KR910009082B1

KR910009082B1 - 고스피드용 레벨시프트회로

Info

Publication number: KR910009082B1
Application number: KR1019880012135A
Authority: KR
Inventors: 신기호
Original assignee: 삼성전자 주식회사; 강진구
Priority date: 1988-09-20
Filing date: 1988-09-20
Publication date: 1991-10-28
Also published as: KR900005701A

Abstract

내용 없음.

Description

고스피드용 레벨시프트회로

제1도는 본 발명의 실시예를 나타낸 회로도.

제2도는 종래의 레벨시프트회로도.

제3도는 종래의 레벨시프트회로의 특성을 나타낸 파형도.

제4도는 본 발명의 레벨시프트특성을 나타낸 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

Q₁,Q₂,Q₃: 트랜지스터 Z₁,Z₂,Z₃,Z₄,Z₅,Z₆: 저항

MP₁,MP₂,MN₁: MOS 트랜지스터 C₁: 콘덴서

10 : 입력회로 b : 노우드

VR₁,VR₂: 기준전압 1,2 : 출력단자

Vin₁,Vin₂: 입력신호

본 발명은 트랜지스터 로직의 입력수준 레벨을 CMOS 입력수준 레벨로 변환시킬 수 있게한 고스피드용 레벨시프트회로에 관한 것이다.

Bi CMOS 공정으로 메모리소자나 데이타 콘버터를 실현시키는 경우에 입출력 부분은 대개 트랜지스터 로직회로로 구성되고 후단에 연결되는 회로는 CMOS회로로 구성하여 원하는 속도와 집적도를 얻을 수 있도록 하고 있다. 따라서 트랜지스터 로직의 입력수준을 CMOS 입력수준 레벨로 변환시켜야 하며, 고속의 동작을 수행할 수 있도록 구성하여야 한다.

종래에는 제2도와 같이 기준전압 고정방식으로 트랜지스터(Q₆)(Q₇)로 구성되는 ECL(EMITTER COUPLED LOGIC)회로와 후단에 구성되는 MOS 트랜지스터(MP₃)(MP₄)(MN₂)로 CMOS 입력레벨로 변환시키도록 하고 있다.

이와 같이 기준전압(VR₂)을 고정시키는 방식에서는 제3도와 같은 출력특성을 얻게 된다. 즉 제3도에서 노우드(b)의 전위와 기준전압(VR₃)이 일치하는데는 t₂만큼의 시간이 소요된다. 이 두 신호가 t₂이전의 짧은 시간이 일치되는 경우에는 더빠른 스위칭속도를 얻을 수가 있는 것으로, 본 발명은 이와 같은 스위칭속도를 개선하고자 하는 것이다. 또한 노우드(b)의 전위와 기준전압(VR₂)이 일치할때에 기준전압의 전위가 노우드(b) 전위의 천이방향(동상)으로 이동하게 되며, 이는 천이시 트랜지스터(Q₃)의 베이스전류에 의하여 생기게 되어 스위칭속도를 약화시키는 원인이 되는 것으로 본 발명은 이와 같이 스위칭시 생기는 문제점을 해결하고자 하는 것이다.

본 발명의 목적은 ECL 입력수준레벨에서 CMOS 입력수준레벨로 변환시키기 용이한 고스피드용 레벨시프트회로를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 고속의 스위칭속도를 얻고 천이시 생기는 스위칭속도가 약화되는 원인을 제거할 수 있게 한 것이다. 이와 같은 목적은 입력신호에 대하여 기준전압이 역상으로 가변되게 하여 노우드 전압과 기준전압이 일치되는 시간을 짧게 함으로써 달성된다.

본 발명의 특징은 에미터 커플 로직회로와 CMOS 레벨변환회로로 구성된 레벨시프트회로에 있어서 에미터 커플 로직회로의 전단에 입력신호에 의하여 시정수를 갖고 동작되는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 콜렉터측에 연결되어 입력신호에 대하여 역으로 기준전압이 공급되게 한 트랜지스터로 입력회로를 구성시킨 고스피드용 레벨시프트회로에 있다.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 제1도의 실시예에서 CMOS 레벨로 변환시키는 MOS 트랜지스터(MP₂)(MP₁)(MN₁)의 구성은 제2도의 MOS 트랜지스터(MP₄)(MP₃)(MP₂)와 동일한 구성을 하고 있다. 또한 ECL 회로로 구성되어 있는 트랜지스터(Q₁)(Q₂)도 제2도의 트랜지스터(Q₆)(Q₇)와 동일한 구성을 하고 있으나 종래 제2도의 회로에서는 일정한 전압(VR₂)이 공급되는 기준전압 고정방식을 사용하고 있으며, 본 발명에서는 트랜지스터(Q₄)의 에미터측 출력에 따라 가변되는 기준전압(VR₁)이 공급되게 구성되어 있다.

