KR920018690A - 3극 원리의 스퍼터링 시스템 및 이를 이용한 박막의 제조방법 - Google Patents

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KR920018690A
KR920018690A KR1019910005108A KR910005108A KR920018690A KR 920018690 A KR920018690 A KR 920018690A KR 1019910005108 A KR1019910005108 A KR 1019910005108A KR 910005108 A KR910005108 A KR 910005108A KR 920018690 A KR920018690 A KR 920018690A
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grid electrode
same
sputtering system
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KR1019910005108A
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Inventor
임성환
Original Assignee
황선두
삼성전기 주식회사
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내용 없음

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3극 원리의 스퍼터링 시스템 및 이를 이용한 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 의한 박막 제조시 사용되는 스퍼터링 시스템의 개략적인 구조도이며,
제 3 도는 본 발명 스퍼터링 시스템에 있어서 그리드(Grid)전극의 전압에 따른 기판가열온도의 변화를 나타내는 그래프이고,
제 4 도는 본 발명 스퍼터링 시스템에 있어서 그리드(Grid) 전극의 메쉬크기(mesh size)에 따른 막내부의 결함수를 나타내는 그래프이다.

Claims (6)

  1. 캐소드(cathode)전극과 애노드(anode)전극 사이에 망(메쉬:mesh)형태의 그리드(grid)전극을 형성시킨 것을 특징으로 하는 3극 원리의 스퍼터링 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 그리드 전극의 망크기는 1~300메쉬임을 특징으로 하는 3극 원리의 스퍼터링 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 그리드 전극의 재질은 스테인레스(stainless), Ag, Cu로 구성된 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항의 스퍼터링 장치를 이용하되, 전도성 물질의 박막 제조시에는 “-”전압을, 비전도성 물질의 막막 제조시에는“+”전압을 인가시키면서 스퍼터링을 행함을 특징으로 하는 박막의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 전도성 물질의 박막 제조시 그리드 전극에 인가되는 “-”전압의 범위는 -5~-100볼트(volt)임을 특징으로 하는 박막의 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서, 비전도성 물질의 박막 제조시 그리드 전극에 인가되는 “+”전압의 범위는 5~100볼트임을 특징으로 하는 박막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910005108A 1991-03-30 1991-03-30 3극 원리의 스퍼터링 시스템 및 이를 이용한 박막의 제조방법 KR920018690A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100822313B1 (ko) * 2006-07-07 2008-04-15 주식회사 자이맥스 고효율 대향 타겟식 스퍼터링 장치

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KR100822313B1 (ko) * 2006-07-07 2008-04-15 주식회사 자이맥스 고효율 대향 타겟식 스퍼터링 장치

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