KR910001096A - 향상된 코오팅 접착성에 적합한 표면을 갖는 금속 물품 - Google Patents

향상된 코오팅 접착성에 적합한 표면을 갖는 금속 물품 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

향상된 코오팅 접착성에 적합한 표면을 갖는 금속 물품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (59)

  1. 향상된 코우팅 접착성에 적합한 표면을 갖는 금속 물품으로서, 이때 상기 표면은 바람직한 표면 입자 사이즈를 가지면서 연마 처리의 해로운 효과를 받지 않고, 깊은 입자 경계를 갖는 삼-차원 입자를 가지며, 상기 금속의 표면에서 상기 입자 경계내에 놓은 불순물의 부식을 포함하여 부식되고 이때, 미립간 부식은 프로파일로미터 -측정된 적어도 약250 마이크로인치의 평균 표면기침도 및 400 마이크로인치의 프로파일로미터(Profilometer)허용 상한과 300 마이크로 인치의 프로파일로미터 허용 하한을 기준으로 적어도 약 40의 평균 표면 피크/인치를 제공하는 금속물품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 물품의 금속이 티탄, 탄탈, 니오븀, 알루미늄, 지르코늄, 망간 및 니켈의 금속, 합금 및 금속간 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택되는 물품.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속이 비합금 티탄인 물품.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속 물품이 산소-방출 양극을 구성하는 물품.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 물품이 산소-방출 양극이외의 전극을 구성하는 물품
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속 표면이 약 3-약 7 범위 내의 적어도 실질적으로 모든 입자 사이즈를 갖는 물품.
  7. 제3항에 있어서, 부식시키기 전에 상기 티탄 표면이 철, 질소, 탄소, 수소, 베타-티탄, 베타-상 안정화제 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택되는 입자간 불순물을 갖는 물품.
  8. 제1항에 있어서, 상기 부식이 불순물의 적어도 실질적으로 연속적인 입자간 네트워크를 공격하는 물품.
  9. 제1항에 있어서, 상기 부식이 고온 강산 또는 강한 부식제 입자간 부식인 물품.
  10. 제9항에 있어서, 상기 고온 부식이 적어도 약 80℃의 고온에서 유지된 수성 부식 용액으로 수행되는 물품.
  11. 제9항에 있어서, 상기 강산이 염산, 황산, 과염산, 옥살산 및 인산 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택되는 물품.
  12. 제9항에 있어서, 상기 강한 부식제가 수산화 칼륨/과산화 수소 및 수산화 칼륨/질산 칼륨 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 물품.
  13. 제1항에 있어서, 상기 표면이 약 200 마이크로인치 보다 작은 낮은 반점이 없는 적어도 약 250 마이크로인치의 프로파일로 미터-측정된 평균 기침도를 갖는 물품.
  14. 제1항에 있어서, 상기 표면이 400 마이크로인치의 허용 상한과 300 마이크로인치의 허용 하한을 기준으로 적어도 약 60의 프로파일로미터-측정된 평균 표면 피크/인치를 갖는 물품.
  15. 제1항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000마이크로인치의 최대 피크와 최대 골 사이의 프로파일로 미터-측정된 평균 거리를 갖는 물품.
  16. 제1항에 있어서, 상기 표면이 약 1500마이므크로인치-약 3500마이크로인치의 최대 피크와 최대 콜 사이의 프로파일로 미터 측정된 평균 거리를 갖는 물품.
  17. 제1항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000마이크로인치의 프로파일로미터-측정된 평균 피크 높이를 갖는 물품.
  18. 제1항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1500 마이크로인치-약 3500마이트로인치이하의 프로파일로부터 측정된 평균 피크 높이를 갖는 물품.
  19. 제1항에 있어서, 부식하기전 상기 표면이 적어도 실질적으로 연속인 입자간 네트워크의 표면에서의 불순물을 포함한 불순물의 적어도 실질적으로 연속적 입자간 네트워크를 제공하기에 충분한 시간 동안 고온 어니일링되고, 상기 고온어니일링 후 조절된 냉각에 적용되는 물품.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속이 하나이상의 공기, 진공 또는 불활성기체 내에서 비합금 티탄 어닝일링되고 상기 어니일링 동안 도달되는 온도가 적어도 약 500℃인 물품.
  21. 제19항에 있어서, 상기 조절된 냉각이 켄칭(quenching)을 포함하는 물품.
  22. 제19항에 있어서, 상기 티탄이 적어도 약 15분 동안 어니일링되는 물품.
  23. 제1항에 있어서, 상기 표면이 코우팅처리되는 물품.
  24. 제23항에 있어서, 상기 코우팅 처리된 표면이 백금족 금속 또는 금속 산화물 또는 이들의 혼합물로 함유하는 전기화학적 활성 표면 코우팅을 갖는 물품.
  25. 제24항에 있어서, 상기 전기화학적 활성 표면 코우팅이 백금족 금속 산화물, 마그네라이트, 아철산염 및 산화코발트 스피넬로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 함유하는 물품.
  26. 제24항에 있어서, 상기 전기 화학적 활성 표면 코우팅이, 백금족 금속의 적어도 하나의 산화물과 밸브금속의 적어도 하나의 산화물의 혼합된 결정질 물질을 함유하는 물품.
  27. 제23항에 있어서, 상기 코우팅 처리된 표면이 하나 이상의 이산화망간, 이산화 납, 플레티네이트 치환체, 니켈-니켈 산화물 및 니켈+탄탄족 산화물을 함유하는 코우팅을 갖는 물품.
  28. 제1항에 있어서, 상기 물품이 전기아연도금 전지의 양극인 물품.
  29. 기계적 표면 처리의 유해한 효과를 적어도 실질적으로 받지 않는 불순한 금속의 표면을 유지하면서 불순한 금속의 표면에서의 불순물을 포함한 불순물의 적어도 실질적으로 연속적인 입자간 네트워크를 제공하기에 충분한 시간동안 상기 표면을 고온 어니얼링시키고 ; 결과 어니얼링된 표면을 냉각시키고 ; 강산 또는 강산 부식제를 써서 고온에서 표면을 입자간 부식시키는 것으로 구성된 상기 표면상에 향상된 코우팅 접착성을 위한 불순한 금속 표면을 제조하는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 금속이 티탄이고 상기 어니일링이 적어도 약 500℃의 상기 어니일링하는 동안 도달되는 온도에서 하나이상의 공기, 진공 또는 불활성 기체 내에서 수행되는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 냉각이 켄칭을 포함하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 부식이 확산 불순물의 적어도 실질적으로 연속적인 입자간 네트워크를 공격하는 방법.
  33. 제29항에 있어서, 상기 표면이 부식 후 코우팅 처리되는 방법.
  34. 향상된 코우팅 접착성에 적합한 표면을 갖는 금속물품으로서, 이때 상기 표면이 프로파일로미터로 측정하여, 적어도 약 250 마이크로인치의 평균 거침도와 300 마이크로 인치의 프로파일로미터 허용하한과 400마이크로인치의 프로파일로미터 허용 상한을 기준으로 적어도 약 40의 평균 표면 피크/인치를 갖는 금속 물품.
  35. 제34항에 있어서, 상기 표면이 약 200 마이크로인치보다 적은 낮은 반점이 없는 적어도 약 250 마이크로인치의 프로파이로미터-측정된 평균 거침도를 갖는 물품.
  36. 제34항에 있어서, 상기 표면이 400 마이크로인치의 허용 상한과 300 마이크로인치의 허용 하한을 기준으로 프로파일로미터-측정된 적어도 약 60의 평균 표면 피크/인치를 갖는 물품.
  37. 제34항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000마이크로인치의 최대 피크와 최대 골 사이의 프로파일로미터-측정된 평균 거리를 갖는 물품.
  38. 제34항에 있어서, 상기 표면이 약 1500마이크로인치-약3500마이크로인티의 최대 피크와 최대 골 사이의 프로파일로미터-측정된 평균 거리를 갖는 물품.
  39. 제34항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000마이크로인치의 프로파이로미터-측정된 평균 피크 높이를 갖는 물품.
  40. 제34항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1500마이크로인치-약 3500마이크로인치이하의 프로파일로미터 측정된 평균 피크 높이를 갖는 물품.
  41. 제34항에 있어서, 상기 표면이 기계적 처리의 유해한 효과를 적어도 실질적으로 받지 않는 물품.
  42. 제34항에 있어서, 상기 표면이 약 3-약 7범위의 적어도 실질적으로 모든 입자 사이즈를 갖는 물품.
  43. 제34항에 있어서, 상기 금속이 밸브 금속인 물품.
  44. 제34항에 있어서, 상기 표면이 깊은 입자 경계를 갖는 삼차원 입자에 의해 제공되는 거침도를 갖는 물품.
  45. 제34항에 있어서, 상기 물품의 금속이 티탄, 탄발, 니오븀, 알루미늄, 지르코늄, 망간 및 니켈의 금속, 합금 및 금속간 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 물품.
  46. 제43항에 있어서, 상기 밸브 금속이 비합금 티탄인 물품.
  47. 제46항에 있어서, 상기 밸브금속이 적어도 약 500℃의 상기 어니일링동안 도달되는 온도에서 하나이상의 공기, 진공 또는 불활성 기체내에서 어니얼링된 비합금 티탄인 물품.
  48. 제34항에 있어서, 상기 물품이 전기아연도금 전지의 양극인 물품.
  49. 기계적 표면 처리의 유해한 효과를 적어도 실질적으로 받지 않는 코오팅처리된 금속의 표면을 유지하면서 : 상기 코우팅처리된 금속 표면을 상기 코우팅을 제거하기 위해 베이직 물질을 함유하는 용융물에 적응시키고 ; 상기 용융물로부터 상기 금속 표면을 분리하고 이들을 냉각시키고 이들로부터 용융 잔류물을 제거하고 ; 상기 금속에 대해 표면 불순물의 적어도 실질적으로 연속인 입자간 네트워크 확산을 제공하기에 충분한 시간 동안 고오어니일링을 받게 하고 ; 결과 어니일링된 표면을 냉각시키고 ; 고온에서, 강산 또는 강한 부식계를 써서 표면을 입자간으로 부식시키는 것으로 구성된 재코우팅시키기 위한 코우팅 처리된 금속 표면의 제조방법.
  50. 둘다 플로파일로미터로 측정하여 적어도 약 250 마이크로인치의 평균 거친 표면 및 적어도 약 40의 평균 표면 피크/인치(이때 상기 피크/인치는 300 마이크로인치의 프로파일로미터 허용하한 및 400 마이크로인치의 프로파일로미터 허용 상한을 기준으로 함)을 갖는 지지체 금속 상에 전기화학적 활성 표면 코우팅을 그의 작업 표면으로서의 갖는 양극을 사용하여 부착될 금속의 용해된 종을 함유하는 욕을 전기 분해시킴으로써 지지체상에 금속을 전착시키는 방법.
  51. 제50항에 있어서, 아연-함유욕으로 부터 금속지지체를 전기 아연 도금시키는 방법.
  52. 제50항에 있어서, 주석-함유욕으로 부터 금속지지체를 전기 주석 도금시키는 방법.
  53. 전지의 욕내에 침지된 양극을 갖고 상기 전지의 욕내에 함유된 용해된 종의 전기분해용 전지로서, 이때 전지가 프로파일로미터로 측정하여 적어도 약 250 마이크로인치의 평균 거친 표면 및 적어도 약 40의 평균 표면 피크/인치(이때 상기 피크/인치는 300 마이크로인치의 프로파일로미터 허용 하한과 400 마이크로인치의 프로파일로미터 허용 상한을 기준으로 함)를 갖는 지지체 금속상에 전기화학적 활성 표면 코우팅을 그의 잡업 표면으로서 갖는 상기 전지의 욕내에 침지된 양극을 갖는 전기분해용전지.
  54. 제53항에 있어서, 상기 표면이 약 200 마이크로인치보다 적은 낮은 반점이 없는 적어도 약 250 마이크로인치의 프로파일로미터-측정된 평균 거침도를 갖는 전지.
  55. 제53항에 있어서, 상기 표면이 400 마이크로인치의 허용 상한과300마이크로인치의 허용 하한을 기준으로 적어도약 60의 프로파일로미터-측정된 평균 표면 피크를 갖는 전지.
  56. 제53항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000마이크로인치의 최대피크와 최대 골 사이의 프로파일로미터-측정된 평균 거리를 갖는 전지.
  57. 제53항에 있어서, 상기 표면이 약 1500마이크로인치-약 3500마이크로인치의 최대 피크와 최대 골 사이의 프로파일로미터 측정된 평균 거리를 갖는 전지.
  58. 제53항에 있어서, 상기 표면이 적어도 약 1000 마이크로인치의 프로파일로미터-측정된 평균 피크 높이를 갖는 전지.
  59. 제53항에 있어서, 보조표면이 약 1500 마이크로인치-약 3500마이크로인치 이하의 프로파일로미터 측정된 평균 피크 높이를 갖는 전지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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