KR920010651A - 게이트 어레이용 롬셀 - Google Patents
게이트 어레이용 롬셀 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920010651A KR920010651A KR1019900018371A KR900018371A KR920010651A KR 920010651 A KR920010651 A KR 920010651A KR 1019900018371 A KR1019900018371 A KR 1019900018371A KR 900018371 A KR900018371 A KR 900018371A KR 920010651 A KR920010651 A KR 920010651A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cell
- source
- gate array
- turned
- pmos
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 롬 셀 설계도,
제4도는 본 발명의 롬 셀 회로도,
제5도는 본 발명에 의한 SOG의 기본구조도,
제6도는 본 발명에 의한 SOG 배치도.
Claims (2)
- PMOS 셀과 NMOS 셀의 열이 교대로 설치되고 상기 PMOS 셀과 NMOS 셀들의 각 소오스측에는 소오스전압원(VDD)과 그라운드(GND)가 각각 연결되고 각 게이트측에는 워드라인이 연결되며 각 드레인측에는 비트라인이 접속되어 각 셀의 소오스가 콘택트를 이용하여 소오스전압원(VDD)에 연결되면 셀에 하이값이 저장되고 그라운드(GND)에 연결되면 셀에 로우값이 저장되도록 구성함을 특징으로 하는 게이트 어레이용 롬셀.
- 제1항에 있어서, 홀수번째 워드라인이 로우상태일 때 PMOS 셀이 턴온되고, 짝수번째 워드라인이 하이상태일 때 NMOS 셀이 턴온되며, 턴온된 각 셀의 소오스측에 인가된 소오스전압원(VDD) 또는 그라운드(GND)값은 드레인에 접속된 비트라인에 전달되도록 접속되어 구성됨을 특징으로 하는 게이트 어레이용 롬셀.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018371A KR940004405B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 게이트 어레이용 롬셀 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900018371A KR940004405B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 게이트 어레이용 롬셀 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920010651A true KR920010651A (ko) | 1992-06-27 |
| KR940004405B1 KR940004405B1 (ko) | 1994-05-25 |
Family
ID=19305999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900018371A KR940004405B1 (ko) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 게이트 어레이용 롬셀 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940004405B1 (ko) |
-
1990
- 1990-11-13 KR KR1019900018371A patent/KR940004405B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940004405B1 (ko) | 1994-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900019044A (ko) | 연상메모리 | |
| KR870011616A (ko) | 센스 앰프 | |
| KR850002670A (ko) | 마스터 슬라이스 반도체 장치 | |
| KR840003146A (ko) | 다이나믹(Dynamic) RAM 집적회로 장치 | |
| KR910003663A (ko) | 다이나믹형 반도체메모리장치 | |
| KR880004478A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR960702157A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR890012322A (ko) | 소오스 라인 선택 트랜지스터를 구비한 플로팅게이트 eerrom 메모리 | |
| KR900002558A (ko) | 출력회로 | |
| KR960030408A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR870010548A (ko) | 센스 앰프 | |
| KR940020424A (ko) | 정적 반도체 기억 장치 | |
| KR870008320A (ko) | 상이형 메모리셀로 구성되는 반도체 메모리장치 | |
| KR920022301A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970016535A (ko) | 어드레스 디코더 | |
| KR920010651A (ko) | 게이트 어레이용 롬셀 | |
| KR940008093A (ko) | 게이트 어레이 장치용 정적 랜덤 엑세스 메모리 | |
| KR930001417A (ko) | 부유(浮遊)게이트형 불휘발성 반도체 기억장치 | |
| KR970051170A (ko) | 메모리 셀 어레이 및 그를 이용한 프로그램 방법 | |
| KR880004484A (ko) | 메모리 셀회로 | |
| ATE64229T1 (de) | Integrierte schaltung eines in komplementaerer schaltungstechnik aufgebauten dynamischen halbleiterspeichers. | |
| RU98107644A (ru) | Запоминающая ячейка статического зупв | |
| KR850004876A (ko) | 이중 다결정 구조를 갖는 스태틱 메모리셀 | |
| KR920001547A (ko) | 롬셀 구조 | |
| KR970017681A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050422 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |