KR930009120A - 트윈 수직 구조 박막트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR930009120A
KR930009120A KR1019910018575A KR910018575A KR930009120A KR 930009120 A KR930009120 A KR 930009120A KR 1019910018575 A KR1019910018575 A KR 1019910018575A KR 910018575 A KR910018575 A KR 910018575A KR 930009120 A KR930009120 A KR 930009120A
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KR
South Korea
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forming
thin film
film transistor
vertical structure
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Application number
KR1019910018575A
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English (en)
Inventor
허창우
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 글라스 상의 양쪽에 드레인 전극을 형성하는 공정과, 상기 공정이후 n+Si : H층을 연속 증착하고 중심부에 포토레지스트를 형성하는 공정과, 상기 공정이후 a-Si : H층을 수직방향으로 되도록 테이프 식각하고 n+aSi : H층과 소오스 전극을 형성하는 공정과, 상기 소오스 전극에 SiNiH층을 증착하고 게이트 전극을 형성하는 공정을 통하여 채널길이의 최소화에 따른 콘덕턴스의 증가, 저항감소, 전류 구동능력증가, 속도개선효과각 얻어지는 트윈 수직구조 박막트랜지스터를 얻을 수 있다.

Description

트윈 수직 구조 박막트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)-(바)는 본 발명의 제조공정 설명도.
제3도는 본 발명의 수직 단면 구조도.

Claims (2)

  1. 글라스(11)상에 분리되게 드레인 전극(12′)을 형성하는 공정과, 상기 드레인 전극이 형성한 기판상에 n+a-Si : H층(14)을 연속 증착하고 중심부에 포토레지스트(15)를 입력 후 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트(15)를 이용하여 a-Si : H층을 테이퍼 식각한 후 n+asl : H층(16)과 소오스 전극(17′)을 형성하는 공정과; 상기 소오스 전극(17′)상에 SiNiH층(19)을 증착하고 게이트 전극(20′)을 패터닝하고 공정을 포함하는 트윈 수직구조 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 글라스(11)상에 양쪽에 드레인 전극(12′)이 형성되고, 드레인 전극의 일부분과 글라스 중심부에 n+aSi : H층과 측면부가 테이퍼진 a-Si : H층이 형성되고, 상기 a-Si : H층과 소오스 전극(17′)이 순차 형성되고, 상기 테이퍼진 a-Si : H부분과 드레인전극 소오스전극상에 a-SiNiH층(19)과의 드레인전극(20′)이 형성된 것을 특징으로 하는 트윈 수직 구조의 박막 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910018575A 1991-10-22 1991-10-22 트윈 수직 구조 박막트랜지스터 및 그 제조방법 KR930009120A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508545B1 (ko) * 2002-12-14 2005-08-17 한국전자통신연구원 수직 구조의 반도체 박막 트랜지스터

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KR100508545B1 (ko) * 2002-12-14 2005-08-17 한국전자통신연구원 수직 구조의 반도체 박막 트랜지스터

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