KR930009244A - 기준 전압 발생 회로 - Google Patents

기준 전압 발생 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930009244A
KR930009244A KR1019910017712A KR910017712A KR930009244A KR 930009244 A KR930009244 A KR 930009244A KR 1019910017712 A KR1019910017712 A KR 1019910017712A KR 910017712 A KR910017712 A KR 910017712A KR 930009244 A KR930009244 A KR 930009244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
reference voltage
inverter
gate
voltage generator
Prior art date
Application number
KR1019910017712A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940010836B1 (ko
Inventor
김영희
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정몽헌, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 정몽헌
Priority to KR1019910017712A priority Critical patent/KR940010836B1/ko
Publication of KR930009244A publication Critical patent/KR930009244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940010836B1 publication Critical patent/KR940010836B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

본 발명은 기준(reference) 전압 발생 회로에 관한 것으로서, 전원선과 접지선의 노이즈에 의한 영향을 줄이고 준비 상태 전류를 제거하기 위한 DRAM의 프리차지(precharge)를 하기 위해 열 어드레스 스트로브(row adress strobe)가 로우에서 하이로 천이할 때 일정한 폭을 갖는 시간동안 스위치를 온시켜 기준 전압을 공급하여 준비 상태 전원을 소모하지 못하도록 하는 기준 전압 발생 회로를 제공함에 그 목적이 있다. 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 기준 전압 발생 회로에 있어서, 일정시간동안 지연된 열 어드레스 스트로브의 반전신호가 인가되는 딜레이 체인(5), 상기 딜레이 체인(5)과 연결되며 일정시간동안 지연된 열 어드레스 스트로브의 반전신호가 인가되는 앤드 게이트(6), 상기 앤드 게이트(6)에 연결된 인버터(7), 상기 인버터(7)에 연결되어 스위칭 작용을 하는 제1트랜지스터(8), 상기 앤드 게이트(6)와 인버터(7) 및 상기 제3트랜지스터(10)에 연결되어 스위칭 작용을 하는 제4트랜지스터(11)로 구성한다.

Description

기준 전압 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예를 나타내는 상세 구성도
제4도는 상기 제3도의 타이밍도

Claims (1)

  1. 기준 전압 발생 회로에 있어서, 일정시간동안 지연된 열 어드레스 스트로브의 반전신호가 인가되는 딜레이 체인(5), 상기 딜레이 체인(5)과 연결되며 일정시간동안 지연된 열 어드레스 스트로브의 반전신호가 인가되는 앤드 게이트(6), 상기 앤드 게이트(6)에 연결된 인버터(7), 상기 인버터(7)에 연결되어 스위칭 작용을 하는 제1트랜지스터(8), 상기 제1트랜지스터(8)에 연결된 제2트랜지스터(9), 상기 제2트랜지스터(9)에 연결된 제3트랜지스터(10), 상기 앤드 게이트(6)와 인버터(7) 및 상기 제3트랜지스터(10)에 연결되어 스위칭 작용을 하는 제4트랜지스터(11)로 구성됨을 특징으로 하는 기준 전압 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910017712A 1991-10-09 1991-10-09 기준 전압 발생 회로 KR940010836B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910017712A KR940010836B1 (ko) 1991-10-09 1991-10-09 기준 전압 발생 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910017712A KR940010836B1 (ko) 1991-10-09 1991-10-09 기준 전압 발생 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930009244A true KR930009244A (ko) 1993-05-22
KR940010836B1 KR940010836B1 (ko) 1994-11-17

Family

ID=19320979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910017712A KR940010836B1 (ko) 1991-10-09 1991-10-09 기준 전압 발생 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940010836B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010836B1 (ko) 1994-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950030161A (ko) 반도체 기억장치
KR920010625A (ko) 반도체 집적회로 및 반도체 기억장치
KR860008561A (ko) 부우스터(booster)회로
KR920011039A (ko) 스위칭 정전류원회로
KR910019050A (ko) 반도체 기억장치
KR860004380A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970076814A (ko) 어드레스 트랜지션 검출 회로를 갖는 펄스 발생 회로
KR890007430A (ko) 반도체 장치의 출력회로
KR930009244A (ko) 기준 전압 발생 회로
KR930003150A (ko) 데이터 보유 모드에서의 리프레시 단축회로를 갖춘 반도체 메모리 장치
KR960025706A (ko) 전력소모를 절감하기 위한 직류전압 발생회로
KR920018754A (ko) 반도체 메모리 회로
KR960025707A (ko) 반도체메모리소자의 활성싸이클에서 사용되는 승압회로
KR960043523A (ko) 클램프기능을 가지는 데이타 출력버퍼
KR950022114A (ko) 프리차지 전압 발생회로
KR970007378A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원 전압 검출 회로
KR950022103A (ko) 전압 온 리세트회로
KR970017589A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로
KR980004960A (ko) 누설 전류를 줄이는 기능을 갖는 디램
KR960025765A (ko) 전압 검출 회로
KR970063257A (ko) 안정된 비트라인 프리차지용 전압 발생기
KR940010508A (ko) 반도체 메모리의 기준전압 발생기
KR940017149A (ko) 분할배치된 매스터 로오 클럭 발생회로
KR970003935A (ko) 논리 및 레벨 변환 회로 및 반도체 장치
KR920015728A (ko) 전압레벨검출회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041018

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee