KR930001433A - 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법 - Google Patents

표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법 Download PDF

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KR930001433A
KR930001433A KR1019910010016A KR910010016A KR930001433A KR 930001433 A KR930001433 A KR 930001433A KR 1019910010016 A KR1019910010016 A KR 1019910010016A KR 910010016 A KR910010016 A KR 910010016A KR 930001433 A KR930001433 A KR 930001433A
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박영진
전하응
우상호
이석희
김종철
이승석
천희곤
박헌섭
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정몽헌
현대전자산업 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/84—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation being a rough surface, e.g. using hemispherical grains

Abstract

내용 없음

Description

표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 공지된 기술로 실리콘층을 증착한 것을 SEM 장비로 촬영한 사진.
제2도는 제1도의 실리콘층을 본 발명에 의해 열처리한 상태를 SEM 장비로 촬영한 사진.
제3a도는 내지 제3c도는 실리콘층을 본 발명에 의해 열처리하되 열처리 시간을 다르게한 상태를 SEM 장비로 촬영한 사진.
제4도는 LPCVD의 증착반응기의 석영관과 석영관 내부에 장착되는 웨이퍼 위치를 도시한 도면.
제4a도는 내지 제4f도는 석영관내의 장착된 웨이퍼 상부에 예정된 온도에서 실리콘층을 증착한 후, 각각의 웨이퍼 상부의 실리콘층을 SEM 장비로 촬영한 사진.
제5a도는 내지 제5e도는 제4a도 내지 제4f도의 증착된 실리콘층을 본 발명의 열처리 공정을 거친후 SEM 장비로 촬영한 사진.

Claims (2)

  1. DRAM셀의 캐패시터 제조방법에 있어서, 전하저장 전극용 실리콘층을 LPCVD 방법으로 비정질 실리콘에서 다결정 실리콘으로 천이되는 온도보다 낮은 온도에서 예정된 두께 증착한 다음, 반응시 튜브내에 불활성 기체를 채우고, 압력은 수십~수백mtorr,온도는 600℃ 이상의 조건에서 예정된 시간동안 상기 증착된 실리콘층을 열처리하여, 그로인하여 실리콘층 표면이 반구형상을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 증착된 실리콘층을 열처리하는 예정된 시간을 1~12시간인 것을 특징으로 하는 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910010016A 1991-06-15 1991-06-15 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법 KR930012117B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238205B1 (ko) * 1996-10-05 2000-01-15 윤종용 HSG-Si 이 표면에 형성되어 있는 다결정 실리콘막의 제조방법
KR101010924B1 (ko) * 2008-07-01 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 형상개구를 이용한 집속 이온빔 가공장치와 이를 이용한가공방법

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KR100238205B1 (ko) * 1996-10-05 2000-01-15 윤종용 HSG-Si 이 표면에 형성되어 있는 다결정 실리콘막의 제조방법
KR101010924B1 (ko) * 2008-07-01 2011-01-25 연세대학교 산학협력단 형상개구를 이용한 집속 이온빔 가공장치와 이를 이용한가공방법

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