KR950033622A - 액정표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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쯔지 하루오
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Abstract

대향하는 두 기판과 상기 두 기판들간에 기재된 액정재료를 포함하고, 상기 두 기판들중 하나는, 다른 기판에 대향하는 그의 일면상에, 매트릭스상태로 배열된 복수의 화소전극 및 상기 복수의 화소전극에 각각 접속된 복수의 2단자 비선형소자를 갖는 액정표시장치가 기술된다. 이 액정표시장치는 스퍼터링 타겟으로 TaN 소결체를 사용하고 스퍼터링 가스로 Kr의 원자량과 적어도 같은 원자량을 갖는 0족 원소의 불활성가스를 사용하는 스퍼터링에 의해 Ta를 퇴적하여 상기 기판들중 하나의 표면에 각 2단자 비선형소자의 하부전극으로 사용되는 Ta 박막을 형성하는 공정; 상기 Ta 박막상에 절연층을 형성하는 공정; 및 상기 절연층상에 상기 2단자 비선형 소자의 상부전극으로 사용되는 금속박막을 형성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 제조된다.

Description

액정표시장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 MIM 소자를 포함하는 LCD 장치의 1화소 영역과 부근에 대한 평면도, 제2도는 제1도에 나타낸 LCD 장치의 하부 기판에 대한 A-A′선 단면도, 제3A도는 인-라인 스퍼터링의 개략 정면도, 제3B도는 회전 스퍼터링의 개략 평면도, 제4도는 제1도에 나타낸 LCD 장치의 단면도.

Claims (20)

  1. 대향하는 두 기판; 상기 두 기판들간에 기재된 액정재료; 상기 두 기판들중 하나에 위치되고, 그 각각이, Ta로 형성되는 하부전극, 상기 하부전극의 일면을 양극산화하여 형성된 절연층 및 상기 절연층상에 위치된 금속박막으로 형성되는 상부전극을 포함하는 복수의 2단자 비선형소자; 및 상기 복수의 2단자 비선형소자에 각각 접속된, 매트릭스상태로 배치된 복수의 화소전극을 포함하며 상기 하부전극의 비저항의 편차가 ±5%내이고, 그의 표준편차가 각 2단자 비선형소자에 있어서 최대 0.1인 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은, Ta에 질소를 함유하는 TaN 소결체를 사용하고 스퍼터링 가스로 Kr의 원자량과 적어도 같은 원자량을 갖는 0족 원소의 불활성 가스를 사용하는 스퍼터링에 의해 형성되는 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 TaN 소결체는 3 내지 7몰%의 비율로 질소를 함유하고, 상기 스퍼터링 가스는 30 내지 300 SCCN의 유량을 갖는 액정표시장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 TaN 소결체는 5.0 내지 11.5W/cm3의 입력전력밀도로 공급되는 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 직선반송방식 스퍼터링 장치와 회전반송방식 스퍼터링 장치중 하나를 사용하여 복수의 하부전극의 연속형성의 일부로서 형성되는 액정표시장치.
  6. 대향하는 두 기판과 상기 두 기판들간에 기재된 액정재료를 포함하고, 상기 두 기판들중 하나는, 다른 기판에 대향하는 그의 일면상에, 매트릭스상태로 배열된 복수의 화소전극 및 상기 복수의 화소전극에 각각 접속된 복수의 2단자 비선형소자를 갖는 액정표시장치의 제조방법으로서, 상기 방법은, 스퍼터링 타겟으로 TaN 소결체를 사용하고 스퍼터링 가스로 Kr의 원자량과 적어도 같은 원자량을 갖는 0족 원소의 불활성가스를 사용하는 스퍼터링에 의해 Ta를 퇴적하여 상기 기판들중 하나의 표면에 각 2단자 비선형소자의 하부전극으로 사용되는 Ta 박막을 형성하는 공정; 상기 Ta 박막상에 절연층을 형성하는 공정; 및 상기 절연층상에 상기 2단자 비선형소자의 상부전극으로 사용되는 금속박막을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 질소는 3 내지 7몰%의 비율로 TaN 소결체를 함유되고, 상기 스퍼터링 가스는 30 내지 300 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 5.0 내지 11.5W/cm3의 입력전력밀도가 상기 TaN 소결체에 인가되는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 하부전극, 절연층 및 상부전극을 포함하는 2단자 비선형소자의 제조방법으로서, 상기 방법은, 하부전극으로 사용되는 Ta 박막을 형성하기 위해 스퍼터링 타켓으로 TaN 소결체를 사용하고 스퍼터링 가스로 Kr의 원자량과 적어도 같은 원자량을 갖는 0족 원소의 불활성가스를 사용하는 스퍼터링에 의해 Ta를 퇴적시키는 공정; 상기 절연층을 형성하기 위해 Ta 박막의 일면을 양극산화시키는 공정; 및 상기 절연층상에 상부전극으로 사용되는 금속박막을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 질소가 3 내지 7몰%의 비율로 TaN 소결체에 함유되고, 스퍼터링 가스는 30 내지 300 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 5.0 내지 11.5W/cm3의 입력전력밀도가 상기 TaN 소결체에 인가되는 액정표시장치의 제조방법.
  12. 스퍼터링 타겟으로 TaN 소결체를 사용하고 스퍼터링 가스로 Kr의 원자량과 적어도 같은 원자량을 갖는 0족 원소의 불활성가스를 사용하는 스퍼터링에 의해 Ta를 퇴적하여 상기 기판들중 하나의 표면에 각 2단자 비선형소자의 하부전극으로 사용되는 Ta 박막을 형성하는 공정; 상기 Ta 박막상에 절연층을 형성하는 공정;및 상기 절연층상에 상기 2단자 비선형소자의 상부전극으로 사용되는 금속박막을 형성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 대향하는 두 기판과 상기 두 기판들간에 개재된 액정재료를 포함하고, 상기 두 기판들 중 하나는, 다른 기판에 대향하는 그 일면상에, 매트릭스상태로 배열된 복수의 화소전극 및 상기 복수의 화소전극에 각각 접속된 복수의 2단자 비선형소자를 갖는 액정표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 질소가 3 내지 7몰%의 비율로 TaN 소결체에 함유되고, 스퍼터링 가스는 30 내지 300 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 5.0 내지 11.5W/cm3의 입력전력밀도가 상기 TaN 소결체에 인가되는 액정표시장치.
  15. 제2항에 있어서, 상기 TaN 소결체는 4 내지 5몰%의 비율로 질소를 함유하고, 상기 스퍼터링가스는 100 내지 200 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치.
  16. 제2항에 있어서, 상기 TaN 소결체는 7.0 내지 10.0W/cm3의 입력전력밀도로 공급되는 액정표시장치.
  17. 제6항에 있어서, 질소가 4 내지 5몰%의 비율로 TaN 소결체에 함유되고, 스퍼터링 가스는 100 내지 200 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제6항에 있어서, 7.0 내지 10.0W/cm3의 입력전력밀도가 상기 TaN 소결체에 인가되는 액정표시장치의 제조방법.
  19. 제9항에 있어서, 질소가 4 내지 5몰%의 비율로 TaN 소결체에 함유되고, 스퍼터링 가스는 100 내지 200 SCCM의 유량으로 도입되는 액정표시장치의 제조방법.
  20. 제9항에 있어서, 7.0 내지 10.0W/cm3의 입력전력밀도가 상기 TaN 소결체에 인가되는 액정표시장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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