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본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제2도는 본 발명의 공정단면도2 is a cross-sectional view of the process of the present invention.
Claims (1)
기판위에 게이트용 산화막과 다결정규소막을 차례로 증착하고 게이트 마스크를 형성한 후 다결정규소막의 불필요한 부분을 제거하여 게이트 다결정규소막을 형성하는 단계, 저농도 소오스/드레인 이온주입을 실시한 다음 산화막을 상기 게이트 다결정규소막을 감싸고 있는 형태로 형성하는 단계, 고농도 소오스/드레인 이온주입을 실시한 다음 열처리하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 LDD구조의 트랜지스터 제조방법.Depositing a gate oxide film and a polysilicon film on a substrate in order, forming a gate mask, removing unnecessary portions of the polysilicon film to form a gate polycrystalline silicon film, performing a low concentration source / drain ion implantation, and then forming an oxide film on the gate polycrystalline silicon film. Forming the encapsulated form, the method of manufacturing a transistor having an LDD structure characterized in that it comprises a step of performing a high concentration source / drain ion implantation and then heat treatment.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.