KR910013689A - 상호 콘덕턴스 증폭기 - Google Patents

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KR910013689A
KR910013689A KR1019900019330A KR900019330A KR910013689A KR 910013689 A KR910013689 A KR 910013689A KR 1019900019330 A KR1019900019330 A KR 1019900019330A KR 900019330 A KR900019330 A KR 900019330A KR 910013689 A KR910013689 A KR 910013689A
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KR
South Korea
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transistors
transistor
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Application number
KR1019900019330A
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Inventor
테우스 울리히
Original Assignee
호르스트 에프.에니쉬 볼프강 자우어
도이치 아이티티 인더스트리즈 게엠베하
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
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    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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Abstract

내용 없음.

Description

상호 콘덕턴스 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예의 개략 회로도,
제2도는 본 발명의 개선된 실시예를 보인 도면,
제3도는 정지 전류의 함수에 따른 전압-전류 변환기의 상호 콘덕턴스의 변환을 나타내는 도면.

Claims (7)

  1. 제1전압-전류 변환기(ui1)에 결합되는 제1입력 단자(K1)와 제1전압-전류 변환기와 동일한 제2전압-전류 변환기(ui2)에 결합되는 제2입력 단자(K2)가지는, 전압차에 의해 구동되는 입력-차단; 상기 제1입력단자와 제2입력단자 사이에 위치한 저항성 분압기(r1,r2)의 탭에 접속되는 입력 단자를 가지고 있는, 제1및 제2전압-전류 변환기(ui1,ui2)와 동일한 제3전압-전류 변환기(ui3)를 구비하는데, 상기 제1,제2 및 제3전압-전류 변환기(ui1,ui2,ui3)의 상호 콘덕턴스 특성은 동일하며, 궤환저항기(r3,r4,r5)와 정지전류(Iq)에 의해 각각 특정 로우값으로 세트되며;3개의 전압-전류 변환기(ui1,ui2,ui3)의 기준 전위단자는 제3전압-전류 변환기(ui3)에 의해 이용되는 공통 기준전위에 있으며, 상기 변환기(ui3)의 전류는 정전류원(Kq)에 의해 결정되며; 상호 콘덕턴스 증폭기 출력신호에 따라서, 제1 및 제2전압-전류 변환기(ui1,ui2)의 전류원 출력은 제1출력 전류(I1)와 제2출력 전류(I2)를 전달하며 그 차전류는 전압차(ds)의 값에 비례하는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3전압-전류 변환기(ui1,ui2,ui3)는 그 제어 입력에 제1트랜지스터(t1), 제2트랜지스터(t2), 제3트랜지스터(t3)를 각각 구비하며, 이러한 트랜지스터들의 베이스 단자는 각각의 제어 입력을 구성하는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 제1,제2,제3트랜지스터(t1,t2,t3)의 베이스와 전류와 값은 같지만 곡성은 반대이며 상기 베이스 전류를 보상하도록 제1,제2, 제3트랜지스터(t1,t2,t3)의 베이스 단자에 가해지는 3개의 동일한 전류를 발생시키는 시뮬레이팅 회로(n)를 구비하는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  4. 제3항에 있어서, 제1,제2,제3전압-전류 변환기(ui1,ui2,ui3)는 각각 제4트랜지스터(t4), 제5트랜지스터(t5), 제6트랜지스터(t6)을 구비하며, 이 트랜지스터들은 제1, 제2, 제3트랜지스터(t1,t2,t3)와 극성이 반대이고, 그 에미터는 제3, 제4, 제5저항기(r3,r4,r5)를 거쳐서 제1,제2, 제3트랜지스터(t1,t2,t3)의 에미터에 접속되며, 그 베이스 단자는 공통 기준 전위(Ub)에 접속되는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  5. 제4항에 이TDj서, 정전류원(Kq)은 제2출력이 상기 시뮬레이팅 회로(n)의 입력에 공급되는 pnp전류 뱅크(pK)의 제1출력에 의해 형성되며, 상기 시뮬레이팅 회로는 제1,제2, 제3 트랜지스터(t1,t2,t3)와 형태가 동일한 제7트랜지스터(t7)를 구비하며, 상기 제7트랜지스터(t7)의 베이스전류는 각각 제1,제2,제3트랜지스터(t1,t2,t3)의 베이스 단자에 접속된 3개의 출력을 가지는 npn전류 뱅크(nK)의 입력에 공급되며, 상기 제1,제2,제3, 제7트랜지스터(t1,t2,t3,t7)는 기판 pnp트랜지스터, 상기 제4,제5,제6트랜지스터(t4,t5,6)는 npn트랜지스터 인 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  6. 제7항에 있어서,궤환저항이(r3,r4,r5)와 정지 전류(Iq)의 값은 다음 관계에 따라 선택되어지는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, 제1,제2입력단자(K1,K2)는 임피던스 변성기(i)의 입력차단으로부터 버퍼되는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019330A 1989-12-01 1990-12-28 상호 콘덕턴스 증폭기 KR910013689A (ko)

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EP89122203A EP0429717B1 (de) 1989-12-01 1989-12-01 Transkonduktanzverstärker

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US5047729A (en) 1991-09-10
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EP0429717A1 (de) 1991-06-05
CN1052230A (zh) 1991-06-12
DE58909170D1 (de) 1995-05-11

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