KR920020265A - 양성 포토레지스트 조성물 - Google Patents

양성 포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR920020265A
KR920020265A KR1019920006163A KR920006163A KR920020265A KR 920020265 A KR920020265 A KR 920020265A KR 1019920006163 A KR1019920006163 A KR 1019920006163A KR 920006163 A KR920006163 A KR 920006163A KR 920020265 A KR920020265 A KR 920020265A
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acyloxy
alkoxy
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KR1019920006163A
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가쯔야 우에니시
야쓰마사 가와베
타다요시 코구보
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원본 미기재
후지샤신 필름 가부시끼가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
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    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/23—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing hydroxy or O-metal groups
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    • C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
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    • C07C49/82—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring containing hydroxy groups
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Abstract

내용 없음

Description

양성 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 알카리 가용성 노볼락 수지 및 일반식(I), (II), (III)으로 표시된 적어도 1개의 감광물을 포함함을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
    여기에서 R1~R13는 동일 또는 상이할 수도 있으며, 이들 각각은 -H, -OH, 치환 또는 비치환 알킬기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 아랄킬기, 치환 또는 비치환 알콕시기, 치환 또는 비치환 아릴록시기, 치환 또는 아랄킬록시기, 치환 또는 비치환 아실기, 치환 또는 비치환 아실록시기, 할로겐, 니트로기, 시아노기,
    를 표시하고,
    여기에서치환기의 수는 적어도
    2이상 9이하이고, R9~R13 중 적어도 하나는 알콕시기, 아릴록시기, 아랄킬록시기, 아실기, 아실록시기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기로 구성된 기에서 선택된 치환기이고; R14와 R15는 각각 치환 또는 비치환 알킬기, 치환 또는 비치환 아릴기 또는 치환이나 비치환 아랄킬기를 표시하며 ;
    여기에서 R16, R17은 동일 또는 상이하며 각각은 -OH,
    를 표시하며;
    R18~R22는 동일 또는 상이하며 각각은 -H, -OH, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 아랄킬기, 치환 또는 비치환 알콕시기, 치환 또는 비치환 아릴록시기, 치환 또는 비치환 아랄킬록시기, 치환 또는 비치환 아실기, 치환 또는 비치환 아실록시기, 할로겐, 니트로기, 시아노기,
    를 표시하며;
    R23~R26은 각각 치환 또는 비치환 알킬기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 아랄킬기, 치환 또는 비치환 알콕시기, 또는 치환이나 비치환 아실록시기를 표시하고, 단,
    치환기의 수는 적어도 2이상 6이하이고, R18~R22중 적어도 하나는 알콕시기, 아릴록시기, 아랄킬록시기, 아실기, 아실록시기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기로된 기로부터 선택된 치환기이며;
    여기에서 R27, R28은 동일 또는 상이할 수도 있으며 각각은 -OH,
    을 표시하고;
    R28, R33은 동일 또는 상이할 수도 있으며 각각은 -H, -OH, 치환 또는 비치환 알킬기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 아릴킬기, 치환 또는 비치환 알콕시기, 치환 또는 비치환 아릴록시기, 치환 또는 비치환 아랄킬록시기, 치환 또는 비치환 아실기, 치환 또는 비치환 아실록시기, 할로겐, 니트로기, 시아노기,
    를 표시하고;
    R34~R39는 동일 또는 상이할 수도 있고, 각각은 -H, -OH, 치환이나 비치환 알킬기, 치환 또는 비치환 아릴기, 치환 또는 비치환 아랄킬기, 치환 또는 비치환 알콕시기, 치환 또는 비치환 아릴록시기,
    를 표시하며;
    단,치환기의 수는 적어도
    2이상 7이하이고, R34~R39중 적어도 4개는 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기 및 아실록시로된 기에서 선택된 치환기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 감광물은 노볼락수지의 100 중량부를 기준으로 5~100 중량부의 량으로 존재함을 특징으로 하는 양성 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기의 감광물은 노볼락수지의 100 중량부를 기준으로 10~50 중량부의 량으로 존재함을 특징으로 하는 양성 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920006163A 1991-04-26 1992-04-14 양성 포토레지스트 조성물 KR920020265A (ko)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5362599A (en) * 1991-11-14 1994-11-08 International Business Machines Corporations Fast diazoquinone positive resists comprising mixed esters of 4-sulfonate and 5-sulfonate compounds
WO1993018438A1 (en) * 1992-03-06 1993-09-16 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist composition
US5384228A (en) * 1992-04-14 1995-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Alkali-developable positive-working photosensitive resin composition
JPH06301203A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH07199455A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
JP3365874B2 (ja) * 1994-10-05 2003-01-14 富士写真フイルム株式会社 キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
US5612164A (en) * 1995-02-09 1997-03-18 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist composition comprising a mixed ester of trishydroxyphenyl ethane and a mixed ester of trihydroxybenzophenone
JP3444562B2 (ja) * 1995-03-28 2003-09-08 東京応化工業株式会社 レジスト溶液の調製方法
US5672459A (en) * 1995-03-31 1997-09-30 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation sensitive resin composition containing quinone diazide ester having two hindered phenol groups
US5514515A (en) * 1995-05-24 1996-05-07 Shipley Company, L.L.C. Photoactive compounds having a heterocyclic group used in photoresist compositions
US5618932A (en) * 1995-05-24 1997-04-08 Shipley Company, L.L.C. Photoactive compounds and compositions
US5821345A (en) * 1996-03-12 1998-10-13 Shipley Company, L.L.C. Thermodynamically stable photoactive compound
JP3076523B2 (ja) * 1996-03-25 2000-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
US5919597A (en) * 1997-10-30 1999-07-06 Ibm Corporation Of Armonk Methods for preparing photoresist compositions
US7563556B2 (en) * 2006-11-17 2009-07-21 Kodak Graphic Communications Gmbh Multilayer element with low pH developer solubility
MX2009013354A (es) * 2007-06-04 2010-07-06 Univ Ben Gurion Compuestos de triarilo y composiciones que los contienen.
CA2928725A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 Esther Priel Compounds for the treatment of diabetes and disease complications arising from same
CN109456230A (zh) * 2018-11-14 2019-03-12 大晶信息化学品（徐州）有限公司 一种光敏剂的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH621416A5 (ko) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
JPH0654384B2 (ja) * 1985-08-09 1994-07-20 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JPH0654388B2 (ja) * 1986-05-02 1994-07-20 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JP2552891B2 (ja) * 1988-01-26 1996-11-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
CA1337626C (en) * 1988-07-07 1995-11-28 Haruyoshi Osaki Radiation-sensitive positive resist composition
JP2571136B2 (ja) * 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
KR0184870B1 (ko) * 1990-02-20 1999-04-01 아사구라 다기오 감방사선성 수지 조성물

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EP0510672A1 (en) 1992-10-28
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US5290658A (en) 1994-03-01

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