KR910008732A - 3개의 트랜지스터를 가지는 eeprom셀 - Google Patents

3개의 트랜지스터를 가지는 eeprom셀 Download PDF

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KR910008732A
KR910008732A KR1019900016909A KR900016909A KR910008732A KR 910008732 A KR910008732 A KR 910008732A KR 1019900016909 A KR1019900016909 A KR 1019900016909A KR 900016909 A KR900016909 A KR 900016909A KR 910008732 A KR910008732 A KR 910008732A
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transistor
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floating gate
transistors
charge
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KR1019900016909A
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Inventor
앤드루 도일 부르스
찰스 스티일 랜디
애스새프 라드 세포인
Original Assignee
다니엘 쿼지색
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 인코포레이티드
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    • G11C—STATIC STORES
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract

내용 없음

Description

3개의 트랜지스터를 가지는 EEPROM셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 개선된 EEPROM의 배선도.
제5도는 본 발명의 EEPROM 셀을 사용한 프로그램가능 논리 장치의 한부분의 배선도.

Claims (12)

  1. 소거가능한 비-휘발성 축적 셀에 있어서, 출력 신호 라인에 연결되고 제어 입력을 가지는 선택 트랜지스터와: 상기 트랜지스터에 연결되며, 그 동작은 축적 전하 노드상에 축적된 전하에 의해 제어되는 부유 게이트 트랜지스터와, 상기 부유 게이트 트랜지스터와 전압 공급원에 연결되며, 제어 입력을 가지는 프로그래밍 트랜지스터로 구성되고, 상기 셀은 상기 프로그래밍 트랜지스터를 통해 축적 전하와 공급 전압 사이에 전하를 이동시켜 프로그램되고, 상기 선택 트랜지스터에 제어 신호를 인가하여 판독됨을 특징으로 하는 소거가능하는 비-휘발성 축적 셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공급 전압은 전하를 축적 전하 노드상에 축적시키기 위하여 프로그래밍 전압 레벨로 상승되고, 그렇지 않으면 접지전위에 유지됨을 특징으로 하는 소거가능한 비-휘발성 축적 셀.
  3. 제1항에 있어서, 상기 셀은 또한 상기 축적 전하 노드상에 용량성 있게 공급되는 제2공급 전압을 가지며, 상기, 제2공급 전압은 프로그래밍 전압 레벨로 상승하여 전하를 상기 축적 전하 노드로부터 제거하거나, 그렇지 않으면 접지 전위에 남게함을 특징으로 하는 소거가능한 비-휘발성 축적 셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 공급 전압은 프로그래밍 전압 레벨로 상승하여 전하를 상기 축적 전하 노드에 축적시키거나, 그렇지 않으면 접지 전위에 남게함을 특징으로 하는 소거가능한 비-휘발성 축적 셀.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로그래밍 트랜지스터는 상기 선택 트랜지스터보다 물리적으로 더 크며, 정상 동작 전압보다 더 큰 프로그램밍 전압들은 상기 프로그래밍 트랜지스터에만 공급됨을 특징으로 하는 소거가능한 비-휘발성 축적 셀.
  6. 제1항에 있어서, 정상 동작동안, 상기 프로그램밍 트랜지스터는 항상 "스위치-온"되고 상기 공급 전압은 접지되며, 상기 선택 트랜지스터는 그 제어 입력에 인가된 고 전압에 의해 "스위치-온"됨으로써 상기 선택 트랜지스터가 "스위치-온"될때 상기 부유 게이트 트랜지스터가 상기 부유 게이트에 의해"온"으로 제어되면 출력신호 라인은 접지에 연결되고, 그렇지 않으면 상기 셀을 통해 접지에 연결되지 않음을 특징으로 하는 소거 가능한 비-휘발성 축적 셀.
  7. 프로그램가능 논리 장치용 어레이 접합 스위치 소장에 있어서, 출력 신호 라인과, 부유 게이트상에 축적된 전하로써 1비트의 연결 정보를 각각 축적하는데 제1 및 제2부유 게이트 트랜지스터들과; 상기 제1 및 제2부유게이트 트랜지스터들 각각과 상기 출력 신호 라인 사이에 연결된 제1및 제2프로그래밍 트랜지스터들로 구성되고, 상기 제1및 제2부유 게이트 트랜지스터들은 상기 각각의 제1및 제2프로그래밍 트랜지스터들을 통해 그들의 게이트들과 공급 전압 사이에 전하를 이동시켜 프로그램하고, 상기 제1및 제2선택 트랜지스터를 각각 "터온-온"시켜 판독함을 특징으로 하는 프로그램가능 논리 장치용 어레이 접합 스위칭 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1및 제2프로그래밍 트랜지스터들은 상기 선택 트랜지스터들보다 물리적으로 더 크며, 상기 정상적인 동작 전압보다 더 큰 프로그래밍 전압들은 상기 프로그래밍 트랜지스터들에만 공급됨을 특징으로 하는 프로그램가능 논리 장치용 어레이 접합 스위칭 소자.
  9. 제7항에 있어서, 정상적인 동작 동안, 상기 프로그래밍 트랜지스터들은 항상 "스위치-온"되고, 공급 전압은 접지에 공급되며, 상기 선택 트랜지스터들은 그들의 제어 입력들에 인가된 고 전압에 의해 "스위치-온"되어, 상기 선택 트랜지스터들이 "스위치-온"될때 만약 상기 연결된 부유 게이트 트랜지스터가 그 부유 게이트에 의해 "온"으로 제어되면 상기 출력 신호 라인은 접지에 연결되고, 그렇지 않으면 상기 셀을 통해 접지에 연결되지 않음을 특징으로 하는 프로그램가능 논리 장치용 어레이 접합 스위칭 소자.
  10. 입력 신호 종열과 프로덕트 터엄 신호 라인들을 포함하는 AND-OR어레이를 가지는 프로그램가능 논리장치에 있어서, 프로덕트 터엄 신호 라인들과 종열의 각각의 접합은 스위칭 소자를 포함하며, 상기 스위칭 소자는, 제어 입력을 가지며 상기 프로덕트 터엄 신호 라인에 연결된 선택 트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터에연결되며, 그의 동작이 축적 전하 노드상에 축적된 전하에 의해 제어되는 부유 게이트 트랜지스터와, 상기 부유게이트 트랜지스터와 공급 전압에 연결되고 제어 입력을 가지는 프로그래밍 트랜지스터로 구성되며, 상기 스위칭소자는 상기 프로그램밍 트랜지스터를 통해 상기 축적 전하 노드와 공급 전압 사이의 전하를 이동시켜 프로그램되고, 상기 선택 트랜지스터에 제어 신호를 인가함으로써 판독됨을 특징으로 하는 AND-OR어레이를 가지는 프로그램가능 논리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 프로그래밍 트랜지스터는 상기 선택 트랜지스터보다 물리적으로 더 크며, 정상적인 동작 전압보다 더 큰 프로그래밍 전압들은 상기 프로그래밍 트랜지스터에만 공급됨을 특징으로 하는 AND-OR어레이를 가지는 프로그램가능 논리 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 정상적인 동작동안, 상기 프로그래밍 트랜지스터는 항상"스위치-온되고, 상기 공급 전압은 접지에 공급되며, 상기 선택 트랜지스터는 그 제어 입력에 인가된 고 전압에 의해 "스위치-온되어:상기 선택 트랜지스터가"스위치-온"될때 만일 상기 부유 게이트 트랜지스터가 상기 부유 게이트에 의해 "온"으로 제어되면 상기 프로덕트 터엄 신호 라인이 접지 연결되고, 그렇지 않으면 상기 셀을 통해 접지에 연결되지 않음을 특징으로 하는 AND-OR어레이를 가지는 프로그램가능 논리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016909A 1989-10-31 1990-10-22 3개의 트랜지스터를 가지는 eeprom셀 KR910008732A (ko)

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