KR910005113B1 - 간략화한 가스 방전장치 심머링 회로 및 이의 동작 방법 - Google Patents

간략화한 가스 방전장치 심머링 회로 및 이의 동작 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
간략화한 가스 방전장치 심머링 회로 및 이의 동잘 방법
[도면의 간단한 설명]
제1도는 간략화한 심머 전원 공급 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제2도는 심머 전류를 발생하기 위해 전류 제한 다이오드를 사용하는 상태를 그래프식으로 개략적으로 도시한 도면이다.
제3도는 JFET 출력단자로서 소오스가 접속되고, 입력 단자로서 드레인이 접속된 전력 JFET 심머 전원 공급 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제4도는 FET 입력 단자로서 소오스가 접속되고, 출력 단자로서 드레인이 접속된 절연 게이트 전력 FET 심머 전원 공급 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제5도는 입력 단자로서 JFET 소오스가 접속되고, 출력단자로서 드레인이 접속된 전력 JFET 심머 전원 공급 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제6도는 펄스 레이저에 정상으로 관련된 트리거 회로와 펄스형성 회로망에 관련하여 심머 전원 공급장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제7도는 별개의 소오스 전류 전원 공급 장치를 가진 전력 절연 게이트 FET 심머 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
제8도는 출력 단자로서 FET 소오스가 접속되고 입력단자로서 드레인이 접속된 절연 게이트 FET 심머 전원 공급 장치의 선택적인 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
제9도는 JFET의 Idss가 바람직한 심머 전류를 위해 선택되는 전력 JFET 심머 전원 공급 장치 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
[발명의 상세한 설명]
[발명의 배경]
레이저 펌프 소오스로 사용되는 후레쉬램프(flashlamp)와 같은 가스 방전 장치의 펄스와 동작에서는, 가스 방전 장치의 동작을 안정화시키기 위해 펄스 동작들 사이에 가스 방전 장치를 계속적인 도통 상태로 유지시키기 위한 회로가 종종 필요하다. 가스 방전장치의 가장 통상적인 형태중의 하나는 전형적인 크세논(Xenon) 또는 크립톤(Krypton) 가스를 포함하는 후레쉬램프이다. 이 형태의 후레쉬램프들은 전형적으로 레이저 펌프 소오스로서 사용되는데, 본 발명의 설명을 위해서 후레쉬램프가 대표적인 가스 방전 장치로서 사용된다. 후레쉬램프 임피던스 및 유사한 가스 방전 장치의 임피던스는 고 비-선형이고, 저 전류의 경우에는 부(-)로 된다. 후레쉬램프가 계속적인 도통 상태로 유지되게 하기 위해서는, 후래쉬램프 자체의 부(-) 동적 임피던스보다 큰 내부 임피던스를 갖고 있는 소오스로부터 전력을 공급받아야 된다. 종래에, 가장 간단한 형태의 심머링(simmering) 전원 공급 장치의 램프내의 전류를 제어하기 위해 소오스와 후레쉬램프 사이에 커다란 직렬 저항기가 배치된 간단한 고 전압 DC 소오스이었다. 이 형태의 설계는 간단하지만, 안정한 동작을 하기 위해 상당한 전력 소모를 필요로 한다. 예를들어, 10,000Ω 저항기를 사용하면, 전형적인 후래쉬램프의 심머링은 100mA에서 달성된다. 램프 전압이 거의 200V로 되므로, 120W 전체 전력 소모로 안정한 심머링을 하기 위해 100mA, 1,200V 소오스가 필요하다.
상술한 직렬 저항기 회로에 수반된 전력 소모를 크게 감소시키는 다른 방법은 DC-DC 변환기의 입력에 정전류를 통과시키는 스위칭 예비-조정기를 사용하는 것이다. 이 형태의 심머링 전원 공급 장치는 후레쉬램프내에 많은 양의 리플 전류를 발생시키고, 신뢰할만한 심머링을 위해 60-80mA를 필요로 한다. 전체 효율은 대략 65%로 되어, 약 22W의 전체 전력 소모 및 약 50개의 회로 부품을 발생시킨다. 직렬 저항기 회로에 비해서 전력 소모면에서 개량점을 제공하나, 회로들이 전형적으로 복잡하고 많은 부품수를 필요로 하기 때문에 간소화를 희생하여 이 개량점을 제공하는 다른 형태의 심머링 회로들이 시판되고 있다.
심머링 전원 공급 장치는 전형적으로 펌프식 레이저를 사용하는 레이저 랜지파인더(rangefinder) 및 그외의 다른 전술(tractical) 시스템에 사용된다. 휴대형 시스템에서는, 동작 전력이 전형적으로 바테리에 의해 공급되기 때문에 전력 소모가 매우 중요한 파라메터이다. 부수적으로, 모든 전력 소모는 과도한 온도 형성을 방지하기 위해 제거되어야 하는 열을 발생시킨다. 신뢰성 또한 매우 중요한데, 공지된 바와 같이, 신뢰성은 복잡성이 증가함에 따라 감소된다. 따라서, 적은 부품을 사용하고 전력 소모를 최소화하는 간단하고 신뢰성 있는 심머링 전원 공급 장치가 필요하다. 본 발명은 전력 소모를 크게 감소시키면서 펄스화 동작들 사이의 심머링 상태에 후래쉬램프 또는 다른 유사한 가스 방전 장치를 유지할 수 있는 적은 부품수를 갖는 매우 간단한 회로를 제공함으로써 상기 모든 요구의 최적한 해결책을 제공한다.
[본 발명의 간단한 설명]
본 발명의 회로는 장치의 종단 임피던스를 최대화시키는 구성에 사용된 전력 FET 또는 그외의 다른 고전압 작동 장치를 사용한다. 이 높은 종단 임피던스는 후래쉬램프와 직렬로 배치된다. 이 장치의 고임피던스는 전형적으로 10mA 이하인 매우 낮은 전류에서 후래쉬램프가 도통되게 한다. 본 발명의 심머 전원 공급회로는 기본 DC 전원 공급 장치로부터 구동되거나, 선택적으로 펄스화 레이저 동작에 통상적으로 관련된 펄스-형성 회로망의 정상 충전 동작동안 충전되는 캐패시터부터 공급될 수 있다. 이하 명세서, 청구범위 및 첨부도면을 연구함으로써 그외의 다른 목적 및 장점을 명백히 알 수 있다.
[상세한 설명]
제1도는 본 발명에 따라 구성된 심머 전원 공급 장치의 상세한 개략도이다. 심머 전원 공급 장치의 입력은 전형적으로 대부분의 펄스화된 레이저에 관련된 전원 공급 장치를 충전시키는 펄스 형성 회로망(pulse forming network : PFN)으로부터 인입된다. 대부분의 경우에, 심머 전원 공급 장치는, 충전 전원 공급 장치의 아무런 변형을 필요로 하지 않고서 PFN으로부터 직접 전력을 수신할 수 있다. 유일한 효과는 전원공급 장치의 충전 시간을 약간 연장시킨다는 것이다. 캐패시터(1)은 PFN이 충전되는 동안 다이오드(2)를 통하여 충전된다. 매우 높은 PFN 전압(예를들어, 1000V 정도의 전압)이 존재하는 시스템에서, 캐패시터(1)은 다이오드(2)를 통해 고전압 변압기의 탭에 접속시킴으로써 충전된다. 이것은 특별히 어려운 기술적 문제가 없다.
저항기(3), 캐패시터(4), 제너다이오드(5) 및 저항기(6)으로 구성되는 회로망은 전력 FET(7)용 게이트 바이어스 소오스를 공급하는 약 20V의 부동(floating) 바이어스를 발생시킨다. 이 바이어스 전압은 FET의 게이트 임계 전압과, FET의 소오스 리드선과 직렬로 배치되는 저항기(8) 양단의 전압 강하 사이로 나누어 진다. 게이트 임계 전압이 20V보다 상당히 작기 때문에(전형적으로 1-2V), 대부분의 전압이 소오스 바이어스 저항기(8) 양단에 걸리게 되므로, 정소오스 전류를 발생시키게 된다. 저항기(8) 양단의 전압은 FET의 드레인 소오스간 양단 전압이 수볼트보다 크게 되어 있는한 FET의 드레인 소오스간 양단전압에 의해 단지 매우 작은 영향을 받기 때문에, 후레쉬램프 부하의 캐패시터(1)로부터 도전된 전체 전류는 주로 저항기(8)의 크기 및 제너 다이오드(5)의 전압에 의해 셋트되어, 캐퍼시터(1)의 전압이 30V 정도로 작은 램프 전압보다 크게 한다. 캐퍼시터(1)상의 전형적인 초기전압이 800V이고, 10-15mA에서의 램프에 대한 전형적인 심머 전압이 200V 이하로 되므로, 정 램프 전류에 대한 이 상태가 용이하게 부합된다.
