KR910013456A - 반도체 웨이퍼 제조 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910013456A
KR910013456A KR1019900019254A KR900019254A KR910013456A KR 910013456 A KR910013456 A KR 910013456A KR 1019900019254 A KR1019900019254 A KR 1019900019254A KR 900019254 A KR900019254 A KR 900019254A KR 910013456 A KR910013456 A KR 910013456A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ingot
semiconductor
crucible
angle
axis
Prior art date
Application number
KR1019900019254A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0165847B1 (ko
Inventor
아프잘 샤히드 무하메드
Original Assignee
알.비.앤더슨
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알.비.앤더슨, 아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니 filed Critical 알.비.앤더슨
Publication of KR910013456A publication Critical patent/KR910013456A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0165847B1 publication Critical patent/KR0165847B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y10S117/902—Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 웨이퍼 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따라 반도체 단결정 주괴를 제조하는데 사용되는 도가니의 평면도,
제2도는 제1도의 선 2-2을 따라 자른 단면도,
제3도는 제1도의 선 3-3을 따라 자른 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 물질의 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 제조되는 웨이퍼에 대한 특정한 결정학적 방위를 선정하는 단계와, 반도체 물질의 주괴를 제1결정학 방향으로 성장시키는 단계와, 제1방향과 직각인 단면을 취할 때 주괴의 외부 표면은 장축 및 단축을 가진 타원형을 사실상 한정하게 되며, 여기서 장축은 단축보다 길게 되도록 주괴의 주요부의 성장을 강제하는 단계와, 주괴를 단축의 방향으로 또한 제1방향에 대해 충분한 각도로 반복 절단하여 사실상 원형의 외부 테두리를 갖고 선정된 결정학적 방위를 가진 웨이퍼를 만드는 단계를 구비하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 주괴는 타원의 장축의 방향으로 x의 두께를 갖고 타원의 단축의 방향으로 y의 두께를 가지며, 주괴는 상기 각도의 사인값이 사실상 y÷x와 같도록 절단되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 제1결정학 방향은 <III> 결정학 방향이며, 주괴가 절단되는 각도는 제1방향에 대해 사실상 35.3°인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 반도체는 III-V족 반도체 물질의 그룹 및 II-VI족 반도체 물질의 그룹으로부터 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 반도체는 인듐 인화물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서, 주괴를 성장시키는 단계는 도가니의 하단부의 종자 우물내에 성장될 물질의 종자 결정을 포함시키는 단계와, 원광석 물질 및 종자 결정의 일부분을 용융시키는 단계와, 용융된 물질을 종자 결정으로부터 상방향으로 점진적으로 냉각시켜서 도가니의 중심축과 일치하는 중심축을 가진 주괴를 형성시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 용융된 물질을 점진적으로 냉각시키는 단계는 결정 성장을 위한 VGF법의 일부를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 도가니의 주요부는 도가니 중심축과 직각으로 단면으로 취할 때 사실상 타원형을 한정하는 내부 표면을 가지므로, 도가니의 내부 표면은 주괴의 주요부가 타원형이 되도록 성장을 강제시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019254A 1989-12-04 1990-11-27 반도체 웨이퍼 제조 방법 KR0165847B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US445,522 1989-12-04
US07/445,522 US4966645A (en) 1989-12-04 1989-12-04 Crystal growth method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910013456A true KR910013456A (ko) 1991-08-08
KR0165847B1 KR0165847B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=23769240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900019254A KR0165847B1 (ko) 1989-12-04 1990-11-27 반도체 웨이퍼 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4966645A (ko)
EP (1) EP0435454B1 (ko)
JP (1) JPH03177400A (ko)
KR (1) KR0165847B1 (ko)
DE (1) DE69016392T2 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5123996A (en) * 1991-01-28 1992-06-23 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus
US5372088A (en) * 1991-12-30 1994-12-13 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus
JPH07291777A (ja) * 1994-04-21 1995-11-07 Toshiba Corp 半導体単結晶製造装置及び製造方法
DE19954349A1 (de) * 1999-11-11 2001-06-07 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
FR3095972B1 (fr) 2019-05-13 2023-07-07 Safran Aircraft Engines Moule pour la fabrication d’une pièce par coulée de métal et croissance épitaxiale et procédé de fabrication associé

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4054010A (en) * 1976-01-20 1977-10-18 Headway Research, Inc. Apparatus for grinding edges of planar workpieces
US4224099A (en) * 1978-08-10 1980-09-23 Union Carbide Corporation Method for producing R-plane single crystal alpha alumina
US4344260A (en) * 1979-07-13 1982-08-17 Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. Method for precision shaping of wafer materials
JPS56105638A (en) * 1980-01-26 1981-08-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacture of circular gallium arsenide wafer
JPS5758218U (ko) * 1980-09-22 1982-04-06
US4404172A (en) * 1981-01-05 1983-09-13 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
FR2546912B1 (fr) * 1983-06-06 1987-07-10 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'elaboration d'un monocristal

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03177400A (ja) 1991-08-01
KR0165847B1 (ko) 1998-12-15
DE69016392D1 (de) 1995-03-09
EP0435454A1 (en) 1991-07-03
US4966645A (en) 1990-10-30
DE69016392T2 (de) 1995-05-24
EP0435454B1 (en) 1995-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8980445B2 (en) One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
CA2496710C (en) Single crystal diamond
US3951729A (en) Method for producing single crystals
EP2155933B1 (en) Method for producing sic single crystal
EP0969499A3 (en) Crystal growth process for a semiconductor device
KR910013456A (ko) 반도체 웨이퍼 제조 방법
KR920014956A (ko) 결정 성장방법 및 장치
JPH09278595A (ja) Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体ウエハ及びその製造方法
US6758899B2 (en) Crystal growth vessel and crystal growth method
RU2335582C2 (ru) Монокристаллическая шпинельная пластина
RU2334835C2 (ru) Способ изготовления монокристаллических шпинельных пластин (варианты)
JPS57129899A (en) Manufacture of single crystal of 3-5 group compound semiconductor
Yip et al. Low‐Angle Grain‐Boundary Macrostructure in Large‐Diameter Czochralski White Sapphire
JP2751359B2 (ja) ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物単結晶
Forty Dislocations and Crystal Growth
JPH09110575A (ja) 単結晶製造用ルツボ及び単結晶の製造方法
JPS6270293A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
RU95114398A (ru) Подложка для зародышеобразования и выращивания монокристаллического 3c-карбида кремния
JP3135355B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置
Fedorov et al. Crystallization front structure during growth of single crystals from a melt in various crystallographic directions
Rozgonyi et al. Defect studies of gap crystals pulled from non-stoichiometric melts: I. Growth related defect analysis
JPH04362082A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法
CN1334360A (zh) 微波器件的制造方法
JPS6360194A (ja) 単結晶の引上げ方法
JPH03247588A (ja) 単結晶の育成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100916

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term