KR100494677B1 - 액정표시소자의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기절연막과 ITO막을 투과하는 광의 투과율을 종래보다 더욱 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유기절연막 상부에 화소전극이 형성된 구조를 가지는 액정 표시 소자에서 상기 화소전극은 ITO막으로, 1.5 내지 2.0KW의 DC 스퍼터링 파워에서 900 내지 1,300Å의 두께로 형성한다. 또한, 상기 화소전극은 ITO막으로 5 내지 10 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성한다. 바람직하게, 상기 화소전극은 ITO막으로, 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서, 1,200Å의 두께로, 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성한다. 또한, 상기 유기절연막은 아크릴 수지막 또는 BCB막으로 형성하되, 아크릴 수지막을 사용하는 경우에는 약 2.5 내지 3.5㎛의 두께로 형성하고, BCB막을 사용하는 경우에는 약 2.0 내지 3.0㎛의 두께로 형성한다.

Description

액정 표시 소자의 제조방법{Method of manufacturing liquid crystal display device}
본 발명은 액정 표시 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 향상된 투과율을 가지는 액정 표시 소자의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 소자의 용량이 증가함에 따라 배터리의 효율이 점점 둔화되고 있는데, 이러한 배터리 효율의 저하를 해결하기 위한 방법으로 액정 패널의 투과도를 향상시키는 방법이 있다. 이러한 액정 패널의 투과도를 향상시키기 위하여, 액정 패널의 개구율을 향상시키거나, 고투과 편광판의 개발 및 고투과 칼라필터 등을 사용한다.
도 1은 상기한 바와 같이, 액정 패널의 개구율을 향상시키기 위하여, 화소전극을 게이트 라인 및 데이터 라인과 이격됨이 없이 오버랩되도록 형성한 액정 표시 소자를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유리기판과 같은 투명한 절연기판(미도시) 상에 게이트 라인(20)과 데이터 라인(70)이 매트릭스 형태로 형성되고, 게이트 라인(20)과 데이터 라인(70)이 교차하는 부분에 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(70)에 연결된 박막 트랜지스터(200)가 배열된다. 화소전극(90)이 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(70)에 의해 형성된 공간에, 유기절연막(미도시)의 개재하에, 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(70)과 소정부분 오버랩됨과 더불어 박막 트랜지스터(200)와 연결되어 배열된다. 또한, 스토리지 캐패시터의 하부전극인 스토리지 전극(20-1)이 게이트 라인(20)과 나란하게 배열되고, 그의 상부전극인 도전막 패턴(70c)이 스토리지 전극(20-1) 상에 형성된다. 여기서, 화소전극(90)은 박막 트랜지스터(200)의 소오스(70b)와 콘택(C1)됨과 더불어 도전막 패턴(20a)과 콘택(C2)된다.
여기서, 화소전극(90)이 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(70)과 오버랩됨으로 인하여, 화소전극(90)과 게이트 라인(20) 및 화소전극(90)과 데이터 라인(70) 사이에서 소정의 기생 캐패시터가 발생된다. 따라서, 이러한 기생 캐패시터를 배제하기 위하여, 상기 유기절연막으로서 저유전율(ε=2 내지 4)을 가지는 아크릴(acryl) 수지나 BCB와 같은 유기절연막을 사용한다.
그러나, 층간절연막으로서 사용되는 유기절연막 상에, 화소전극으로서 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)막을 형성하는 경우, ITO막의 형성조건에 따라 광의 투과율이 영향을 받게 된다. 예컨대, 종래에는 ITO막을 3.8KW의 전력과, 2SCCM의 O2 개스하에서, 400Å의 두께로 유기절연막 상에 형성하였는데, 이때 유기절연막과 ITO 막을 투과하는 광의 투과율은, 광파장이 550㎚ 인 경우 80% 이하로 나타났다.
따라서, 본 발명은 유기절연막 상에 ITO 막을 형성하는 경우, ITO막을 최적의 증착조건에서 형성하여, 유기절연막과 ITO막을 투과하는 광의 투과율을 종래보다 더욱 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기절연막 상부에 화소전극이 형성된 구조를 가지는 액정 표시 소자에서 상기 화소전극은 ITO막으로, 1.5 내지 2.0KW의 DC 스퍼터링 파워에서 900 내지 1,300Å의 두께로 형성한다. 또한, 상기 화소전극은 ITO막으로 5 내지 10 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성한다.
바람직하게, 상기 화소전극은 ITO막으로, 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서, 1,200Å의 두께로, 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성한다.
또한, 상기 유기절연막은 아크릴 수지막 또는 BCB막으로 형성하되, 아크릴 수지막을 사용하는 경우에는 약 2.5 내지 3.5㎛의 두께로 형성하고, BCB막을 사용하는 경우에는 약 2.0 내지 3.0㎛의 두께로 형성한다.
상기한 본 발명에 의하면, 유기절연막 상에 ITO막을 형성하는 경우, 최적의 증착 두께 및 증착 파워와 최적의 O2 유량을 이용하여 ITO막을 형성함으로써, 유기절연막 및 ITO막을 투과하는 광의 투과율을 종래보다 높은 80% 이상으로 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도로서, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유리기판과 같은 투명한 절연기판(10) 상에 게이트 물질막을 증착하고 패터닝하여, 게이트 라인(20) 및 게이트 라인에서 연장된 게이트(20a)와 스토리지 전극(20-1; 도 1 참조)을 형성한다. 그런 다음, 기판 전면에 게이트 절연막(30), 비정질 실리콘막을 형성하고, 게이트(20a)에 대응하는 비정질 실리콘막 상에 소정의 형태로 패터닝된 에치 스톱퍼(50)를 형성한 후, 기판 전면에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 형성한다. 그런 다음, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막 및 비정질 실리콘막을 패터닝하여, 게이트(20a)에 대응하는 게이트 절연막(30) 상에 채널로서 작용하는 반도체층(40)을 형성함과 더불어, 반도체층(40) 상에 오믹층(60)을 형성한다.
