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반도체 장치의 제조방법Manufacturing Method of Semiconductor Device
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제2도는 본 발명에 의한 반도체기판 표면세정방법을 나타낸 흐름도.2 is a flow chart showing a semiconductor substrate surface cleaning method according to the present invention.
Claims (4)
반도체 제조공정중의 습식식각공정에 있어서, 습식식각후에 반도체 기판을 오존이 함유된 순수로 린스처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.A wet etching step in a semiconductor manufacturing process, wherein the semiconductor substrate is rinsed with pure water containing ozone after wet etching.제1항에 있어서, 상기 습식식각공정은 HF 또는 BOE를 사용하여 산화막을 식각하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the wet etching process is a process of etching an oxide layer using HF or BOE.제1항에 있어서, 상기 오존이 함유된 순수는 오존을 순수내로 버블링 주입하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the ozone-containing pure water is manufactured by bubbling and injecting ozone into the pure water.제1항에 있어서, 상기 오존이 함유된 순수에 의한 최종린스처리는 상기 오존이 함유된 순수를 가열하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the final rinse treatment with pure water containing ozone is used by heating the pure water containing ozone.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019910011921A1991-07-121991-07-12
Manufacturing Method of Semiconductor Device
KR930003275A
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