KR930703686A - 집적회로 아날로그 신호기록 및 재생을 위하여 반복적으로 기록하는 개선된 방법 및 장치와 소스 팔로워 기억셀 - Google Patents
집적회로 아날로그 신호기록 및 재생을 위하여 반복적으로 기록하는 개선된 방법 및 장치와 소스 팔로워 기억셀Info
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Abstract
소스 팔로워 기억셀 및 집적회로 아날로그 기록 및 재생을 위해 반복적으로 기록하는 개선된 방법 및 장치는 기억된 신호의 도출을 증가시키고 디바이스의 기억 및 판독 능력의 정확성 및 안정성을 증가시킨다.
기억셀은 전기적으로 변경가능한 MOS 기억 디바이스가 소스 팔로워 구성으로 접속된 구성으로서, 부동 게이트 기억 전하의 변동 및 출력전압의 변동 사이에 일대일 관계를 제공하고, 고부하 저하에서, 부하 특성에 비교적 둔감하다.
기록 프로세스 및 회로는 조야펄스의 열이 대략적인 소망값으로 셀을 프로그래밍하고, 각 셀을 프로그래밍하는데 사용된 마지막 조야펄스와 대조된 순정펄스의 열이 순정증분으로 바람직한 최종 프로그래밍 레벨까지 셀을 프로그래밍하는 다중-반복적 프로그래밍 기술을 제공한다. 더욱 순정한 프로그래밍 레벨일 사용될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 아날로그 기억 디바이스의 메모리 어레이 일부 및 관련 회로소자의 개략적인 회로 다이어그램이다. 제2도는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 아날로그 기억 디바이스웨 메모리 어레이 일부 및 관련회로 소자의 개략적인 회로 다이어그램이다.
Claims (22)
- 집적회로 아날로그 기록 및 그후의 재생을 위하여 신호샘플을 MOS 기억셀에 반복적으로 기록하는 방법은:(a) 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀에 제공하는 단계, (b) 단계 (a)의 각 프로그래밍 펄스 후, MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호샘플과 비교하는 단계, (c) 단계 (b)에서 기억셀로부터 판독된 신호가 기록될 신호샘플에 대하여 소정의 관계에 이를때 MOS 기억셀로 프로그래밍 펄스의 제1열을 인가하는 것을 종료하는 단계, (d) 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제2열을 MOS 기억셀에 제공하는 단계, (e) 단계 (d)의 각 프로그래밍 펄스후, MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호샘플과 비교하는 단계, 및 (f) 단계 (e)에서 기록셀로부터 판독된 신호가 기록될 신호 샘플에 대하여 소정의 관계에 이를때 MOS 기억셀로 프로그래밍 펄스에 제2열을 인가하는 종료하는 단계로 구성되며, 프로그래밍 펄스의 제2열은 프로그래밍 펄스의 제1열 보다 작은 크기로 증가하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, MOS 기억셀에 인가된 상태의 프로그래밍 펄스의 제2열은 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀로 인가하는 것이 단계 (c)에서 종료되었을때 프로그래밍 펄스의 제1열의 크기와 대조되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 펄스의 제2대열내의 각 펄스는 펄스의 제1열내의 펄스 보다 짧은 지속시간을 가지는 펄스인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 펄스의 제2열의 인가를 위하여 할당된 최대시간은 펄스의 제1열의 인가를 위하여 할당된 최대시간과 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1,2,3 또는 4항에 있어서, MOS기억셀은 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS기억 디바이스를 포함하고, 그것에 의하여, 셀의 부동 게이트 MOS 기억 디바이스상의 전압과 그로부터 판독된 각 신호 사이에 일대일 관계가 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 단계(b와 e)의 MOS 기억셀의 판독은 MOS 기억셀로 기록된 신호 샘플을 다음에 재생할때와 동일하게 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적회로 아날로그 기록 및 그후의 재생을 위하여 신호샘플을 기억하는 방법은; (a) 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS 기억 디바이스를 가진 기억셀을 제공하는 단계, (b) 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀체 제공하는 단계, (c) 단계 (b)의 각 프로그래밍 펄스 후, MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호샘플과 비교하는 단계, 및 (d)단계 (C)에서 기억셀로부터 판독된 신호가 기록될 신호샘플에 대하여 소정의 관계에 이를 때 MOS 기억셀로 프로그래밍 펄스의 제1열을 인가하는 것을 종료하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 단계 (c)의 MOS 기억셀의 판독은 MOS 기억셀로 기록된 신호샘플을 다음에 재생할 때와 동일한 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적회로 아날로그 기록 및 그후의 재생을 위하여 신호샘플을 디기억하는 방법은; (a) 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS 기억 디바이스를 각각 가진 다수의 기억셀을 제공하는 단계, (b) 다수의 아날로그 신호샘플을 취하여, 동일한 다수의 샘플 및 유지회로에 일시적으로 유지하는 단계, (c) 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 각각의 MOS 기억셀에 제공하는 단계, (d)단계 (C)의 각 프로그래밍 펄스후, MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 각각의 신호를 각각의 샘플 및 유지회로에 일시적으로 유지된 신호와 비교하는 단계, 및 (e) 각각의 MOS 기억셀에 대하여, 단계 (d)에서 각 기억셀로부터 판독된 신호가 각 샘플 및 유지회로에 유지된 신호에 대하여 소정의 관계에 이를때 단계 (c)의 프로그래밍 펄스의 제1열을 각 MOS 기억셀로 인가하는 것을 종료하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, (f) 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제2열을 각각의 MOS 기억셀에 제공하는 단계, (g) 단계 (f)의 각 프로그래밍 펄스후, MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 각 신호를 각 샘플 및 유지회로에 일시적으로 신호와 비교하는 단계 및, (h) 각각의 MOS 기억셀에 대하여, 단계 (g)에서 각 기억셀로부터 판독된 신호가 각 샘플 및 유지회로에 유지된 신호에 대하여 소정의 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 단계(d)의 MOS 기억셀의 판독은 MOS 기억셀로 기록된 신호샘플을 다음에 재생할 때와 동일한 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적회로 아날로그 기록 및 재생 시스템에서 MOS 기억셀로 신호샘플을 기록하는 장치는, 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀에 제공하는 제1수단, 각 프로그래밍 펄스후 MOS 기억셀을 판독하고, 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호 샘플과 비교하는 제2수단; 제2수단에 의해 기억셀로 부터 판독된 신호가 기록될 신호샘플에 대하여 소정의 관계에 이를때 제1수단에 의해 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀로 인가하는 것을 종료하는 제3수단, 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제2열을 MOS 기억셀에 제공하는 제4수단, 및 기억셀로부터 판독된 신호가 기록될 신호샘플에 대하여 소정의 관계에 이를때 프로그래밍 펄스의 제2열을 MOS 기억셀로 인가하는 것을 종료하는 제5수단으로 구성되며, 프로그래밍 펄스의 제2열은 제1수단의 프로그래밍 펄스의 제1열 보다 작은 증분으로 증가하고, 제2수단은 또한 제2열의 각 프로그래밍 펄스후 MOS 기억셀을 판독하고 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호샘플과 비교하는 수단인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12항에 있어서, 프로그래밍 펄스의 제2열을 제공하는 제4수단은 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀로 인가하는 것을 종료되었을때 프로그래밍 펄스의 제1열의 크기에 대조되는 수단인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제13항에 있어서, 펄스의 제2열내의 각 펄스는 펄스의 제1열내의 펄스보다 짧은 지속기간을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제14항에 있어서, 펄스의 제2열의 최대시간은 펄스의 제1열의 최대시간과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
- 제12,13,14 또는 15항에 있어서, MOS 기억셀은 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS 기억 디바이스를 포함하고, 그것에 의하여 셀의 부동 게이트 MOS 기억 디바이스상의 전압과 그로부터 판독된 각각의 신호 사이에 일대일 관계가 존재하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 제2수단은 또한 재생을 위해 MOS 기억셀을 다음에 판독하는 수단이고, 그것에 의하여 신호샘플을 MOS 기억셀에 기록할 때의 판독동작이 재생을 위한 판독동작과 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
- 집적회로 아날로그 판독 및 그후의 재생을 위하여 신호샘플을 기억하는 장치는; 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS 기억 디바이스를 가진 기억셀, 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀에 제공하는 수단, 각 프로그래밍 펄스 후 MOS 기억셀을 판독하고 판독된 신호를 기록되길 바라는 신호샘플과 비교하는 수단, 및 기억셀로부터 판독된 신호가 기록될 신호샘플에 대하여 소정의 관계를 이를때 프로그래밍 펄스의 제1열을 MOS 기억셀로 인가하는 것을 종료하는 구단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제18항에 있어서, 각 프로그래밍 펄스후 판독하는 상기 수단은 또한 재생을 위하여 MOS 기억셀을 그후에 판독하는 수단이고, 그것에 의하여 신호샘플을 MOS 기억셀로 기록할 때의 판독동작은 재생을 위한 판독동작과 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
- 집적회로 아날로그 기록 및 그후의 재생을 위하여 신호샘플을 기억하는 장치는, 소스 팔로워 판독구성으로 접속가능한 부동 게이트 MOS 기억 디바이스를 각각 가진 다수의 기억셀, 동일한 다수의 아날로그 신호샘플을 취하여 일시적으로 유지하는 다수의 샘플 및 유지회로, 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제1열을 각각의 MOS 기억셀에 제공하는 제1수단, 각 프로그래밍 펄스 후 MOS 기억셀을 판독하고 판독된 각각의 신호를 각각의 샘플 및 유지회로에 일시적으로 유지된 신호가 비교하는 제2수단, 및 제2수단에 의해 각각의 기억셀로부터 판독된 신호가 각각의 샘플 및 유지회로에 유지된 신호에 대하여 소정의 관계에 이를때 각각의 MOS 기억셀을 위하여 프로그래밍 펄스의 제1열을 각각의 MOS 기억셀로 인가하는 것을 특징으로 하는 제3수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제20항에 있어서, 다수의 MOS 기억셀은 MOS 기억셀의 2차원 어레이로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제21항에 있어서, 진폭이 증가하는 프로그래밍 펄스의 제2열을 각각의 MOS 기억셀에 제공하는 제4수단, 제2열의 각 프로그래밍 펄스후 MOS 기억셀을 판독하고 판독된 각각의 신호를 각각의 샘플 및 유지회로에 일시적으로 유지된 신호와 비교하는 수단이 제2수단, 및 제2수단에 의해 각각의 기억셀로부터 판독된 신호가 각각의 샘플 및 유지회로에 유지된 신호에 대하여 소정의 관계에 이를때 각각의 MOS 기억셀로 프로그래밍 펄스의 제2열을 인가하는 것을 종료하는 제5수단으로 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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