그리고 나서, 기판 전면에 소오스/드레인용 금속막을 증착한 후 패터닝하여, 에치 스톱퍼(50)의 상면을 노출시키면서 오믹층(60)과 콘택하는 소오스/드레인(70a, 70b)을 형성함과 동시에, 스토리지 전극(20-1)에 대응하는 게이트 절연막(30) 상에 도전막 패턴(70c; 도 1 참조)을 형성한다. 그런 다음, 기판 전면에 유기절연막(80)을 형성한 후, 소오스(70b) 및 도전막 패턴(70c)이 노출되도록 유기절연막(80)을 식각하여 콘택홀을 형성한다. 여기서, 유기절연막(80)은 아크릴 수지막 또는 BCB(bis- benzocyclobutene)막을 스핀 코팅 방식으로 도포한 후, 열처리를 진행하여 형성한다. 그 후, 상기 콘택홀에 매립되도록 유기절연막(80) 상에 ITO막을 증착하고 패터닝하여, 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(70; 도 1 참조)과 소정 부분 오버랩되는 화소전극(90)을 형성한다.
이때, 유기절연막(80) 상에 형성되는 ITO막은 증착 조건에 따라, 광의 투과율에 영향을 미치게 된다. 따라서, 본 발명에서는 최상의 투과율을 갖도록 최적의 증착조건에서 ITO막을 형성하였다.
먼저, 유기절연막(80)으로서 아크릴 수지막을 사용하는 경우, 아크릴 수지막은 약 2.5 내지 3.5㎛의 두께로 형성하고, 아크릴 수지막 상에 형성되는 ITO막은 1.5 내지 2.0KW의 DC 스퍼터링 파워와, 5 내지 10 SCCM의 O2 유량에서, 약 900 내지 1,300Å의 두께로 형성한다. 즉, 도 3 내지 도 5는 아크릴 수지막 상에 ITO막을 증착한 경우, 광파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서, 도 3은 ITO막의 증착파워와 증착 두께에 따른 투과율을 나타내고, 도 4는 증착 파워에 따른 투과율을 나타내며, 도 5는 증착시 사용되는 O2 유량에 따른 투과율을 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 아크릴 수지막 상에 1.8KW의 RF 전력에서 1,200Å의 두께로 ITO막을 증착한 경우와 3.7KW의 DC 스퍼터링 파워에서 1,200Å의 두께로 ITO 막을 증착한 경우, 550㎚의 광파장에서 투과율이 약 85% 이상이 되었다. 또한, 아크릴 수지막 상에 ITO막의 증착시 최적의 DC 스퍼터링 파워를 살펴보면, 도 4에 도시된 바와 같이, 550㎚의 광파장에서 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서 ITO막을 증착한 경우가 3.7KW의 DC 스퍼터링 파워에서 ITO막을 증착한 경우보다 투과율이 더 높게 나타난다. 한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 ITO막을 증착한 경우, 550㎚의 광파장에서 투과율은 약 80% 이상으로 나타난다. 따라서, 아크릴 수지막 상에 ITO막을 증착하는 경우, ITO막을 1,200Å의 두께로, 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서 5SCCM의 O2 유량을 이용하여 증착하는 것이 바람직하다.
또한, 유기절연막(80)으로서 BCB막을 사용하는 경우, BCB는 2.0 내지 3.0㎛의 두께로 형성하고, BCB막 상에 형성되는 ITO막은 1.5 내지 2.0KW의 DC 스퍼터링 파워와, 5 내지 10 SCCM의 O2 유량에서, 약 900 내지 1,300Å의 두께로 형성한다. 즉, 도 6 내지 도 8은 BCB막 상에 ITO막을 증착한 경우, 광파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서, 도 6은 ITO막의 증착 파워와 증착 두께에 따른 투과율을 나타내고, 도 7는 증착 파워에 따른 투과율을 나타내며, 도 8은 증착시 사용되는 O2 유량에 따른 투과율을 나타낸다.
도 6에 도시된 바와 같이, BCB막 상에 1.8KW의 RF 전력에서 1,200Å의 두께로 ITO막을 증착한 경우와 3.7KW의 DC 스퍼터링 파워 1,200Å의 두께로 ITO 막을 증착한 경우, 550㎚의 광파장에서 투과율이 약 85% 이상이 되었다. 또한, BCB막 상에 ITO막의 증착시 최적의 DC 스퍼터링 파워를 살펴보면, 도 7에 도시된 바와 같이, 550㎚의 광파장에서 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서 ITO막을 증착한 경우가 3.7KW의 DC 스퍼터링 파워에서 ITO막을 증착한 경우보다 투과율이 더 높게 나타난다. 한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 ITO막을 증착한 경우, 550㎚의 광파장에서 투과율은 약 80% 이상으로 나타난다. 따라서, BCB막 상에 ITO막을 증착하는 경우, ITO막을 1,200Å의 두께로, 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 증착하는 것이 바람직하다.
상기한 본 발명에 의하면, 유기절연막 상에 ITO막을 형성하는 경우, 최적의 증착 두께 및 증착 파워와 최적의 O2 유량을 이용하여 ITO막을 형성함으로써, 유기절연막 및 ITO막을 투과하는 광의 투과율을 종래보다 높은 80% 이상으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
도 1은 게이트 라인 및 데이터 라인과 화소전극이 오버랩된 구조를 갖는 액정 표시 소자의 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 소자의 제조방법을 설명하기 위하여, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 따른 단면을 나타낸 도면.
도 3 내지 도 5는 아크릴 수지막 상에 ITO막을 증착한 경우, 광파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서,
도 3은 ITO막의 증착워와 증착 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프,
도 4는 증착 파워에 따른 투과율을 나타낸 그래프,
도 5는 증착시 사용되는 O2 유량에 따른 투과율을 나타낸 그래프.
도 6 내지 도 8은 BCB막 상에 ITO막을 증착한 경우, 광파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서,
도 6은 ITO막의 증착파워와 증착 두께에 따른 투과율을 나타낸 그래프,
도 7은 증착 파워에 따른 투과율을 나타낸 그래프,
도 8은 증착시 사용되는 O2 유량에 따른 투과율을 나타낸 그래프.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 : 절연기판 20 : 게이트 라인
20-1 : 스토리지 전극 20a : 게이트
30 : 게이트 절연막 40 : 반도체층
50 : 에치스톱퍼 60 : 오믹층
70 : 데이터 라인 70a, 70b : 소오스/드레인
70c : 도전막 패턴 80 : 유기절연막
90 : 화소전극 200 : 박막 트랜지스터

