KR920001667A - 에칭율 모니터 - Google Patents

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KR920001667A
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스트룰 브루노
데 게우스 리차드
에빙 피터
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제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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Abstract

내용 없음

Description

에칭율 모니터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 회절 배열이 모이도록 렌즈 시스템이 사용된, 본 발명에 따른 에칭 챔버의 일부와 이에 관련된 에칭율 모니터를 도시한 도면,
제2도는 제1도에 도시한 반도체 웨이퍼의 에칭될 일부를 도시한 도면.

Claims (22)

  1. (a)에칭챔버내에서 정상조준 입사 광비임을 마스크 웨이퍼면에 가하는 수단; (b)웨이퍼 표면에서 회절된 광을 모으는 수단, 및 (c)챔버내에서 에칭율을 모니터링 하기위해 모여진 광의 강도가 변화하는 시간에 대해서 감응하는 수단을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 처리용 에칭율 모니터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 수단이 큰 직겨의 단 촛점길이를 가지는 집합렌즈를 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 렌즈가 프레넬 렌즈(Fresne Iens)로 구성됨을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 수단이 구형 오목유리를 포함함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 수단이 광검출기를 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 수단이 상기 광검출기에 관련된 열 교환기를 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  7. 제2항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 수단이 지바ㅎㅂ렌즈들 사이에 위치한 수단과, 조준 광비임의 파장과는 다른 파장을 갖는 거절하기 위한 검출수단을 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  8. 제1항에 있어서, 간섭광을 거절하기위한 수단이 간섭필터와 집합렌즈로부터의 광을 간섭필터로 가하기 위한 조준렌즈를 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  9. 제1항에 있어서, 광의 강도가 변하는 시간에 대해서 감응하는 숭기 수단이 강도의 최소치를 사이의 사이클 시간을 결정함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  10. 제1항에 있어서, 광의 강도가 변하는 시간에 대해서 감응하는 상기 수단이 강도의 최소치들 사이의 사이클 시간을 결정함을 틀징으로 하는 에칭율 모니터.
  11. 제1항에 있어서, 광의 강도가 변하는 시간에 대해서 감응하는 상기 수단이 회절광의 간섭 패터들 사이의 사이클 시간과 입사관의 파장 작용으로서 에칭율을 결정함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  12. 반도체 웨이퍼 처리중 에칭율을 모니터링하는 방법에 있어서, (a)정상조준 입사 광비임을 처리한 마스크 웨이퍼의 표면으로 가하는 단계; (b) 회절광을 모으는 단계; 및 (c)챔버내에서 에칭율을 모니터하기 위해 회절광의 강도의 변화를 검출하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 회절광 집합단계가 큰 직경의 단 촛점길이를 가지는 집합렌즈로 회절광을 모으는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 집합렌즈가 프레넬 렌즈임을 특징으로 하는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 단계가 광학 반사 시스템을 이용함을 특징으로 하는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 단계가 광검출기를 이용함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 단계가 열교환기를 상기 광검출기에 관련시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 에칭율 모니터.
  18. 제12항에 있어서, 상기 회절광을 모으는 단계가 조준 광비임의 파장과는 다른 파장을 갖는 광을 거절하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 간섭광을 거절하는 단계가 집합렌즈로부터의 광을 조준하고 조준된 광을 간섭필터에 가하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 검출단계가 강도의 최소치들 사이의 사이클시간을 결정하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  21. 제12항에 있어서, 상기 검출단계가 강도의 초대치들 사이의 사이크시간을 결정하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  22. 제12항에 있어서, 상기 검출단계가 회절광의 간섭패턴들 사이의 사이클 시간과 입사광으리 파장작용으로서에칭율을 결정하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910010173A 1990-06-19 1991-06-19 에칭율을 모니터링하기 위한 방법 및 장치 KR100226002B1 (ko)

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US54066090A 1990-06-19 1990-06-19
US7/540,660 1990-06-19
US07/540,660 1990-06-19

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KR100226002B1 KR100226002B1 (ko) 1999-10-15

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6818559B2 (en) 2001-03-21 2004-11-16 Intel Corporation Method of fabrication to sharpen corners of Y-branches in integrated optical components and other micro-devices
US20050042777A1 (en) * 2003-08-20 2005-02-24 The Boc Group Inc. Control of etch and deposition processes
JP5920255B2 (ja) * 2013-03-18 2016-05-18 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるドライエッチング装置
ES2540921B2 (es) * 2015-03-06 2016-02-08 Universidad Complutense De Madrid Dispositivo opto-electrónico y métodos para colimar y determinar el grado de colimación de un haz de luz
WO2024091628A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Methods of geometry parameters measurement for optical gratings

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60173837A (ja) * 1984-09-26 1985-09-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 組合せ回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法
JPH0682636B2 (ja) * 1985-04-19 1994-10-19 株式会社日立製作所 ドライエッチング方法
US4927485A (en) * 1988-07-28 1990-05-22 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system for monitoring and controlling IC processing
US4873430A (en) * 1988-10-25 1989-10-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optically measuring characteristics of a thin film by directing a P-polarized beam through an integrating sphere at the brewster's angle of the film
JPH088242B2 (ja) * 1989-10-31 1996-01-29 株式会社東芝 エッチング深さ測定装置

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