KR920701520A - 전기접점 재료와 그 제조방법 및 이를 이용한 전기접점 - Google Patents

전기접점 재료와 그 제조방법 및 이를 이용한 전기접점

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KR920701520A
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Abstract

내용 없음

Description

전기접점 재료와 그 제조방법 및 이를 이용한 전기접점
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법을 이온 원조 증발법에 의해 실행되는 장치 구성의 한 실시예를 도시한 설명 다이어그램, 제2도는 본 발명의 방법을 이온 충격법에 의해 실행하는 장치 구성의 한 실시예를 도시한 설명 다이어그램, 제3도는 영구 전기 접점의 실험에 사용된 회로의 설명 다이어그램.

Claims (26)

  1. 주성분으로서 IVa, Va 및 VIa족의 전이 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택된 적어도 하나의 원소를 갖는 피복층이 0.03내지 100㎛두께로 전기 접점으로서 기층에 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  2. 기층 중앙에서, 전기 접점의 0.03내지 100㎛두께의 피복층을 최외층이며 주성분으로서 IVa, Va및 VIa족의 전이 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택된 적어도 하나의 원소를 가지며 0.1두께이상의 중간츠은 ABX(A는 IVa, Va 또는 VIa족의 전이 원소, B는 카본, 니트로겐, 보론, 실리콘 또는 알루미늄)의 조성물 갖고 기층 축부의 성분 조성 X=0이고 카본 및 니트로젠이 X=1, 보론 및 실리콘의 경우는 X=2, 알루미늄의 경우 X=3이며 전기 접점의 피복층 축부에 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  3. 연질 금속을 포함하는 중간층은 0.01㎛이상의 두께로 기층에 피복되어 있고 그 상부에는 주성분으로서 IVa,Va,VIa족의 전기 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점의 피복층이 0.03내지 100㎛두께로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  4. 제3항에 있어서, 주성분으로서 Ag,Al,Au,Co,Cu,Fe,Mg,Ni,Pd,Pt,Sr,Cr 및 IVa와 Va족 전이 금속에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 연질 금속이 중간층에 사용된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  5. 제4항에 있어서, 중간층 형성용 전이 금속으로서, 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 또는 알루미나이드를 포함하는 동질의 전기 금속이 그 상부에 형성되어 사용되는 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  6. 제1항 내지 제5항에 있어서, 전기 접점이 피복층으로서 IVa, Va 및 VIa족 전이 금속이 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 두개 이상의 재료층이 피복된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  7. 주성분으로서 IVa,Va및 VIa족 전이 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 0.03 내지 100㎛두께의 중간층이 전기 접점으로서 기층상에 제공되고, 그 위에 연질 금속으로된 0.01㎛이상의 두께의 표면층이 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  8. 제7항에 있어서, 주성분으로서, Ag,Al,Au,Co,Cu,Fe,Mg,Ni,Pd,Pt,So,Cr 및 IVa와 Va족 전이 금속에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 연질 금속이 표면층으로서 사용된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 중간층으로서, IVa, Va 및 VIa족 전이 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 두개 이상의 재료가 피복된 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  10. 제1항 내지 제9항에 있어서, IVa족 전이 금속이 주성분으로서 Ti,Zr 및 Hf에서 선택된 적어도 하나의 원소를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  11. 제1항 내지 제9항에 있어서, Va족 전이 금속은 주성분으로서, V,Nb 및 Ta에서 선택된 적어도 하나의 원소를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  12. 제1항 내지 제9항에 있어서, VIa족 전이 금속은 주성분으로서, Cr,Mo및 W에서 선택된 적어도 하나의 원소를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 접점 재료.
  13. 제1항 내지 제12항에 따른 전기 접점 재료의 제조 방법에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va및 VIa족 전이금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층이 0.03내지 100㎛의 두께로 플래즈마 CVD에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 주성분으로서 적어도 IVa,Va 및 VIa족 전이 금속의 니트라이드에서 선택한 원소를 갖는 전기 접점으로서 플래즈마 CVD에 의해 피복층을 형성할때 이온 또는 전자로 표면을 세척한 후 운반 가스로서 수소를 사용하는 경우 양자(N2가스와 클로라이드 가스)의 유량 비율이 7이하가 되도록 원료 가수로서 IVa,Va 또는 VIa족의 전이 금속의 N2가스 및 클로라이드 가스를 대기압하에서 유동시키면서 기층을 300 내지 900℃로 가열하여 총압 0.1 내지 10토르에서 플래즈마 CVD를 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항 내지 제12항에 따른 전기 접점 재료 제조 방법에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족 전이금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층을 스퍼터링에 의해 0.03 내지 100㎛로 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 주성분으로서 적어도 IVa,Va 및 VIa족 전이 금속의 니트라이드에서 선택한 원소를 갖는 전기 접점으로서 스퍼터링에 의해 피복층을 형성할때 이온 또는 전자로 표면을 세척한 후, 반응기내의 가스로서 Ar 및 N2가스를 이들 양자(N2가스/(Ar+N2)가스)의 유량 비율이 0.1 이상이 되도록 대기압하에서 유동시키면서 기층을 300 내지 900℃로 가열하여 총압 1내지 50토르에서 스퍼터링을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제1항 내지 제12항에 따른 전기 접점 재료의 제조 방법에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족 전이금속이 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층을 이온 원조 증발법에 의해 0.03 내지 100㎛두께로 형성된 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족 전이 금속의 니트라이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층 형성시, 표면을 이온이나 전자로 세척한후, N2가스/(Ar+N2)가스의 이온간에 공급하는 가스압〉0.1이도록 대기압하에서 기층을 300 내지 900℃로 가열하면서 단위 시간당 기층의 단위 면적인 N/전이 금속〉2에 달하도록 전이 금속 원자에 대한 N원자에 비율을 갖고 총압 10-3내지 10-6토르에서 이온 원조 증발법을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1항 내지 제12항에 따른 전기 접점 재료의 제조방법에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족 전이금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층이 두께 0.03 내지 100㎛ 이온 도금법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족 전이 금속의 니트라이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층 형성시, 표면을 이온이나 전자로 세척한후, N2가스/(Ar+N2)가스의 이온전에 공급하는 가스압〉0.1이도록 대기압에서 기층을 300 내지 900℃로 가열하면서 단위 시간당 기층의 면적인 N/전이 금속〉2에 달하도록 전이 금속 원자에 대한 N원자에 비율을 갖고 총압 10-2내지 10-5토르에서 이온도금법을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제1항 내지 제12항에 따른 전기 접점 재료의 제조 방법에 있어서, 주성분으로서, IVa,Va 및 VIa족 전이금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 전기 접점으로서의 피복층이 레이저 비임 스퍼터링법에 의해 0.03내지 100㎛두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 주성분으로서 VIa,Va 및 VIa족 전이 금속의 카바이드, 니트라이드, 보라이드, 실리사이드 및 알루미나이드화물에서 선택한 적어도 하나의 원소를 갖는 접점으로서의 피복층을 형성할때 표면을 이온이나 전자로 세척한 후 대기압 유동 Ar및 N2가스하에 반응기내에서 양기스(N2가스/(Ar+N2)가스)의 유량비가 0.1이상이 되도록 기층을 300내지 900℃로 가열하면서 레이저 비임 스퍼터링법을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 한쌍의 접점 A 및 B로 구성되는 전기 접점이, 기층상에 주성분으로서 IVa, Va, VIa족 전이 금속의 니트라이드, 카바이드, 실리사이드, 디보라이드 및 알루미나이드화물중 적어도 하나의 원소를 갖는 접점의 피막을 300Å내지 100㎛두께로 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 접점.
  24. 한쌍의 접점으로 구성되는 전기 접점에서, 한 접점 A는 기층상에 주성분으로서 IVa,Va 및 VIa족의 전이금속의 니트라이드, 카바이드, 실리사이드, 디보라이드 및 알루미나이드중 적어도 하나를 갖는 접점 피막을 형성하여 구성되고, 다른 접점 B는 기층상에 접점 A와는 다른 질의 재료률 갖는 접점 피막을 형성하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 접점.
  25. 제24항에 있어서, 접점 B로서, 주성분으로 접점 A를 구성하는 것과는 다른 질의 재료로 된 IVa,Va 및 VIa족 전이 금속의 니트라이드, 카바이드, 실리사이드, 디보라이드 및 알루미나이드중 적어도 하나의 원소를 갖는 접점의 단일 또는 다중층 피막이 300Å내지 100㎛두께로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점.
  26. 제24항에 있어서, 접점 B로서, 접점 피막은 접점 A를 구성하는 것과는 다른 질의 재료로된 백금족 금속 또는 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 접점.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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