제1도에 도시한 회로에 대한 전형적인 부품값 및 장치 형태는 다음과 같다.
캐패시터(1) 1μF 1000V
다이오드(2) 1N 3647
저항기(3) 1M 1/2watt
캐패시터(4) 0,1μF 50V
제너 다이오드(5) 1N 968
저항기(6) 10M 1/2watt
FET(7) MTM 1N 100
저항기(8) 1K 1watt
다이오드(9) 1N 3647
저항기(10) 100 1/4watt
후레쉬램프가 펄스화되면, PFN 전원 공급장치는 램프 스위칭 장치, 일반적으로는 SCR을 턴오프시키기 위해 소정 기간동안 억제된다. 이때 다이오드(2)를 순방향 바이어스하여 캐패시터(1)이 재충전되게 하는 레벨로 PFN이 재충전 되게 하는데는 약간 시간이 걸린다. 다이오드(2)가 역방향 바이어스 되는 동안, 정전류에서 캐패시터(1)을 FET를 통해 램프로 방전시킴으로써 정 심머 전류가 공급된다. 캐패시터(1)은 최대 재충전 시간(전형적으로 30ms 이하) 동안 바람직한 심머 전류를 공급하기 위해 충분한 전기력 캐패시턴스를 갖고, 초기 전압이 최소 설계 PFN 전압으로 되고 최종전압이 최대 심머 전압 이상인 약 30V로 되도록 선택된다. 그러므로, 캐패시터(1)은 전형적으로 1μF로 되어, 온도 영향 및 수명에 대해 큰 안정도를 제공한다.
캐패시터(1)이 대부분의 응용시에 초기에 PFN 전압으로 충전되고 후레쉬램프 양단의 최대 전압이 모든 경우에 초기 PFN 전압보다 작기 때문에, 다이오드(2)가 대부분의 응용시에 제거될 수 있다. 일반적으로 심머 응용시에 제공되는 심머 기능을 개시하도록 후레쉬램프에 트리거 펄스를 제공하기 위해 다이오드(9)의 애노드로부터 저항기에 의해 램프 전압이 감지되는 응용시에는 저항기(6)이 불필요하다. 저항기(10)은 일반적으로 고주파 발진을 방지하기 위해 FET 응용시에 사용되는 기생 발진 억제 저항기이다. 저항기가 FET 소오스와 직렬로 사용되기 때문에, 배선이 매우 간단하게 유지되고 양호한 고주파 접지 및 차폐 기술이 용용된 경우에는 일반적으로 저항기(10)이 불필요하다. FET 게이트 전압이 재너 다이오드(5) 양단의 전압 강하에 의해 정해지고, 캐패시터(1)이 방전할 때에만 FET 드레인 전압이 서서히 변하여 장치 내부 전극 캐패시턴스를 발생시키는 게이트 전류를 제한시키기 때문에, 대부분의 경우에 캐패시터(4)는 제거될 수 있다. 그러므로 본 발명의 전형적인 심머 전원 공급 장치는 6개 정도의 적은 부품을 갖게 된다.
제2도는 본 발명의 가장 간단한 심머 개념을 도시한 것이다.(게이트가 소오스에 쇼트된 JFET와 등가인) 전류 제한 다이오드(Current Limited Diode ; CLD) 형태의 단일의 2-단자 비선형 장치(15)는 고전압 소오스와 가스 방전 장치(16) 사이에 접속되어 있다. 이러한 고전압 CLD 장치는 현재 상업적으로 시판되지 않기 때문에, 현대에는 다른 구성이 양호한데, 이것들은 다른 도면에 도시되어 있다. 제2도에 도시한 회로의 모델이 직병렬 접속으로된 다수의 저전력(저전압 및 저전류) CLD 장치를 사용하여 형성되고 성공적으로 검사되었다. 이 개념은 결정적으로 실행될 수 있고 단일 장치가 유용하게 되어 상술한 직병렬 접속 저전력 CLD 장치와 등가의 기능을 수행할 때 빈번하게 응용되어야 한다. 종래 기술의 방법은 방전의 도통을 유지하기 위해 가스 방전 장치와 직렬로된 저항기를 사용하였다. 저항기를 사용하여 본 발명을 사용하여 달성된 것과 동일한 성능을 달성하기 위해서, 저항기는 약 100,000Ω 정도로 되어야 한다. 이때 제1도에 도시한 심머 전원 공급 장치에 사용되는 약 17mA의 전류를 달성하기 위해서, 1,900V가 필요하게 된다.
가스 방전 장치(후레쉬램프) 심머링시의 주요 특징은 저전류에서 부하가 높은 부(-) 종단 임피던스를 나타낸다는 것이다. 부하를 심머 상태에 유지하기 위해서, 전류가 광범위하게 변하는 전압 상태에 대해 일정하게 유지되어야 한다. 상세하게 말하면, 부하를 통과하는 전류는 부하에 의해 필요한 전압이 증가할 때 크게 감소하지 말아야 한다. 이것은 매우 큰 소오스 임피던스를 필요로 한다. 상세하게 말하면, 소오스 임피던스가 램프의 부 임피던스보다 크게 되어야 한다. 제1도 내지 제8도에 도시한 본 발명의 여러 구성은 모두 부하에 이 구동 임피던스 형태를 나타낸다.
제3도는 입력 단자로서 드레인이 접속되고 JFET 출력 단자로서 소오스가 접속된 전력 JFET 심머 전원 공급장치를 도시한 것이다. 제3도에 도시한 회로는 게이트가 소오스로부터 바이어스된 JFET(20)을 사용한다. 게이트 바이어스 저항기(21)의 값이 0으로 되면(예를들어, 게이트가 직접 소오스에 접속되면), 이때 JFET의 I값은 상술한 게이트 및 소오스의 접속에 의해서 형성되는 CLD에 대한 제한 전류를 결정한다. 이 특정한 구성은 제9도에 도시되어 있다. 이 접속에 의하여, 소오스 단자와 직렬로 단일 저항기를 추가시킴으로써 Idss보다 작은 전류가 얻어질 수 있다. 이때 제너 다이오드(22) 및 소오스 저항기(23)이 쇼트되어 제거될 수 있다. 이 특정한 구성은 2-단자 전류 제한 다이오드로서 전력 JFET를 사용하고, 필요한 고 임피던스를 발생시킬 때 능동 소자로서 이 전력 JFET를 사용한다. 본 발명에 따라 사용한 것과 같은 JFET(더욱 상세히 말하면 공핍-형 장치)의 한가지 장점은 모든 바이어스 구성부품이 입력 공급 버스로부터 절연된다는 것이다. 이것은 또한 출력 임피던스를 증가시키므로, 회로의 심머 능력을 개선시킨다. 공핍-형 MOSFET 장치로 이와 동일한 장점을 가지므로, 본 발명의 범위내에서 사용될 수 있다.
제4도는 드레인이 출력단자로서 접속되고 소오스가 소오스 바이어스 저항기(25)를 통하여 입력 단자로서 접속되어 있는 전력 절연 게이트 FET 심머 전원 공급 장치를 도시한 것이다. 가스 방전 장치형 부하(16)은 전형적으로 FET(26)의 드레인에 직접 접속된 후레쉬램프이다. 이 구성내에는 부하를 분리시키는 바이어스 회로망이 없으므로, FET의 고 출력 임피던스가 최대 장점으로 사용되게 된다. 저항기(27)은 제너 다이오드(28)에 대한 바이어스를 제공한다. 제너 전압과 FET 게이트 소오스 전압 사이의 차이는 FET 소오스와 직렬로되는 저항기(25) 양단에 걸리게 되므로, 정 드레인 전류를 발생시키는 정 소오스 전류를 발생시킨다. 캐페시터(1)은 상술한 바와 같이 방전들 사이에 후래쉬튜브에 심머 전류를 공급한다.
제5도는 트랜지스터가 게이트보다 더 정(+)인 JFET(29)의 소오스에 제너 바이어스 저항기(30)이 접속되어 드레인에서 바람직한 고임피던스를 유지하면서 이 저항기에 대한 고전압 필요성을 최소화시킨다는 점을 제외하고는, 제4도에 도시한 구성과 유사한 전력 JFET 심머 전원 공급 장치를 도시한 것이다. 소오스 바이어스 저항기(25) 및 제너 다이오드(28)은 제4도에 도시한 것과 등가이다.
제6도는 PFN 방전 트리거 회로(35) 및 후래쉬램프 트리거 회로(36)과 접속된 본 발명의 심머 전원 공급 장치를 도시한 상세한 개략 계통도이다. 제6도에 도시한 심머 전원 공급 장치는 제1도의 것과 등가이고, 부품 및 동작의 일반적인 설명과 표시가 동일하게 응용된다. 후레쉬램프 트리거 회로는 비-심머 상태를 나타내는 프리셋트 감지 헤벨을 초과하는 후레쉬램프의 단자 전압 전형적으로 600V에 응답하여 후레쉬램프(37)을 트리거시키기 위해 초기 이온 전압을 제공한다. PFN 캐패시터(38, 전형적으로 22μF)은 최종적인 광학 에너지 출력이 레이저를 펌프시키는데 사용될 수 있는 후레쉬램프에 부과되는 에너지를 저장한다. PFN 인덕터(39)는 피이크 전류를 제한시키고, 최대 광학 펌핑 효율을 위해 후레쉬램프 전류 펄스를 형성한다. SCR(40)은 PFN이 재충전할 수 있도록 후레쉬튜브 방전 다음에 PFN을 절연시키도록 신속하게 회복되는 전력 스위치로서 작용한다. PFN 방전 트리거 회로(35)는 PFN 에너지가 주기적으로 후레쉬램프 내로 방전하도록 주기적 입력을 SCR(40)에 제공한다.
제7도는 제너 다이오드(28) 및 이것의 바이어스 저항기(27)이 외부 저전압 전원 공급 장치로 대치된 것을 제외하고는, 제4도와 유사하게 동작한다.
제8도는 제1도에 도시한 회로의 간략화한 구성을 도시한 것으로, 제8도내의 부품 번호는 제1도의 것과 대응한다. 소정의 응용시에 허용된 바와 같이 약간의 부품이 제거되었다. 예를들어, 제1도에 도시한 바와 같은 다이오드(2)가 PFN 충전 공급 장치내의 한 부분으로 될 때 이 다이오드(2)는 제거될 수 있다. 후레쉬램프 방전중의 최대 전압이 일반적인 경우와 같이 항상 캐패시터(1)에서의 전압보다 작으면 다이오드(9)가 제거될 수 있다. 이와 마찬가지로, 게이트 단자로의 용량성 전류가 제1도내의 저항기(3)에 의해 공급된 제너 바이어스 전류보다 작은 경우에는 캐패시터(4)가 제거될 수 있다. 저항기(6)의 기능은 항상 기존의 후래쉬튜브 트리거 회로내에서 달성되므로, 종종 심머 전원 공급 장치 자체내에서의 이 저항기의 필요성을 제거시킨다.
제9도는 JFET(20)이 제3도에 도시한 회로와 유사하게 구성된 전력 JFET 심머 전원 공급 장치를 도시한 것이다. 제9도에서 JFET Idss는 바람직한 심머 전류에 따라서 선택되므로, JFET 소오스와 가스 방전장치(16) 사이에 직렬 저항기 필요성을 제거시킨다.
상술한 본 발명의 실시예는 단지 설명하기 위한 것으로, 본 분야에 숙련된 기술자들은 본 발명을 여러 가지로 변형시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 상술한 실시예에 제한되지 않고, 첨부된 특허청구의 범위에 의해 제한된다.

