KR920010331A - 액정라이트밸브 - Google Patents

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KR920010331A
KR920010331A KR1019900018775A KR900018775A KR920010331A KR 920010331 A KR920010331 A KR 920010331A KR 1019900018775 A KR1019900018775 A KR 1019900018775A KR 900018775 A KR900018775 A KR 900018775A KR 920010331 A KR920010331 A KR 920010331A
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마석범
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강진구
삼성전자 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

액정라이트밸브
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 액정라이트 밸브의 개략적 단면도,
제2도는 종래 다른 액정라이트 밸브의 개략적 단면도,
제3도는 본 발명에 따른 액정라이트 밸브의 바람직한 일실시예를 보인 개략적 단면도이다.

Claims (3)

  1. 화상신호를 포함한 입력광에 의해 임피던스가 변화되는 광도전층과, 일정전위의 전압에 의해 입사된 출력광을 복굴절시키는 액정을 포함하는 복굴절수단층과, 상기 복굴절수단층과 상기 광도전층사이에 개재되는 차광층 및 유전체반사층과, 상기 복굴절수단의 구동전압을 제공하는 액정라이트밸브에 있어서, 상기 광도전층은 GaAs웨이퍼로 이루어지며 ; 상기 GaAs웨이퍼의 전면에는 기상성장법에 의해 미소다이오드용 에피택셜층으로 실리콘이 도핑된 n층을 형성하고, 선택적에칭에 의해 미소다이오드를 형성한 것을 특징으로 하는 액정라이트밸브.
  2. 제1항에 있어서, 상기 GaAs웨이퍼의 두께가 대략 수백 ㎛로 형성된 것을 특징으로 하는 액정라이트밸브.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 GaAs웨이퍼의 저항율이 수백 Ω 내지 수㏀의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 액정라이트밸브.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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