KR930005129A - 드라이-에칭 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

드라이-에칭 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 드라이-에칭 방법으로 SF6가스에 첨가된 Xe의 비율과 W의 에칭률 사이의 관계를 설명하는 다이어그램,
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 드라이-에칭 방법으로 SF6가스에 첨가된 Xe의 비율과 W의 W/레지스트 에칭 선택성 사이의 관계를 설명하는 다이어그램,
제3도는 드라이-에칭 방법에서 이온으로부터 에칭되는 고체물질의 표면으로의 에너지 전송효율과 고체물질의 원자에 이온의 질량 비율 사이의 관게를 설명하는 다이어그램,
제4도는 드라이-에칭 방법에서 입사이온이 He+, Ne+, Ar+, Kr+그리고 Xe+일때, 고체물질의 원자의 원자량과 그것의 에너지 전송효율 사이의 관계를 설명하는 다이어그램,
제5도는 본 발명의 다른 실시예의 드라이-에칭 방법으로 SF6가스에 첨가된 Xe의 비율과 Si을 위한 에칭률 사이의 관계를 설명하는 다이어그램,
제6도는 제5도의 실시예의 드라이-에칭 방법으로 SF6가스에 첨가된 Xe의 비율과 Si/레지스트 에칭 선택성 사이의 관게를 설명하는 다이어그램,
제7도는 본 발명의 실시예의 방법으로 SiO2와 Si가 He 이온원의 F·CF2래디컬 소오스를 구비한 에징 장치를 사용하여 에징될 때 He+이온의 에너지와, SiO2와 Si를 위한 에칭률 사이의 관계를 설명하는 다이어그램,
제8도는 본 발명의 실시예에 따라 구조된 드라이-에칭 장치의 다이어그램.

Claims (20)

  1. 드라이 에칭을 실행하는 드라이 에칭 장치 내에서 에칭되는 물질과 에칭되지 않는 물질을 구비한 몸체의 지지와; 드라이 에칭을 위한 반응가스의 공급과, 드라이 에칭 동안 가열을 위해 상기 반응가스에 첨가 입자의 첨가와; 상기 반응가스의 상기 첨가입자의 플라즈마의 형성과; 상기 첨가 입자의 이온으로부터 에칭되는 상기 물질로의 에너지 전송이 에칭되지 않는 물질로의 이온의 에너지 전송보다 큰 상기 플라즈마로 몸체의 에칭과 가열을 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 첨가입자는 에칭되는 상기 물질이 60보다 큰 원자량을 가질 때 60보다 큰 원자량을 갖는 물질의 원자이고, 상기 반응가스는 플루오르를 함유한 가스인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에칭되는 물질은 탄탈륨, 텅스텐, 납 또는 지르코늄인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 첨점가입자는 Kr또는 Xe의 구성 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 첨가입자의 상기 이온은 상기반응가스에 관계하여 10에서 50%의 양으로 첨가된 Kr 또는 Xe인 가스로부터 획득되는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  6. 제1항에 있서, 상기 에칭되는 물질은 60보다 큰 원자량을 갖고, 상기 첨가 입자는 60보다 큰 원자량의 원자이고, 상기 반응가스는 플루오르를 함유하고 그리고 상기 에칭되지 않는 물질은 레지스트인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 첨가입자의 상기 원자는 Kr 또는 Xe인 가스로부터이고, 상기 가스는 상기 반응가스에 관계하여 10에서 50%범위에서 첨가되고, 상기 에칭되는 물질은 Ta. W, Pb또는 Zr이고, 상기 반으가스는 SF인것을 특징으로 하는 드라이 에칭 방법.
  8. 제1항에 있어서, 제1과 제2물질의 과열점 온도의 조정과 조정에 따른 RF 전원공급기로 몸체에 바이어스 전위의 적용으로 상기 제2물질의 것보다 크도록 상기 제1물질의 과열점 온도 제어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  9. 제1항에 있어서, 바이어스 전위는 몸체의 가열을 증가하기 위해 상기 첨가입자의 입사를 증대하도록 상기 몸체에 관계하여 적용되는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 에칭되는 물질은 Si이고, 상기 에칭되지 않는 물질은 레지스트와 첨가 요소의 혼합물이고, 상기 요소는 He, Li, Be 또는 B인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  11. 드라이 에칭장치 내에 에칭되는 제1물질과 에칭되지 않는 제2물질을 구비한 몸체를 제공하는 것과; 장치 내에 반응가스와 첨가가스를 공급한 것과; 상기 반응가스와 첨가가스의 플라즈마를 형성하는 것과; 그것의 입사이온으로부터 상기 제1물질의 상기 원자로의 전송효율이 상기 제2물질의 상기 원자로의 것보다 큰 에너지 전송효율을 갖도록 상기 첨가 가스를 선택하는 것과; 그리고 상기 몸체를 상기 플라즈마로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1물질은 Ta, W, Pb또는 Zr이고, 상기 제2물질은 레지스트이고, 상기 첨가 가스는 10에서 50%의 범위의 양으로 첨가된 Kr 또는 Xe인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  13. 제11항에 있어서, 바이어스 전위는 상기 제2물질의 것보다 크도록 제1물질의 에칭동안 과열점 온도를 증가하도록 상기 몸체에 인가되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제1물질은 Si이고, 상기 제2물질은 레지스트와 첨가 요소의 혼합물이고, 상기 첨가 요소는 He, Li, Be 또는 B인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  15. 제11항에 있어서, 바이어스 전위는 상기 몸체에 인가되고, 상기 바이어스 전위의 크기는 상기 제1물질/제2물질 에칭 선택성을 증대하도록 상기 제1과 제2물질의 과열점 온도의 감지로 제어되는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제1물질은 SiO2이고, 상기 제2물질은 Si이고, 상기 첨가가스는 He이고, 그리고 상기 반응가스는 CF4인 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  17. 제16항에 있어서, 바이어스 전위는 상기 제1물질/제2물질 에칭률 선택성을 증대하도록 상기 재2물질에 관계하여 상기 제1물질의 과열점 온도를 중대하기 위해 상기 몸체에 인가되는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  18. 에칭범위를 구비한 진공챔버와; 상기 에칭범위에서 에칭되는 제1물질과 에칭되지 않는 제2물질을 구비한 몸체를 지지하는 수단과; 상기 진공챔버로 반응가스를 주입하기 위한 제1수단과; 상기 제1물질을 상기 제2물질보다 더 가열하기 위해 상기 진공챔버로 첨가가스를 주입하기 위한 제2수단과; 상기 반응가스로 재1가스 플라즈마를 발생하기 위한 제1수단과; 상기 첨가가스로 제2가스 플라즈마를 발생하기 위한 제2수단과; 그리고 상기 몸체를 에칭하기 위해 상기 에칭 범위내로 상기 제1과 제2플라즈마를 주입하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.
  19. 제18항에 있어서, RF전원공급기로부터 상기 몸체로 바이어스 전위를 공급하기 위한 수단과, 상기 제1과 제2물질의 과열점 온도를 측정하기 위한 수단과, 그리고 측정된 상기 과열점 온도에 따라 RF 전원공급기를 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1과 제2가스 플라즈마를 창출하기 위한 제1과 제2수단에서 마이크로 웨이브 플라즈마를 발생하기 위한 전자석을 더 포함하고, 상기 과열점 온도 측정수단은 비행 측정시스템과 4극자 질량 구분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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