)

1. 화학기상성장공정을 수행하는 공간을 한정하며 또한 배기용 배기유니트(37)에 연결하기에 적합한 배기구(32, 37a)를 갖고 있는 반응실(36)과, 재료막을 성장시킬 기판(33)을 고정시키기 위해 상기 반응실내에 구성되는 고정수단(34)과, 상기 고정수단상에 기판을 고정시키기 위한 고정수단을 제어되는 온도로 가열하기 위한 히터수단(35)과, 상기 반응실내로 하나이상의 원료가스들을 도입하기 위해 상기 반응실내에 구성되는 가스인입수단(1, 1a-1c)과, 상기 원료가스는 기판의 표면구분에서 행해지는 화학반응시 재료막을 생성하는 반응제종들을 포함하며, 그리고 상기 반응실내의 분산을 제어하기 위해 상기 반응실 내의 가스인입수단상에 구성되는 원료가스 분산수단(2, 2')을 포함하는 기판의 일부분상에 선택적으로 재료를 성장시키기 위한 화학기상성장장치에 있어서, 상기 원료가스 분산수단(2, 2')은 상기 반응실의 공간내에서 기판을 에워싸는 부공간(2a)을 한정하되, 기판의 표면에 수직한 방향에서 거리(D)만큼 격리시키고, 상기 거리는 화학기상성장공정을 행하는 조건하에서 반응실의 공간내부에 실현된 원료가스의 평균 자유공정의 약 1/2 이하로 하며, 또한 상기 기판의 표면에서의 화학반응의 결과로서 형성되는 부생성물 원료가스들을 자유로이 통과시키기 위해 상기 원료가스 분산수단 내부에 부공간을 상기 반응실의 나머지 공간과 유통시키기 위한 측연부(2c)를 형성한 것이 특징인 화학기상성장장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 가스인입수단(1, 1a-1c)은 반응실(36)내로 연장되는 튜브(1)를 포함하며, 상기 원료가스 분산수단은 상기 튜브를 통해 부공간(2a)내로 도입되어 기판(33)에 대해 다시 화학반응을 시킴이 없이 기판의 표면에서 반사되도록 칼라부재로서 튜브상에 구성되는 반사판(2, 2')인 것이 특징인 화학기상성장장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 반사판(2)은 상기 반응실내에 도입된 원료가스와 실질적으로 반응하지 않는 물질로 된 것이 특징인 화학기상성장장치.
4. 제2 또는 제3항에 있어서, 상기 반사판(2)은 산화실리콘으로 된 것이 특징인 화학기상성장장치.
5. 제2항에 있어서, 상기 반사판(2)은 기판(33)과 대향하는 오목내면(2b)을 갖는 것이 특징인 화학기상성장장치.
6. 제2항에 있어서, 상기 반사판(2')은 기판(33)과 대향하는 평평한 표면을 갖는 것이 특징인 화학기상성장장치.
7. 제2항에 있어서, 상기 반사판은 기판이 균일하게 가열되도록 기판으로 다시 적외선을 반사시키기 위한 반사수단을 더 포함하는 화학기상성장장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 반사수단은 상기 기판에 대향하는 상기 반사판의 내면과 평행하게 연재되는 반사표면은 재공하기 위한 반사판(2)상에 제공되는 금속막(2d)을 포함하는 것이 특징인 화학기상성장장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 원료가스 분산수단(2, 2')은 상기 부공간(2a)의 상기 거리(D)가 부공간내의 원료가스의 평균자유 공정길이의 약 1/3이 되도록 설비되는 것이 특징인 화학기상성장장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 가스인입수단은 상기 원료가스 분산수단(2')의 장치되는 복수의 튜브(1a-1c)로 된 것이 특징인 화학기상성장장치.
11. 제1항 기재의 화학기상성장장치를 이용하여 10^-3Torr 이하의 조절성장압력에서 화학기상성장공정에 의해 기판상에 형성된 실리콘의 노출영역상에 선택적으로 텅스텐막을 성장시키는 방법에 있어서, 6불화 텅스텐을 필수성분으로하여 구성되는 제1원료가스를 상기 실리콘의 노출영역과 접촉되도록 상기 기판이 설치되는 반응실내로 도입하는 단계와, 상기 도입된 제1원료가스를 200℃∼300℃ 범위의 상기 기판 온도에서 상기 노출영역내의 실리콘과 반응시킴으로서 실리콘에 의하여 6불화 텅스텐이 환원되어 상기 실리콘의 노출영역상에 텅스텐이 성장되어 제1텅스텐막을 형성하는 단계와, 상기 제1원료가스 반응단계후 상기 제1원료 가스 이외에 제2원료가스를 상기 반응실내로 도입하여 상기 제1텅스텐막을 포함하는 기판과 접촉시키는 단계와, 실리콘과 상기 제1원료가스의 반응의 결과로서 텅스텐을 연속 성장시키는 동안 상기 제2원료가스의 화학반응의 결과로서 상기 제1텅스텐 막상에 텅스텐을 성장시켜 상기 제1텅스텐 막상에 제2텅스텐막을 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징인 화학기상성장방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 제2원료 가스는 6불화 텅스텐과 실란으로 구성되고, 상기 제2원료가스의 화학반응은 상기 제2원료가스내에 함유된 실란에 의해 상기 제2원료가스내에 함유된 6불화 텅스텐의 화학적 환원을 하는 것이 특징인 화학기상성장방법.

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