KR930020432A - 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로 - Google Patents

데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930020432A
KR930020432A KR1019920003978A KR920003978A KR930020432A KR 930020432 A KR930020432 A KR 930020432A KR 1019920003978 A KR1019920003978 A KR 1019920003978A KR 920003978 A KR920003978 A KR 920003978A KR 930020432 A KR930020432 A KR 930020432A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
power supply
program
input
operating
Prior art date
Application number
KR1019920003978A
Other languages
English (en)
Inventor
김성은
Original Assignee
정용문
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정용문, 삼성전자 주식회사 filed Critical 정용문
Priority to KR1019920003978A priority Critical patent/KR930020432A/ko
Publication of KR930020432A publication Critical patent/KR930020432A/ko

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

프로그램 전원전압과 동작 전원전압 단자로 입력되는 전원전압 상태에 따라 기록/독출모드상태로 동작되는 NVM의 전원제어 회로에 관한 것이다.
상기의 전원 제어회로는 모드전압 스위칭부와 클램프 회로로 구성된다. 모드전압 스위칭부는 제1동작전압과 제1프로그램전압을 입력하여 상기 제1동작전압을 상기 NMV(12)의 프로그램 전원단자로 출력시키며, 제1제어신호의 입력에 응답 스위칭하여 출력전압을 상기 제1프로그램전압으로 스위칭 출력하며, 클램프회로는 상기 모드전압 스위칭부(24)와 상기 NVM(12)의 동작전압 입력단자(Vcc)사이에 좁속되어 입력되는 제1동작전압을 상기 NVM(12)의 동작전원단자(Vcc)로 입력단자(Vcc)로 제공하고, 상기 모드스위칭부(24)로 부터 프로그램전압 출력시 상기 프로그램전압을 제2프로그램 전압레벨로 클램프하여 상기 NVM(12)와 동작전압단자(Vcc)로 한다.
상기와 같은 두 회로에 NVM의 전원을 제어함으로 실시간 제어가 가능하며, 전원부를 간단히 할 수 있다.

Description

데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전원제어 회로도.
제3도는 제2도의 동작파형도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전원제어 회로도.
제5도는 제4도의 동작파형도.

Claims (5)

  1. 프로그램 전원단자(Vpp)와 동작 전원단자(Vcc)를 가지고 있으며, 상기 두 전원단자로 입력되는 전압에 의해 동작되는 NVM(12)를 구비한 데이터 영구보존 메모리의 전원제어 회로에 있어서, 제1동작전원(VDD)과 제1프로그램전압(Vpgm)을 입력하여 상기 제1동작전압(VDD)을 상기 NVM(12)의 프로그램 전원단자(Vpp)로 출력시키며, 제1제어신호의 입력에 응답 스위칭하여 출력전압을 상기 제1프로그램전압(Vpgm)으로 스위칭 출력하는 프로그램전압 스위칭부(20)와, 제1동작전원(VDD)을 상기 NVM(12)의 동작 전원단자(Vcc)으로 출력시키며, 제2제어신호의 입력에 응답 스위칭하여 출력전압을 상기 제2프로그램전압(Vccp)으로 스위칭 출력하는 동작전원스위칭부(22)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
  2. 제1항에 있어서, 프로그램 단자(Vpp)로 공급되는 제1동작전원(VDD)과 소정 레벨의 제1프로그램전압(Vpgm)을 콜렉터와 에미터로 각각 입력하며, 스위칭 제어신호의 입력에 응답 스위칭되어 제1동작전원(VDD)을 차단하고 제1프로그램전압(Vpgm)을 출력하는 제1트랜지스터(Q1)와, 제1제어신호의 입력에 스위칭되어 상기 제1트랜지스터(Q1)의 베이스에 스위칭 제어신호를 공급하는 제2트랜지스터(Q2)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
  3. 제2항에 있어서, 동작전원 스위칭부(22)는 일방향 다이오드(D2)를 통해 상기 NVM(12)의 동작 전원단자(Vcc)로 공급되는 제1동작전원(VDD)과 소정 레벨의 제2프로그램전압(Vccp)을 콜렉터와 에미터로 각각 입력하여, 스위칭 제어신호의 입력에 응답 스위칭되어 제1동작전원(VDD)을 차단하고 제2프로그램전압(Vccp)을 출력하는 제3트랜지스터(Q3)의 베이스에 스위칭 제어신호를 공급하는 제4트랜지스터(Q4)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
  4. 프로그램 전원단자(Vpp)와 전원단자(Vcc)를 가지고 있으며, 상기 두 전원 단자로 입력되는 전압에 의해 동작되는 NVM(12)를 구비한 영구보존 메모리의 전원제어 회로에 있어서, 제1동작전원(VDD)과 제1프로그램전압(Vpgm)을 입력하여 상기 제1동작전압(VDD)을 상기 NVM(12)의 프로그램 전원단자(Vpp)로 출력시키며, 제1제어신호의 입력에 응답 스위칭하여 출력전압을 상기 제1프로그램전압(Vpgm)으로 스위칭 출력하는 모드전압 스위칭부(24)와, 상기 모드전압 스위칭부(24)와 상기 NVM(12)의 동작전압 입력단자(Vcc) 사이에 접속되어 입력되는 제1동작전원(VDD)을 상기 NVM(12)의 동작전원단자(Vcc)로 제공하고, 상기 모드스위칭부(24)로 부터 프로그램전압(Vpgm)출력시 상기 프로그램전압(Vpgm)을 제2프로그램 전압레벨로 클램프하여 상기 NVM(12)의 동작전압단자(Vcc)로 제공하는 클램프회로(26)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
  5. 제4항에 있어서, 클램프회로(26)는 제1동작전압(VDD)을 상기 NVM(12)의 동작전압단자(Vcc)로 일방향 제공하는 다이오드(D4)와, 상기 모드전압 스위칭부(24)의 출력단자와 접지사이에 접속되어 상기 출력단자로 부터 출력되는 제1프로그램전압(Vpgm)을 제2프로그램전압(Vccp=6.25VDC)레벨로 클램프하여 상기 다이오드(D4)의 캐소드로 출력하는 다이오드(D3), 저항(R7), 제너다이오드(ZD1)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920003978A 1992-03-11 1992-03-11 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로 KR930020432A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920003978A KR930020432A (ko) 1992-03-11 1992-03-11 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920003978A KR930020432A (ko) 1992-03-11 1992-03-11 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930020432A true KR930020432A (ko) 1993-10-19

Family

ID=67257146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920003978A KR930020432A (ko) 1992-03-11 1992-03-11 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930020432A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712533B1 (ko) * 2005-09-21 2007-04-27 삼성전자주식회사 펌핑 전압을 재충전하는 플래쉬 메모리 장치 및 그 펌핑전압 재충전 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712533B1 (ko) * 2005-09-21 2007-04-27 삼성전자주식회사 펌핑 전압을 재충전하는 플래쉬 메모리 장치 및 그 펌핑전압 재충전 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960030231A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 구동회로
KR890007296A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR930018850A (ko) 출력 버퍼장치
JPS5828679B2 (ja) 半導体記憶装置の書込み回路
KR940017212A (ko) 전력 트랜지스터에 대한 제어 전극 디스에이블 회로
KR910019050A (ko) 반도체 기억장치
KR880008336A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR910010850A (ko) Mos형 파우워 트랜지스터에서의 전류 검출회로
KR910010861A (ko) 스위칭 장치
KR960038967A (ko) 반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로
KR960009401A (ko) 비교기 회로
KR930020432A (ko) 데이터 영구보존 메모리의 전원 제어회로
KR900003901A (ko) 프로그램 가능한 반도체 메모리 회로
KR980005000A (ko) 반도체 메모리 장치
KR930020978A (ko) 전원 스위치 회로
KR930017037A (ko) 비휘발성 반도체 기억장치
KR920003770A (ko) 전원제어회로와 이것을 사용한 전자기기
KR920009033A (ko) 제어 전압이 증가함에 따라 출력이 감소하는 구분(區分)적 전류원
KR100486354B1 (ko) 모터구동집적회로의출력단회로
KR930004801Y1 (ko) 병렬 전원의 자동 절체회로
KR920004064Y1 (ko) 전자식 전원 스위치 회로
KR940022558A (ko) 가변전원을 공급하는 워드라인 드라이버회로를 가지는 반도체메모리장치
KR950008531Y1 (ko) 아날로그 신호의 선택 스위칭회로
KR970051089A (ko) 저 소비전류 기준전압 발생회로
KR920702576A (ko) 출력 버퍼 회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination