KR910700545A - 탄화규소로 형성된 초고속 고온 정류다이오우드 - Google Patents
탄화규소로 형성된 초고속 고온 정류다이오우드Info
- Publication number
- KR910700545A KR910700545A KR1019900701777A KR900701777A KR910700545A KR 910700545 A KR910700545 A KR 910700545A KR 1019900701777 A KR1019900701777 A KR 1019900701777A KR 900701777 A KR900701777 A KR 900701777A KR 910700545 A KR910700545 A KR 910700545A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- silicon carbide
- diode
- rti
- rectifier diode
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 18
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims 5
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 정류다이오우드의 개략도,
제2도는 본 발명에 따른 원형의 메사형 정류다이오우드의 사시도,
제3도 및 본 발명 정류다이오우드의 또 다른 형태의 개략도.
Claims (31)
- 탄화규소로 형성된 초고속 고주파수 고온 정류다이오우드에 있어서, 제1전도타입을 제공하기에 충분한 케리어능도를 가지는 단결정질 탄화규소 서브스트레이트와, 이 서브 스트레이트와 동일한 전도타입을 가지며 이 서브스트레이트 위에 위치하는 탄화규소의 제1단결정질에 피택설층과, 그리고 이 제1에피택설층과 반대의 전도타입을 가지며 제1에피액설층 위에 위치하는 탄화규소의 제2단결정질 에피택설층으로 구성시키되, 제1에 피택설층과 제2에피택설층은 둘중에서 더욱 낮은 농도를 가진 층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되게에 충분한 양만큼 크기가 서로 다른 각자의 캐리어농도를 가지며, 또한 제1에피택설층과 제2에피택설층은 이 두층 사이에서 계단형 p-n 접합을 형성시킴을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제1항에 있어서, 제1에피택설층은 제2에피택설층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되도록 이 제2에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우
- 제1항에 있어서, 제2에피택설층은 제1에피택설층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되도록 이 제1에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제1항에 있어서, 제2에피택설 위에 위치하는 제3에피택설층을 추가로 구성시키되, 이 제3에피택설층은 제2에피택설층과 동일한 전도타입을 가지며 그리고 정류 다이오우드에 접속저항을 감소시키기 위하여 제2에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제1항에 있어서, 탄화규소 서브스트레이트는 α=탄화규소를 포함하고 그리고 <1120> 방향 중에서 한 방향을 향하여 실질적으로 그것의 기준평면에 대하여 축에서 일도 이상으로 경사진 평평한 경계면을 가지며, 제1에 피택설층은 상기 서브스트레이트 경계면 위에 호모예피택설하게 성장된 α-탄화규소를 포함함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제1항에 있어서, 상기 접합의 근처에 가열하여 성장시킨 이산화규소 안정화층을 추가로 구성시킴을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 탄화규소로 형성된 초고속 고주파수 고온 정류다이오우드에 있어서, 제1전도타입을 제공하기에 충분한 캐리어농도를 가지는 단결정질 탄화규소 서브스트레이트와, 이 서브스트레이트와 동일한 전도타입을 가지며 이 서브스트레이트 위에 위치하는 탄화규소의 제1단결정질 에피택설층과, 제1에피택설층과 반대의 전도타입을 가지며 제1에피택설층위에 위치하고 그리고 역방향 바이어스에서 제1에피택설층이 주로 공핍되도록 제1에피택설층의 캐리어농도보다도 더욱 높은 캐리어농도를 가지는 탄화규소의 제2단결정질 에피택설층으로 구성시키되, 제1에피택설층과 제2에피택설층은 이 두층 사이에서 게단형 p-n 접합을 형성시킴을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 탄화규소 서브스트레이트는 n-타입 α-탄화규소로 형성되고, 제1에피택설층도 n-타입 α-탄화규소로 형성되고, 그리고 제2에피택설층은 p-타입 α-탄화규소로 형성됨을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 제1에피택설층이 서브스트레이트의 캐리어농도보다도 낮은 캐리어농도를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 서브스트레이트 쪽에 니켈로 구성된 오오믹접속과, 그리고 제2에피택설층 쪽에 알루미늄을 함유하는 바이메탈 합금으로 구성된 오오믹접속을 추가로 구성시킴을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 탄화규소가 6H, 3C, 4H 및 폴리타입들로 구성된 그룹에서 선택된 단일 폴리타입을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 가해진 전압과 커패시턴스 사이의 관계는 가해진 전압과 커패시턴스 제곱의 역수 사이의 관계가 거의 선형관계가 되도록 하는 그런 관계임을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, -5000볼트만큼이나 높은 역방향 항복전압을 가지고 -55℃와 350℃사이의 온도범위에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 2.7볼트만큼이나 낮은 순방항전압에서 적어도 400밀리암페어의 순방향전류를 가지고 25℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 2.2볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 적어도 400밀리암페어의 순방향전류를 가지고 350℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 약 20℃내지 약350℃온도범위에 대하여 2.7볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 10암페어까지의 순방향전류를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 주어진 정격 역방향 항복전압까지 25마이크로 암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 25℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류 다이오우드.