Claims (7)

  1. 유기절연막 상부에 화소전극이 형성된 구조를 가지는 액정 표시 소자의 제조방법에 있어서,
    상기 화소전극은 ITO막으로, 1.5 내지 2.0KW의 DC 스퍼터링 파워에서 900 내지 1,300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 ITO막으로 5 내지 10 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  3. 유기절연막 상부에 화소전극이 형성된 구조를 가지는 액정표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 화소전극은 ITO막으로, 1.8KW의 DC 스퍼터링 파워에서, 1,200Å의 두께로, 5 SCCM의 O2 유량을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유기절연막은 아크릴 수지막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 아크릴 수지막은 약 2.5 내지 3.5㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유기절연막은 BCB막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 BCB막은 약 2.0 내지 3.0㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660811B1 (ko) * 1999-12-31 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치용 배선 형성방법
KR100850585B1 (ko) * 2002-04-11 2008-08-05 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930014902A (ko) * 1991-12-27 1993-07-23 한형수 Ito 막의 형성방법
JPH06120176A (ja) * 1992-06-30 1994-04-28 Ashida:Kk エッチング方法と装置
KR950033622A (ko) * 1994-03-25 1995-12-26 쯔지 하루오 액정표시장치 및 그의 제조방법
JPH08211309A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Asahi Optical Co Ltd 内視鏡装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930014902A (ko) * 1991-12-27 1993-07-23 한형수 Ito 막의 형성방법
JPH06120176A (ja) * 1992-06-30 1994-04-28 Ashida:Kk エッチング方法と装置
KR950033622A (ko) * 1994-03-25 1995-12-26 쯔지 하루오 액정표시장치 및 그의 제조방법
JPH08211309A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Asahi Optical Co Ltd 内視鏡装置

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