본 발명에서 ECL 회로는 입력전압(Vin₁)에 따라 노우드(b)의 전압이 베이스측으로 공급되는 트랜지스터(Q₁)와 입력전압(Vin₁)에 따라 가변된 기준전압(VR₁)이 베이스측에 인가되는 트랜지스터(Q₂)로 구성되어 각각의 트랜지스터(Q₁)(Q₂)의 에미터측을 공접시켜 에미터 키플페어가 되도록 구성하고 각각의 콜렉터측은 저항(Z₂)(Z₄)을 통하여 전원(V_DD)이 공급되게 구성되어 있다. 그리고 CMOS 레벨 변환회로는 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터측에 연결되어 동작하는 MOS 트랜지스터(MP₁)와, 트랜지스터(Q₂)의 콜렉터측에 연결되어 동작하는 MOS 트랜지스터(MP₂)로 구성되어 서로 역구동하게 연결하고 MOS 트랜지스터(MP₂)와 출력측에 연결된 MOS 트랜지스터(MP₁) 사이에 MOS 트랜지스터(MN₁)가 연결되게 구성되어 있다. ECL 회로의 동작을 제어하는 입력회로(10)는 입력신호(Vin₁)에 의하여 동작되는 트랜지스터(Q₃)와, 상기 트랜지스터(Q₃)의 에미터측에 연결되어 충방전되는 콘덴서(C₁) 및 저항(Z₃)와, 트랜지스터(Q₃)의 콘덴서측에 연결되어 기준전압(VR₂)을 공급시키는 트랜지스터(Q₄)로 구성되어 있다.

이와 같이 구성된 본 발명의 기본적인 동작원리는 종래의 회로도와 동일한 것으로, 먼저 제2도의 회로에서 트랜지스터(Q₆)가 ′온′되는 경우를 살펴보면, 트랜지스터(Q₅)가 입력신호(Vin₂)에 의하여 턴온된후 저항(Z₇)을 통하여 바이어스되는 전원에 의해 트랜지스터(Q₆)는 동작을 하게 된다. 트랜지스터(Q₆)가 ′온′되는 경우 콜렉터측은 L 레벨상태가 되어 MOS 트랜지스터(MP₃)의 게이트와 소오스측 사이에는 -I₄Z₈의 전위가 걸리게 되며, MOS 트랜지스터(MP₄)에는 +I₄Z₈의 전위가 걸리게 되어 MOS 트랜지스터(MP₃)는 ′온′, MOS 트랜지스터(MP₄)은 ′오프′되므로 출력단자(2)는 ′H 레벨′ 상태의 전원(V_DD)이 공급하게 된다. 역으로 트랜지스터(Q₇)가 ′턴온′되어 있는 경우에는 MOS 트랜지스터(MP₃)의 게이트와 소오스측 사이에는 ′O′ 레벨, MOS 트랜지스터(MP₄)의 게이트와 소오스측 사이에는 -I₄Z₉의 전위가 걸리게 되어 MOS 트랜지스터(MP₄)는 ′온′, MOS 트랜지스터(MP₃)는 오프가 된다. 그리고 MOS 트랜지스터(MN₂)의 게이트에는 저항(Z₈), MOS 트랜지스터(MP₄), 저항(Z₁₀)을 통하여 전원(V_DD)이 공급되므로 MOS 트랜지스터(MN₂)가 턴온되어 출력단자(2)는 ′L 레벨′ 상태를 떨어지며, 이때 MOS 트랜지스터(MN₂)의 게이트와 소오스측 사이의 전위가 문턱전압 이상이 되도록 저항(Z₈)(Z₁₀)의 값을 조절한다. 이상의 동작은 ECL 레벨을 CMOS 레벨로 변환시키는 회로의 동작으로서 본 발명의 실시예인 제1도에서 MOS 트랜지스터(MP₁)(MP₂), (MN₂)가 이와 동일하게 동작되어 출력단자(1)로 CMOS 레벨신호를 얻게 된다. 따라서 입력신호(Vin₁)가 ′H 레벨′로 전달될 때에 트랜지스터(Q₃)가 ′턴온′되고 에미터측 전위는 Z₃C₁의 시정수에 따라 증가되어 트랜지스터(Q₃)의 에미터측 전류가 증가하게 된다.

그리고 트랜지스터(Q₄)의 베이스측 전위는 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터측의 증가전류(IC₃)와 저항(Z₁)에 의하여 감소되어 트랜지스터(Q₄)의 에미터측 출력이 감소하게 된다. 이 출력은 저항(R₅)을 통하여 인가되는 트랜지스터(Q₂)의 베이스측 바이어스 전원을 감소시키므로 결국 기준전압(VR₁)이 감소하게 된다. 즉, 이를 제4도에 의하여 살펴보면 입력신호(Vin₁)가 ′L 레벨′ 상태에서 ′H 레벨′ 상태로 천이될 때 기준전압(VR₁)은 역상으로 감소된다. 따라서 입력신호(Vin₁)가 ′H 레벨′에서 ′L 레벨′로 천이될 때에는 상기와 반대로 동작되며 기준전압(VR₁)이 상승하게 되는 것으로, 이때에는 트랜지스터(Q₃)는 ′오프′ 상태를 유지하고 트랜지스터(Q₄)가 ′온′되며 저항(Z₅)을 통하여 상승된 기준전압(VR₁)이 트랜지스터(Q₂)의 베이스측으로 인가된다. 여기서 저항(Z₃)과 콘덴서(C₁)값의 설정은 중요한 것으로 Z₃, C₁의 시정수를 입력신호의 천이시간에 비하여 너무 크게하면 입력신호(Vin₁)가 트랜지스터(Q₃)의 에미터측으로 출력되는 시간의 지연이 크게 되어 얻고자 하는 고속특성을 얻을 수가 없으므로 입력신호(Vin₁)의 조건과 각 소자들의 특성에 따라 알맞는 Z₃, C₁이 선택되어야 한다. 이상에서와 같이 본 발명은 에미터 커플 로직회로와, CMOS 레벨변환회로로 구성되는 레벨시프트회로에 있어서 에미터 커플 로직회로의 전단에 입력신호(Vin₁)에 대하여 기준전압(VR₁)이 역으로 공급되게한 입력신호를 구성함으로서 동작레벨의 천이시 베이스전류에 의한 효과를 상쇄, 극복하여 기준전압의 위치를 입력신호의 전위쪽으로 당겨 빠른 스위칭효과를 기대할 수가 있다. 이와 같이 ECL 입력수준레벨을 CMOS 입력수준레벨로 변환시켜 고속의 스위칭을 기할 수가 있으므로 ECL 호환메모리나 데이타 콘버터등에서 고속의 성능을 얻고자 할때 널리 사용될 수 있는 특징이 있다.

Claims

입력전압(Vin₁)에 의하여 구동되는 트랜지스터(Q₁)와, 기준전압(VR₁)에 의하여 구동되는 트랜지스터(Q₂)를 에미터 키플로직회로로 구성하고, 각각의 트랜지스터(Q₁)(Q₂) 콜렉터측에 연결되어 레벨변환시키는 MOS 트랜지스터(MP₁)(MP₂)와, 출력측에 연결되고 MOS 트랜지스터(MP₁)(MP₂) 사이에 연결된 MOS 트랜지스터(MN₁)로 CMOS 레벨변환회로가 구성된 레벨시프트회로에 있어서, 상기 에미터 키플로직회로의 전단에 입력신호(Vin₁)에 의하여 시정수를 갖고 동작되는 트랜지스터(Q₃)와, 상기 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터측에 연결되어 입력신호(Vin)에 대하여 역으로 기준전압(VR₁)이 공급되게 한 입력회로(10)를 구성시킨 고스피드용 레벨시프트회로.
제1항에 있어서, 입력회로(10)는 상기 에미터 키플로직회로의 트랜지스터(Q₁)에 입력신호(Vin₁)를 공급하고, 에미터측에 콘덴서(C₁) 및 저항(Z₃)이 연결된 트랜지스터(Q₃)와, 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터측에 연결되어 에미터측 저항(Z₅)을 통하여 기준전압(VR₁)을 공급하는 트랜지스터(Q₄)로 구성되게한 고스피드용 레벨시프트회로.