KR930015227A - 반도체 레이저 - Google Patents

Abstract

반도체 레이저에 관한 것으로, 제1도전형 기판(10)의 상면에 Al_yGa₁-_yAs하부 클래드층(11)가, n-Al_xGa₁-As활성층과(12)과, 제2도전형 Al_yGa₁-_yAs상부 클래드층 (13)과, 제2도전형 Al_yGa₁-_yAs 산화 방지층(14)과, 제1도전형 GaAs전류 제한층(15)을 순차적으로 형성하고, 상기 전류 제한층(15) 및 채널 (16)에 제2도전형 상부 클래드층(17) 및 제2도전형 GaAs 접촉층(18)을 연속적으로 형성하며, 상기 제1도전형 기판(10) 및 제2도전형 GaAs 접촉층(18)에 금속전극(19)(20)을 각각 형성하되, 상기_x,y,z값은_x〈z〈y,x+0.3〈_y으로 하여, 제2도전형 Al_yGa₁-_yAs상부 클래드층(13)의 상면에 Al의 조성비가 그 클래드층(13)보다 낮은 제2도전형 Al_zGa₁-_zAs산화 방지층(14)이 형성되도록 함으로써 Al의 산화 현상의 방지로 반도체 레이저의 동작 수명을 연장시키도록 한 것이다.

Description

반도체 레이저

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제6도는 본 발명에 의한 반도체 레이저의 구조도,

제7도 내지 제9도는 본 발명에 의한 반도체 레이저의 제조공정을 순차적으로 보인 공정도로서, 제7도는 1차 결정성장 공정도. 제8도는 채널 형성 공정도, 제9도는 2차 결정성장 구조도.

Claims (4)

1. 제1도전형 기판(10)의 상면에 Al_yGa₁-_yAs하부 클래드층(11)과, n-Al_xGa₁-_yAs 활성층(12)과, 제2도전형 Al_yGa₁-_yAs 상부 클래드층(13)과, 제2도전형 Al_yGa₁-_yAs 산화 방지층(14)과, 제1도전형 GaAs 전류 제한층(15)을 순차적으로 형성하고, 상기 전류 제한층(15) 및 채널(16)에 제2도전형 상부 클래드층(17) 및 제2도전형 GaAs 접촉층(18)을 연속적으로 형성하며, 상기 제1도전형 기판(10) 및 제2도전형 GaAs 접촉층(18)에 금속전극(19)(20)을 각각 형성하며 구성함을 특징으로 하는 반도체 레이저.
2. 제1항에 있어서, 상기_x,y,z값은_{x 〈 z 〈 y,x}+0.3〈_y인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 n형, 제2도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
4. 제1항에 있어서, 상기 n-Al_xGa₁-_xAs 활성층(12)은 GRIN-SCH, 또는 MQW의 구조를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.