Claims (9)
훼브리케이션이 완료된 실리콘 칩을 리이드 프레임으로 이송하는 단계와 와이어를 전극 패드와 안쪽 리이드에 접속시키는 와이어 본딩 공정과 절연체로 칩 및 와이어를 도포하여 주는 도포 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.Manufacturing a semiconductor device comprising the steps of transferring a silicon chip completed with fabrication to a lead frame, a wire bonding process for connecting the wire to the electrode pad and the inner lead, and an application process for applying the chip and the wire with an insulator Way.
제1항에 있어서, 와이어 본딩 공정은 칩 전극과 리이드 프레임의 안쪽 리이드와 열－음파, 초음파, 열압착방법 중의 하나로 접합 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the wire bonding step is bonded to one of the chip electrodes, the inner lead of the lead frame, and one of thermo-acoustic, ultrasonic, and thermocompression bonding methods.
제1항에 있어서, 와이어 본딩 공정이 완료된 후 절연체를 스프레이방식으로 와이어 및 칩 접합면 그리고 안쪽 리이드 접합면을 도포하여 주는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein after the wire bonding process is completed, the insulator is sprayed to apply a wire and chip bonding surface and an inner lead bonding surface.
제1항에 있어서, 도포공정이 완료된 후 절연체를 큐어(cure)하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the insulator is cured after the coating step is completed.
제3항에 있어서, 절연체를 스프레이 방식으로 도포할 때 마스크가 설치되고 도포하려고 하는 부분만 도포될수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein when applying the insulator by a spray method, only a portion of the mask to be installed and to be applied can be applied.
제3항에 있어서, 절연체의 도포 두께는 100㎛이하로 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the coating thickness of the insulator is formed to be 100 µm or less.
훼브리케이션이 완료된 실리콘 칩을 리이드 프레임으로 이송한 후, 와이어를 전극 패드와 안쪽 리이드에 접속시켜 본딩을 하고 절연체로 칩 및 와이어를 도포하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising: transferring a silicon chip after fabrication to a lead frame, connecting the wire to an electrode pad and an inner lead for bonding, and then applying the chip and the wire to an insulator.
제7항에 있어서, 상기한 와이어로는 Au, Al, Cu중의 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.8. The semiconductor device according to claim 7, wherein said wire comprises one of Au, Al, and Cu.
제7항에 있어서, 상기한 절연체는 폴리 우레판 수지, 폴리 에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 에스테르 아미드 수지 중의 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the insulator is made of one of polyurethane resin, polyester resin, polyimide resin, and ester amide resin.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.