- 제7항에 있어서, 주어진 정격 역방향 항복전압까지 100마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류 다이오우드.
- 제7항에 있어서, -400볼트에서 8마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 25℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, -400볼트에서 80마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 200나노초보다 낮은 역방향 회복시간을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 10나노초보다 낮은 역방향 회복시간을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 25℃의 작동온도에서 6나노초만큼이나 작은 또는 그 이하의 역방향 회복시간을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 350℃의 작동온도에서 7나노초만큼이나 작은 또는 그이하의 역방향 회복시간을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제7항에 있어서, 제13도의 AG선을 따라서 선택되고 직접 수평으로 마주보는 CD 선상의 점을 한정하는 항복전압(볼트)을 가지며, 그리고 CD 선을 따라서 그 한정된 점 아래로 직접 수직으로 떨어지는 제13도의 EF선상에 있는 점으로부터 선택되고 AG선을 따라서 직접 수평으로 마주보는 점으로부터 선택되는 그 대응하는 공핍층폭(마이크론)을 가지며, 또한 CD선과 EF선을 따라서 그 한정된 점들 아래로 직접 수직으로 떨어지는 제13도의 GH선상에 있는 점으로부터 선택되는 그 대응하는 캐리어농도(원자수/㎤)를 가짐을 특징으로 하는 정류 다이오우드.
- 탄화규소로 형성된 초고속 고주파수 고온 정류다이오우드에 있어서, 제1전도타입을 제공하기에 충분한 캐리어 농도를 가지는 단결정질 탄화규소 서브스트레이트와, 이 서브스트레이트와 동일한 전도타입을 가지며 이 서브스트레이트 위에 위치하는 탄화규소의 제1단결정질 에피택설층과, 이 제1에피택설층과 반대의 전도타입을 가지며 제1에피택설층 위에 위치하는 제2단결정질 에피택설층과, 그리고 이 제2에피택설층 위에 위치하고 이 제2에피택서로가 동일한 전도타입을 가지며 이 제2에피택설층보다 더욱 큰 캐리어농도를 가지는 제3단결정질 에피택설층으로 구성시키되, 제1에피택설층은 제2에피택설층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되기에 충분한 양만큼 제2에피택설층보다 더욱 큰 캐리어농도를 가지며, 제1 및 제2에피택설층은 그 사이에 계단형 p-n 접합을 형성시킴을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제26항에 있어서, 서브스트레이트와 제1에피택설층은 n-타입 α-탄화규소로 구성되고, 제2 및 제3에피택설층은 p-타입 α-탄화규소로 구성됨을 특징으로 하는 발광 다이오우드.
- 제26항에 있어서, -5000볼트만큼이나 높은 역방향 항복전압을 가지고 -55℃와 350℃ 사이의 온도범위에서 작동함을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제26항에 있어서, 약 20℃내지 약350℃온도범위에 대하여 2.7볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 10암페어까지의 순방향전류를 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.
- 제26항에 있어서, 주어진 정격 역방향 항복전압까지 100마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의 온도에서 작동함을 특징으로 하는 정류 다이오우드.
- 제26항에 있어서, 20나노초 이하의 역방향 회복시간을 가짐을 특징으로 하는 정류다이오우드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28403588A | 1988-12-14 | 1988-12-14 | |
| US284,035 | 1988-12-14 | ||
| US284035 | 1988-12-14 | ||
| US40369089A | 1989-09-06 | 1989-09-06 | |
| US403,690 | 1989-09-06 | ||
| US403690 | 1989-09-06 | ||
| PCT/US1989/005554 WO1990007192A1 (en) | 1988-12-14 | 1989-12-13 | Ultra-fast high temperature rectifying diode formed in silicon carbide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910700545A true KR910700545A (ko) | 1991-03-15 |
| KR0150793B1 KR0150793B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=26962377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900701777A KR0150793B1 (ko) | 1988-12-14 | 1989-12-13 | 탄화규소로 제조된 초고속 고온 정류다이오우드 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0449951B1 (ko) |
| JP (1) | JP3269625B2 (ko) |
| KR (1) | KR0150793B1 (ko) |
| CN (1) | CN1044737A (ko) |
| AT (1) | ATE120033T1 (ko) |
| AU (1) | AU4844490A (ko) |
| CA (1) | CA2005384A1 (ko) |
| DE (1) | DE68921768T2 (ko) |
| WO (1) | WO1990007192A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140003017A (ko) * | 2012-06-28 | 2014-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9502249D0 (sv) * | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Abb Research Ltd | Converter circuitry having at least one switching device and circuit module |
| JP4626893B2 (ja) * | 1996-08-16 | 2011-02-09 | クリー、インコーポレイテッド | ＳｉＣから構成された半導体層を有するバイポーラ半導体デバイスおよびＳｉＣから構成された半導体デバイスを製造する方法 |
| SE9702220D0 (sv) * | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Abb Research Ltd | A semiconductor device with a junction termination and a method for production thereof |
| JP5225549B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2013-07-03 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子 |
| US7339776B1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-03-04 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Silicon carbide diode voltage limiter |
| US8681518B2 (en) * | 2009-07-21 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | High speed rectifier circuit |
| US9087812B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-07-21 | International Rectifier Corporation | Composite semiconductor device with integrated diode |
