KR930014902A - Ito 막의 형성방법 - Google Patents
Ito 막의 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930014902A KR930014902A KR1019910024659A KR910024659A KR930014902A KR 930014902 A KR930014902 A KR 930014902A KR 1019910024659 A KR1019910024659 A KR 1019910024659A KR 910024659 A KR910024659 A KR 910024659A KR 930014902 A KR930014902 A KR 930014902A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ito film
- film
- formation method
- sputtering
- anode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
스퍼트링 장치를 사용하여 산화물 타게트로 유리기판에 ITO 막을 형성하는 막에 있어서, 상기 스프터링 장치내의 캐소드 및 애노드에 마이너스(-) 바이어스를 인가한 상태에서 스퍼터링을 실시하여 산소 음이온(O2)의 충격에 기인한 저급 절연성 산화물의 형성을 억제함으로써 성막의 전기 전도도가 높고 광투과 율이 우수한 막질형성을 실현한 ITO 막의 형성방법.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명의 실시예를 설명하기 위해 보인 바이어스 스퍼터링 장치의 단면도이다.
Claims (3)
- 스퍼트링 장치를 사용하여 산화물 타게트로 유리기판에 ITO 막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 스프터링 장치내의 캐소드 및 애노드에 마이너스(-) 바이어스를 인가한 상태에서 스퍼터링을 실시하는 ITO 막의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화물 타게트는 In2O2-SnO2계 산화물인 것을 특징으로 하는 ITO 막의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 애노드에는 -60~100V, 상기 캐소드에는 -0.5~-1.5kV의 DC 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 ITO 막의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024659A KR930014902A (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito 막의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024659A KR930014902A (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito 막의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014902A true KR930014902A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67345792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024659A KR930014902A (ko) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ito 막의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930014902A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494677B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2005-11-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의제조방법 |
-
1991
- 1991-12-27 KR KR1019910024659A patent/KR930014902A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494677B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2005-11-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU1327810A3 (ru) | Электролюминесцентна структура | |
| DE69520126T2 (de) | Elektronen emittierende Einrichtung und Herstellungsverfahren | |
| SU855782A1 (ru) | Эмиттер электронов | |
| US10510921B2 (en) | Graphene display | |
| DE69320960D1 (de) | Thermisch stabile elektrodenstruktur mit niedrigem widerstand für elektrolumineszente vorrichtungen | |
| KR930014902A (ko) | Ito 막의 형성방법 | |
| KR850004344A (ko) | 음극선관의 내장저항기 | |
| ES2143986T3 (es) | Transistor supraconductor con efecto de campo y procedimiento de una estructura multicapa tal como la utilizada en el transistor. | |
| KR100293822B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자 | |
| KR950012782A (ko) | 박막 전계발광소자 | |
| KR970030102A (ko) | 교류형 플라즈마 표시소자 | |
| JPS5510827A (en) | Rectifier | |
| JPS6461061A (en) | A-si thin film transistor | |
| KR970030086A (ko) | 다이아몬드 절연층을 갖는 ac pdp | |
| JPS5470785A (en) | Driving circuit for thin film el element | |
| KR900015575A (ko) | 박막 전장 발광표시판 | |
| JPS55125077A (en) | Optical switching element | |
| JPS57195216A (en) | Electronic optical lens | |
| JPH02213089A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の構造 | |
| KR930022433A (ko) | 컬러 플라즈마 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| JPS5476085A (en) | Driver for thin film el element | |
| KR930014752A (ko) | 형광 표시관 | |
| KR950010704A (ko) | 전계 발광 소자 | |
| JPS6459325A (en) | Active device | |
| JPS57212744A (en) | Gas electric-discharge panel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |