KR920001653A - 포토리지스트 제거방법 - Google Patents

포토리지스트 제거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920001653A
KR920001653A KR1019900008483A KR900008483A KR920001653A KR 920001653 A KR920001653 A KR 920001653A KR 1019900008483 A KR1019900008483 A KR 1019900008483A KR 900008483 A KR900008483 A KR 900008483A KR 920001653 A KR920001653 A KR 920001653A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
remove photoresist
treatment
followed
plasma
damaged
Prior art date
Application number
KR1019900008483A
Other languages
English (en)
Inventor
한국룡
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900008483A priority Critical patent/KR920001653A/ko
Publication of KR920001653A publication Critical patent/KR920001653A/ko

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포토리지스트 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. As+의 고주입량으로 인해 손상을 입은 P/R제거시 플라즈마 혹은 다운-스트림 스트립핑 처리후 탈이온수로 수세처리를 하고 이어서 H2SO4혹은 H2SO4+H2O2에 의한 첫번째 화학적 처리후 NH4OH:H2O2:H2O에 의한 두번째 화학적 처리를 실시함을 특징으로하는 포토리지스트 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008483A 1990-06-09 1990-06-09 포토리지스트 제거방법 KR920001653A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008483A KR920001653A (ko) 1990-06-09 1990-06-09 포토리지스트 제거방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008483A KR920001653A (ko) 1990-06-09 1990-06-09 포토리지스트 제거방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920001653A true KR920001653A (ko) 1992-01-30

Family

ID=67482392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900008483A KR920001653A (ko) 1990-06-09 1990-06-09 포토리지스트 제거방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920001653A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840002417A (ko) 라텍스 제조방법
KR890007407A (ko) 반도체 프로세싱용 스핀-온 글라스
KR840004589A (ko) 포지티브형(positive type) 감광성 내식막 조성물
KR920001653A (ko) 포토리지스트 제거방법
JPS5294884A (en) Water and oil repellent laminated product
DE59309054D1 (de) Isopropanolhaltige Reinigungslösungen mit erhöhtem Flammpunkt
KR920001649A (ko) 폴리에치 잉여물의 제거방법
KR960703346A (ko) 사용한 부동액 조성물로부터 증류에 의해 글리콜을 회수하는 방법(distillative method of recovering glycols from used antifreeze agents)
KR920001650A (ko) 포토레지스트 제거방법
KR910010673A (ko) 코팅용액속의 기포 제거방법
KR910020833A (ko) 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법
JPS5269884A (en) Oil adsorbent
KR910008789A (ko) 금속층위의 감광제 제거방법
KR970006196A (ko) 불소함유 폐수의 처리방법
KR960005818A (ko) 반도체 소자의 세정방법
KR840001814A (ko) 사삼정과의 제조방법
JPS5421666A (en) Rinser dryer
KR880004838A (ko) 정수제
JPS52111277A (en) Washer with dehydrating and risning device
KR920010823A (ko) 필드산화막 형성방법
KR960019560A (ko) 폴리실리콘막 세정 방법
KR830004195A (ko) 폴리안하이드라이드를 사용하는 아크릴산 회수방법
JPS5213776A (en) Photo-resist pealing method
KR850000947A (ko) 공기 지주 천막
KR920008976A (ko) 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application