| US9281388B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-03-08 | Infineon Technologies Americas Corp. | Composite semiconductor device with a SOI substrate having an integrated diode |
| CN102496572A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-13 | 江苏宏微科技有限公司 | 快恢复外延型二极管及其制备方法 |
| CN105405895B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-10-02 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种低存储电荷快恢复二极管芯片 |
| CN111211160B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-05-14 | 电子科技大学 | 一种垂直GaN功率二极管 |
| CN112151621A (zh) * | 2020-10-14 | 2020-12-29 | 济南新芯微电子有限公司 | 一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法 |
| CN116314252B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-11-07 | 苏州龙驰半导体科技有限公司 | Vdmos器件及提升sic vdmos器件的击穿电压的方法 |
| CN117059670B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-01-16 | 深圳市冠禹半导体有限公司 | 一种碳化硅二极管及其制造方法 |
-
1989
- 1989-12-13 AU AU48444/90A patent/AU4844490A/en not_active Abandoned
- 1989-12-13 WO PCT/US1989/005554 patent/WO1990007192A1/en active IP Right Grant
- 1989-12-13 DE DE68921768T patent/DE68921768T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-13 CA CA002005384A patent/CA2005384A1/en not_active Abandoned
- 1989-12-13 AT AT90901362T patent/ATE120033T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-12-13 JP JP50222490A patent/JP3269625B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-13 EP EP90901362A patent/EP0449951B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-13 KR KR1019900701777A patent/KR0150793B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-14 CN CN89109809A patent/CN1044737A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140003017A (ko) * | 2012-06-28 | 2014-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE120033T1 (de) | 1995-04-15 |
| CN1044737A (zh) | 1990-08-15 |
| KR0150793B1 (ko) | 1998-10-01 |
| DE68921768T2 (de) | 1995-11-09 |
| JP3269625B2 (ja) | 2002-03-25 |
| AU4844490A (en) | 1990-07-10 |
| JPH04502536A (ja) | 1992-05-07 |
| EP0449951A1 (en) | 1991-10-09 |
| EP0449951B1 (en) | 1995-03-15 |
| WO1990007192A1 (en) | 1990-06-28 |
| DE68921768D1 (de) | 1995-04-20 |
| CA2005384A1 (en) | 1990-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910700545A (ko) | 탄화규소로 형성된 초고속 고온 정류다이오우드 | |
| US5061972A (en) | Fast recovery high temperature rectifying diode formed in silicon carbide | |
| Kimoto et al. | Performance limiting surface defects in SiC epitaxial pn junction diodes | |
| Itoh et al. | High performance of high-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes | |
| KR910700548A (ko) | 탄화규소로 형성된 푸른빛 발광다이오우드 | |
| AU2007240996B2 (en) | Junction barrier Schottky rectifiers and methods of making thereof | |
| Kimoto et al. | High-voltage (> 1 kV) SiC Schottky barrier diodes with low on-resistances | |
| Agarwal et al. | A new degradation mechanism in high-voltage SiC power MOSFETs | |
| Chow et al. | SiC and GaN bipolar power devices | |
| Agarwal et al. | 700-V asymmetrical 4H-SiC gate turn-off thyristors (GTO's) | |
| EP0380340A2 (en) | Silicon carbide Schottky diode and method of making same | |
| Fujihira et al. | Low-loss, high-voltage 6H-SiC epitaxial pin diode | |
| Huang et al. | High current gain 4H-SiC NPN bipolar junction transistors | |
| Itoh et al. | Efficient power Schottky rectifiers of 4H-SiC | |
| EP0643423A3 (en) | Diamond semiconductor device. | |
| Raghunathan et al. | P-type 4H and 6H-SiC high-voltage Schottky barrier diodes | |
| KR950034869A (ko) | 발광 다이오드의 제조방법 | |
| Negoro et al. | Avalanche phenomena in 4H-SiC pn diodes fabricated by aluminum or boron implantation | |
| Strel'Chuk et al. | Ideal 4H-SiC pn junction and its characteristic shunt | |
| Dmitriev | Violet-light-emitting SiC-4 H diodes | |
| WO1995034915A1 (en) | Semiconductor device in silicon carbide | |
| Das et al. | Latest advances in high voltage, drift free 4H-SiC pin diodes | |
| Ishii et al. | 20V-400A SiC zener diodes with excellent temperature coefficient | |
| Palmour et al. | Large area silicon carbide power devices on 3 inch wafers and beyond | |
| Anikin et al. | Silicon carbide rectifying diode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110518 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |