KR920018825A - 노광 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

노광 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920018825A
KR920018825A KR1019920005188A KR920005188A KR920018825A KR 920018825 A KR920018825 A KR 920018825A KR 1019920005188 A KR1019920005188 A KR 1019920005188A KR 920005188 A KR920005188 A KR 920005188A KR 920018825 A KR920018825 A KR 920018825A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
phase
light
resist layer
solution
Prior art date
Application number
KR1019920005188A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960001141B1 (ko
Inventor
쯔요시 시바따
고지 하시모또
가쯔히꼬 히에다
Original Assignee
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이찌, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이찌
Publication of KR920018825A publication Critical patent/KR920018825A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960001141B1 publication Critical patent/KR960001141B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

노광 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도는 레벤슨형 위상 편이 마스크의 종단면도.
제3B도는 광이 회절되지 않은 것으로 간주되는 경우에 제3A도에 도시된 마스크를 통해 전달되는 조사 광의 진폭 분포를 도시한 도면.
제3C도는 제3A도에 도시된 차광 층에 의해 광이 회절된 후의 조사 광의 진폭 분포를 도시한 도면.
제3D도는 그 진폭이 제3C도에 도시되어 있는 조사 광의 세기 분포를 도시한 도면.
제3E도는 제3A도에 도시된 노광 마스크를 통해 전달되는 조사광에 장치가 조사된 후 반도체장치상에 형성된 공간 및 라인부를 도시한 도면.
제4A도는 자기 정합형 위상 편이 마스크의 종 단면도.
제4B도는 광이 회절되지 않은 것으로 간주되는경우에 제4A도에 도시된 마스크를 통해 전달되는 조사 광의 진폭 분포를 도시한 도면.
제4C도는 광이 제4A도에 도시된 이상기에 의해 광합적으로 회절된 후의 조사 광의 진폭 분포를 도시한 도면.
제4D도는 제4C도에 진폭이 도시된 조사 광의 세기 분포를 도시한 도면.
제4E도는 제4A도에 도시된 노광 마스크를 통해 전달되는 조사 광에 장치가 조사된 후 반도체 장치 상에 형성된 공간 및 라인 부를 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 기판과 이상기 사이의 개구 양쪽을 통해 전달되는 조사 광의 위상과 비교하여 기판을 통해 전달되는 조사 광의 위상을 반파장 만큼 편이시키기 위해 조사 광을 전달하는 기판 및 이 기판 상에 규정된 간격으로 배열된 이상기를 설치한 노광 마스크를 제조하기 위한 방법에 있어서, 이상기 재료가 용해되어 있는 용액을 준비하는 단계, 선정된 간격으로 기판 상에 이상기 재료가 피착되는 것을 방지하는 레지스트 층을 배열하는 단계, 레지스트 층을 갖는 기판을 이상기 재료가 용해되어 있는 용액에 담그는 단계, 용액으로부터 이상기 재료를 피착하여 기판상의 레지스트 층 사이에 선정된 두께로 이상기를 형성하는 단계, 용액으로 부터 이상기를 갖는 기판을 제거하는 단계 및 개구를 형성하기 위해 기판으로부터 레지스트 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 이상기의 재료가 이상화 규소(SiO2)인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 기판에서 이상기로 전달되는 조사 광의 위상이 기판으로 부터 위상 편이기 사이의 개구로 전달되는 조사 광의 위상과 비교하여 반파장 만큼 편이되는 노광 마스크를 제조하기 위한 방법에 있어서, 기판을 통해 전달되는 조사 광을 치광하는 막을 규정된 간격으로 기판 상에 배열하는 단계, 이상기의 재료가 용해되어 있는 용액을 준비하는 단계, 기판 상의 차광 막 사이에 위상 편이기 재료가 피착하는 것을 방지하는 레지스트 층을 배열하는 단계, 차광 막과 레지스트 층을 갖는 기판을 이상기 재료가 용해되어 있는 용액 내에 담그는 단계, 차광 막 상의 레지스트 층 사이에 용액으로부터 이상기 재료를 피착하여 이상기를 선정된 두께를 형성하는 단계, 이상기를 갖는 기판을 용액으로부터 제거하는 단계, 개구를 형성하기 위해 레지스트 층을 기판으로부터 제거하는 단계 및 레지스트 층의 연부로부터, 이상기가 차광 막 상에 돌출하여 있는 일정 폭의 띠를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 레지스트 층의 양쪽 연부를 등방성 습식 식각에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 기판으로부터 이상기로 전달되는 조사 광의 위상이 기판으로부터 이상기 사이의 개구로 전달되는 조사 광의 위상과 비교하여 반 파장만큼 편이되는 노광 마스크를 제조하기 위한 방법에 있어서, 기판을 통해 전달되는 광을 차광하는 차광 막을 규정된 간격으로 기판 상에 배열하는 단계, 이상기 재료가 용해되어 있는 용액을 준비하는 단계, 특정 용액을 준비하는 단계, 기판 상에 특정 용액에 의해 제거될 수 있는 레지스트 층을 배열하는 단계, 기판으로부터 레지스트 층으로 전달되는 특정 광에 레지스트 층을 부족하게 조사하는 단계, 특정 용액에 의해 제거될 수 없고, 이상기 재료가 부착되지 않는 조사된 레지스트 층을 레지스트 층의 내부에 차광 막으로부터 일정 간격 떨어져 형성하는 단계, 특정 용액을 이용하여 조사된 레지스트 층을 제외한 레지스트 층을 제거하는 단계, 차광 막과 조사된 레지스트 층을 갖는 기판을 이상기 재료가 용해되어 있는 용액에 담그는 단계, 이 용액으로부터 이상기 재료를 피착하여 차광 막 상의 위상편이기와 조사된 레지스트 층 사이에 기판을 규정된 두께로 형성하는 단계, 용액으로부터 이상기를 갖는 기판을 제거하는 단계 및 개구를 형성하기 위해 기판으로부터 레지스트 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 기판으로부터 위상 편이기로 전달되는 조사 광의 위상이 기판으로부터 이상기 사이의 개구로 전달되는 조사 광의 위상과 비교하여 반 파장 만큼 편이되는 노광 마스크를 제조하기 위한 방법에 있어서, 기판을 통해 전달되는 조사광을 차단하는 차광막을 기판의 제1부분 상에 규정된 간격으로 배열하는 단계, 이상기가 용해되어 있는 용액을 준비하는 단계, 특정 용액을 준비하는 단계, 이 특정 용액에 의해 제거될 수 있는 제1레지스트 층을 기판의 제1부분 상에 배열하는 단계, 차광막이 배열되어 있지 않은 기판의 제2부분 상에 일정 간격으로 이 특정 용액에 의해 제거될 수 있는 제2레지스트 층을 배열하는 단계, 제1레지스트 층과 제2레지스트 층을 갖는 기판을 이상기 재료가 용해되어 있는 용액에 담그는 단계, 용액으로부터 기판상의 제2레지스트 층 사이에 규정된 두께로 이상기 재료를 피착하여 이상기를 형성하는 단계, 용액으로부터 이상기를 갖는 기판을 제거하는 단계 및 개구를 형성하기 위해 제1레지스트 층 및 제2레지스트 층을 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1회절된 조사광과 제2회절된 조사 광의 위상과 비교하여 반파장 만큼 편이된 제2회절된 조사 광 과의 광학적 간섭에 의해 조사 광의 세기의 일부를 감소시키고, 조사 광의 높고 낮은 세기에 의해 선택적으로 배열된 간섭된 조사 광을 출력하기 위한 노광 마스크에 있어서, 조사 광을 전달하기 위해 규정된 굴절률을 갖는 기판 및 기판을 통해 전달되는 조사 광의 위상을 편이시키기 위해 재료가 용해되어 있는 용액으로부터 기판 상에 규정된 간격으로 일정 두께로 규정된 굴절률을 갖는 재료를 피착하여 형성한 이상기를 포함하고, (1)제1회절된 조사 광 기판 및 이상기 사이의 개구 모두를 통해 전달되고, (2)제2회절된 조사 광은 기판 및 이상기 모두를 통해 전달되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
  8. 제1회절된 조사 광과 제1회절된 조사 광의 위상과 비교하여 반파장 만큼 편이된 제2회절된 조사 광 과의 광학적 간섭에 의해 조사 광의 세기의 일부를 감소시키고, 조사 광의 높고 낮은 세기에 의해 선택적으로 배열된 간섭과 조사 광을 출력하기 위한 노광 마스크에 있어서, 조사 광을 전달하기 위한 규정된 굴절률을 갖는 기판, 기판 상에 제1간격으로 초기에 배열되고 그 연부가 제거되어 기판을 통해 전달되는 조사광을 차단하기 위해 제1간격보다 더 큰 제2간격으로 배열된 차광 막 및 기판을 통해 전달되는 조사 광의 위상을 편이시키기 위해 재료가 용해되어 있는 용액에서 제1간격으로 배열된 차광 막 상에 규정된 간격 및 정규 두께로 규정된 굴절률을 갖는 재료를 피착하여 형성된 이상기를 포함하고, 제1회절된 조사 광이 기판 및 이상기들 사이의 개구 양 쪽을 통해 전달되며, 제2회절된 조사 광은 기판 및 이상기 양쪽을 통해 전달되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
  9. 제1회절된 조사 광과 제1회절된 조사 광의 위상과 비교하여 반파장 만큼 편이된 제2회절된 조사 광 과의 광학적 간섭에 의해 조사 광의 세기의 일부를 감소시키고, 조사 광의 높고 낮은 세기에 의해 선택적으로 배열된 간섭된 조사 광을 출력하기 위한 노광 마스크에 있어서, 조사 광을 전달하기 위해 규정된 굴절률을 갖는 기판, 기판을 통해 전달되는 조사 광을 차단하기 위해 규정된 간격으로 기판 상에 배열된 차광 막 및 기판을 통해 전달되는 조사 광의 위상을 편이하기 위해 기판으로부터 레지스트 층으로 전달되는 특정 광을 레지스트 층에 부족하게 조사하여 기판 상의 차광 막 사이에 차광 막으로부터 일정거리 떨어져 배열된 레지스트 층 내부에 형성되어 있는 조사된 레지스트 층 사이에, 재료가 용해되어 있는 용액으로부터 규정된 굴절률을 갖는 재료를 피착하여 차광 막과 기판 상에 규정된 간격 및 일정 두께로 배열하여 형성한 이상기를 포함하고, (1)조사된 레지스트 층을 제외한 레지스트 층은 위상 편이기가 조사된 레지스트 층 사이에 형성되기 전에 제거되며, (2)조사된 층은 이상기가 조사된 레지스트 층 사이에 형성된 후에 제거되고, (3)제1회절된 조사 광은 기판과 이상기 사이의 개구 양쪽을 통해 전달되며, (4)제2회절된 조사 광은 기판과 이상기 양쪽을 통해 전달되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920005188A 1991-03-29 1992-03-28 노광 마스크 및 그 제조 방법 KR960001141B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-067268 1991-03-29
JP6726891A JP3202253B2 (ja) 1991-03-29 1991-03-29 露光用マスクの製造方法及び露光用マスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018825A true KR920018825A (ko) 1992-10-22
KR960001141B1 KR960001141B1 (ko) 1996-01-19

Family

ID=13340046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920005188A KR960001141B1 (ko) 1991-03-29 1992-03-28 노광 마스크 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5468576A (ko)
JP (1) JP3202253B2 (ko)
KR (1) KR960001141B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5470681A (en) * 1993-12-23 1995-11-28 International Business Machines Corporation Phase shift mask using liquid phase oxide deposition
US7147974B2 (en) * 2003-10-14 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Methods for converting reticle configurations
US8840583B2 (en) * 2011-08-16 2014-09-23 Syringex Medical, Inc. Safety syringe
JP6001987B2 (ja) * 2012-10-05 2016-10-05 株式会社エスケーエレクトロニクス エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法及びエッジ強調型位相シフトマスク
JP6654534B2 (ja) * 2016-09-15 2020-02-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN112185814B (zh) * 2020-10-30 2022-08-02 上海华力微电子有限公司 半导体结构的刻蚀方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57196744A (en) * 1981-05-29 1982-12-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd Surface treatment of glass containing alkali metal
EP0090924B1 (en) * 1982-04-05 1987-11-11 International Business Machines Corporation Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method
DE3332995A1 (de) * 1983-07-14 1985-01-24 Nippon Sheet Glass Co. Ltd., Osaka Verfahren zum herstellen einer siliciumdioxidbeschichtung
JPS62181458A (ja) * 1986-02-06 1987-08-08 Toshiba Corp 相補型mosトランジスタ及びその製造方法
JPH02211451A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Toshiba Corp 露光マスク,露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法
US5234780A (en) * 1989-02-13 1993-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same
JPH04153652A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフター層を有するフォトマスクの製造方法
US5260162A (en) * 1990-12-17 1993-11-09 Khanna Dinesh N Photosensitizer compositions containing diazo fluorinated esters of hexafluoro-bis-phenols or bis-hexafluoroethers
US5178975A (en) * 1991-01-25 1993-01-12 International Business Machines Corporation High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns

Also Published As

Publication number Publication date
JP3202253B2 (ja) 2001-08-27
KR960001141B1 (ko) 1996-01-19
JPH04301637A (ja) 1992-10-26
US5468576A (en) 1995-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4275286A (en) Process and mask for ion beam etching of fine patterns
KR950025481A (ko) 감쇠 위상-쉬프트 마스크 구조 및 제조방법
KR930022494A (ko) 노출 마스크와 노출 마스크 기판의 제조 방법 및 노출 마스크를 기초로 한 패턴 형성방법
KR890008588A (ko) 집적 광학 소자의 제조방법
EP1415196B1 (en) Resolution enhancement for edge phase shift masks
KR920018825A (ko) 노광 마스크 및 그 제조방법
JP3002961B2 (ja) 位相反転マスク及びその製造方法
KR950025852A (ko) 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
US5455131A (en) Method for fabrication of lithography mask
KR950019943A (ko) 리소그라픽 노출 마스크 및 그의 형성 방법
KR100213250B1 (ko) 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법
US5804338A (en) Photolithography masks including phase-shifting layers and related methods and structures
KR100340865B1 (ko) 반도체 소자의 콘택 형성용 마스크 및 그 제조방법
US5858577A (en) Phase shift mask and fabrication method thereof
KR970013040A (ko) 반도체소자 제조방법
KR100429860B1 (ko) 교번형 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JPH10326008A (ja) 位相反転マスク及びその製造方法
JPH05142748A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
US5576122A (en) Phase shift mask and manufacturing method thereof
KR100215880B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
JPS5558534A (en) Manufacture of semiconductor device
KR960000182B1 (ko) 반 위상반전마스크 제조 방법
KR19990004380A (ko) 회절 격자 형성용 마스크 및 이를 이용한 회절 격자 형성방법
KR980010602A (ko) 투과율조절 마스크 및 그 제조방법
KR960006170B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061229

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee