KR920015438A - 질화막을 이용한 에피층 두께 증가방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 소자의 단면도.
Claims (1)
- 기판에 매몰층과 에피층을 형성하고 상기 에피층에 900~1000℃저온에서 500~1500Å 두께의 열적 산화막을 성장시킨 후 700~800℃온도의 LPCVP에서 1000~2000Å 두께의 질화막을 성장시킴을 특징으로 하는 질화막을 이용한 에피층 두께 증가 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000577A KR920015438A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 질화막을 이용한 에피층 두께 증가방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000577A KR920015438A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 질화막을 이용한 에피층 두께 증가방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015438A true KR920015438A (ko) | 1992-08-26 |
Family
ID=67396779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000577A KR920015438A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 질화막을 이용한 에피층 두께 증가방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015438A (ko) |
-
1991
- 1991-01-15 KR KR1019910000577A patent/KR920015438A/ko not_active Application Discontinuation
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