Claims (23)

  1. 가스 방전 장치에 심머링 전류를 제공하기 위한 심머링 회로에 있어서, 입력, 출력 및 제어 단자를 갖고 있고 상기 방전 장치의 임피던스보다 상당히 큰 임피던스를 갖는 반도체 장치, 상기 입력 단자에 고전압 직류를 인가시키기 위해 고전압 직류 소오스를 포함하는 전원 공급수단, 상기 제어 단자에 바이어스 전압을 제공하기 위한 바이어스 공급 수단, 및 상기 출력 단자와 상기 방전 장치 사이에 직렬로 배치된 임피던스 수단을 포함하고, 상기 임피던스 수단의 전압 강하가 상기 반도체 장치의 상기 입력 및 출력 단자의 양단의 전압 강하보다 상당히 크도록 상기 임피던스가 선택되고, 상기 반도체 장치의 상기 출력 단자가 상기 방전 장치에 160V 이상의 정상 동작 전압 중에 변화 전압의 범위에서 정심머 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 전류 공급 장치에 접속시키기 위한 입력단자, 부하에 접속시키기 위한 출력단자, 및 제어 전압에 응답하여 상기 입력 단자와 상기 출력단자 사이의 전류 흐름을 제어하기 위한 제어단자를 포함하는 최소한 3개의 단자를 갖고 있는 능동 고전압, 고임피던스 장치이고, 상기 출력단자가 심머 전류를 공급하기 위해 상기 가스 방전 장치에 접속되며, 상기 입력단자가 고전압 직류 소오스에 접속되고, 상기 제어 단자가 상기 반도체 장치의 상기 입력 단자와 상기 출력단자 사이로 상기 섬머 전류를 통과를 제어하기 위해 제어 전압 소오스에 접속되는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고전압 직류 소오스가 상기 심머 전류를 공급할 수 없는 동안 상기 가스 방전장치에 상기 심머 전류를 공급하기 위해 고전압 직류 소오스 양단에 접속된 충전 저장 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 임피던스 수단은 그 일단의 상기 능동 반도체 장치의 상기 출력단자에 접속되고 타단이 상기 가스 방전 장치에 접속된 전류 제어 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  5. 제1항에 있어서, 일단이 상기 능동 반도체 장치의 상기 입력단자에 접속되고 타단이 상기 고전압 전류 소오스의 복귀 단자에 접속된 전류 제어 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 고전압 직류 소오스가 펄스 형성 회로망 전원에 의해 공급되고, 상기 가스 방전 장치에 공급된 펄스들 사이의 기간동안 계속 상기 심머 전류를 공급하게 하기에 충분한 용량의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 심머 전류를 흐르게 하기 위해 상기 가스 방전 장치에 트리거 펄스를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 트리거 펄스 수단이 가스 도통을 시작하기 위해 상기 가스 방전 장치에 인가된 고전압 펄스의 소오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  9. 제5항에 있어서, 상기 전류 제어 저항기와 상기 가스 방전 장치 사이에 직렬로 배치된 절연 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  10. 제7항에 있어서, 펄스들 사이의 간격동안 상기 캐패시터가 펄스화된 고전압 소오스로 방전되는 것을 방지하도록 상기 펄스화된 고전압 소오스와 캐패시터 사이에 직렬로 접속된 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  11. 제2항에 있어서, 상기 반도체 장치의 입력 단자와 출력 단자 사이에서 흐르는 상기 심머 전류의 크기를 조절하기 위해 상기 반도체 장치의 제어 단자에 공급된 상기 제어 전압을 기준화하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기준화 수단이 제너 다이오드인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  13. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 고임피던스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 트랜지스터가 FET이고, 상기 입력 단자가 드레인 단자이며, 상기 제어 단자가 게이트 단자이고, 상기 출력 단자가 소오스 단자인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  15. 제13항에 있어서, 상기 트랜지스터가 FET이고, 상기 입력 단자가 소오스 단자이며, 상기 제어 단자가 게이트 단자이고, 상기 출력단자가 드레인 단자인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  16. 제13항에 잇어서, 상기 가스 방전 장치가 후레쉬램프인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  17. 제16항에 있어서, 상기 램프에 트리거 펄스를 공급하기 위한 수단이 후레쉬램프 전압을 감지하고 상기 후레쉬램프 전압이 심머링 상태를 나타내는 지점 위로 증가할 때 상기 트리거 펄스를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  18. 제16항에 있어서, 상기 후레쉬램프가 레이저 펄스 전송을 발생시키기 위해 레이저 전송기에 광학 펌핑을 공급하는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  19. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 전류제한 다이오드인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  20. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 게이트, 소오스 및 드레인 단자를 갖고 있는 JFET이고, 그 JFET의 게이트 및 소오스가 함께 접속되어 제1단자를 형성하고, JFET의 드레인이 제2단자를 형성하며, 상기 제1 및 제2단자가 상기 가스 방전 장치와 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  21. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치가 게이트, 드레인 및 소오스를 갖고 있는 JFET이고, 상기 드레인이 제1단자를 형성하며, 저항기의 일단이 상기 JFET의 소오스에 접속되고 타단이 JFET의 게이트에 접속되며, 상기 JFET의 게이트 및 상기 저항기의 타단이 제2단자를 형성하고, 상기 제1단자 및 제2단자가 상기 가스방전 장치와 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  22. 제1항에 있어서, 상기 반도체의 임피던스가 약 10MΩ 정도의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
  23. 제1항에 있어서, 상기 심서 전류가 10mA 정도인 것을 특징으로 하는 심머링 회로.
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