KR900701662A - 초전도체 및 그들의 선구물질의 제조방법 - Google Patents

초전도체 및 그들의 선구물질의 제조방법

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Abstract

내용 없음

Description

초전도체 및 그들의 선구물질의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (33)

  1. (a) M, Ba 및 Cu의 화합물을 혼합시키는 것으로 구성된 방법에 의해, 선구물질 분말내의 상기 Cu가 원자가 1.6-2를 갖고, 혼합물내 상기 화합물의 양이 M : Ba : Cu의 원자비 1 : 2 : 3을 제공하도록 본질적으로 탄소가 없는 M, Ba 및 Cu의 화합물의 선구물질 분말을 제조하고: (b) 상기의 선구물질 분말을 불활성기체가 존재하는 가운데, 온도 약 650℃-약 800℃로 가열해주고: (c) 일반식 MBa2Cu3Oy를 갖는 정방정계상의 분말을 제공하기에 충분한 시간동안 상기의 온도 650℃이상을 유지시키고: (d) 단계 (c)에서 제조된 분말을 불활성 분위기내에서 온도 350℃ 이하로 냉각시키는 단계들로 본질적으로 구성된. 일반식 MBa2Cu3Oy(여기서, M은 Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm-Yb 및 Lu 중에서 선택되고: y는 약 6-약 6.5임)을 갖는 정방정계상의 분말을 제조하는 방법.
  2. (a) M. Ba 및 Cu의 화합물을 혼합시키는 것으로 구성된 방법에 의해 선구물질 분말내의 상기 Cu가 원자가 1.6-2를 갖고, 혼합물내 상기 화합물의 양이 M : Ba : Cu의 원자비 1 : 2 : 3을 제공하도록 본질적으로 탄소가 없는 M, Ba 및 Cu의 화합물의 선구물질 분말을 제조하고; (b) 상기의 선구물질 분말을 불활성 기체가 존재하는 가운데, 온도 약 650℃-약 800℃로 가열해주고: (c) 일반식 MBa2Cu30y를 갖는 정방성계상의 분말을 제공하기에 충분한 시간동안 상기의 온도 650℃ 이상을 유지시키고: (d) 단계 (c)에서 제조된 분말을 산소-함유 분위기내에서 냉각시키고 상기의 분말을 상기의 산소-함유 분위기내에서 상기의 정방정계상의 적어도 일부가 오르토사방정계상으로 전환되기에 충분한 시간동안 온도 적어도 350℃에서 유지시키는 단계들로 본질적으로 구성된, 분말중 일부는 일반식 MBa2Cu3Oy(여기서 X는 약 6.5-약 7임)을 갖는 오르토사방정계상을 갖는 분말을 제조하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기의 산소-함유 분위기내에 실제로 CO2가 없는 방법.
  4. (a) M, Ba 및 Cu의 화합물을 혼합시키는 것으로 구성된 방법에 의해 선구물질 분말내의 상기 Cu가 원자가 1.6-2를 갖고, 혼합물내 상기 화합물의 양이 M : Ba : Cu의 원자비 1 : 2 : 3을 제공하도록 본질적으로 탄소가 없는 M, Ba 및 Cu의 화합물의 선구물질 분말을 제조하고; (b) 상기의 선구물질 분말을 불활성 기체가 존재하는 가운데, 온도 약 650℃-약 800℃로 가열해주고: (c) 일반식 MBa2Cu3Oy를 갖는 정방성계상의 분말을 제공하기에 충분한 시간동안 상기의 온도 650℃ 이상을 유지시키고: (d) 단계(c)에서 제조된 분말을 불활성 분위기내에서 온도 350℃ 이하로 냉각시키고; (e) 단계(d)의 결과로 생성된 분말을 산소-함유 분위기내에서 온도 약 350℃-약 600℃로 재가열해주고 상기의 분말을 상기의 산소 함유 분위기내에서, 상기의 정방정계상외 적어도 일부가 오르토사방정계상으로 전환되기에 충분한 시간동안 온도 적어도 350℃에서 유지시키는 단계들로 본질적으로 구성된, 분말중 일부는 일반식 MBa2Cu3Ox(여기서 X는 약 6.5-약 7임)를 갖는 오스트사방정계상을 갖는 분말을 제조하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기의 산소-함유 분위기내에 실제로 CO2가 없는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 단계(a)에서 제조된 상기의 혼합물 내 상기의 Cu 화합물중의 Cu가 원자가 1을 갖고 상기의 원자가가 1.6-2내의 값으로 전환되도록 상기의 혼합물을 산소-함유 분위기내 온도 약 200℃-400℃에서 가열해준 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기의 산소-함유 분위기내에 실제로 CO2가 없는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 단계(a)에서 제조된 상기의 혼합물 내 상기의 Cu 화합물중의 Cu가 원자가 2를 갖는 방법.
  9. 제1항에 있어서, M이 이트륨인 방법.
  10. 제2항에 있어서, 단계(c)에서 제조된 분말을 산소-함유 분위기내에서, 정방정계상으로 있는 물질이 오르토사방정계상으로 전환되기에 충분한 시간동안 온도 적어도 400℃에서 유지시킨 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기의 산소-함유 분위기내에 실제로 CO2가 없는 방법.
  12. 제4항에 있어서, 단계(d)에서 생성된 상기의 분말을 산소-함유 분위기내에서 정방정계상으로 있는 물질이 오르토사방정계상으로 전환되기에 충분한 시간동안 온도 적어도 400℃로 재가열해준 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기의 산소-함유 분위기내에 실제로 CO2가 없는 방법.
  14. M : Ba : Cu의 원자비가 1 : 2 : 3인, Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군중에서 선택된 M, Ba 및 Cu 니트레이트의 수용액을 제조하고; 상기의 용액내의 M, Ba 및 Cu 모두를 실제로 침전시키기에 효과적인 량의 나트륨 차아질산염 또는 나트륨 과산화물과 상기의 용액을 혼합시키고; 결과로 생성된 침전물을 단리시키는 것으로 구성된, 선구물질 분말을 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, M이 Y인 방법.
  16. (1) 유기 용매내에 용해될 수 있고, (2) 가수분해시켜 상응하는 금속 산화물 또는 수산화물을 얻을 수 있고, (3) M : Ba : Cu의 원자비 1 : 2 : 3을 제공하는 양으로 폰제하는 Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택된 M, Ba 및 Cu의 화합물을 유기용매내에서 혼합시켜 용액을 제조하고, 절결로 생성된 용액을 물과 접촉시키는 것으로 구성된, 선구물질 분말을 제조하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, Cu의 화합물내의 Cu가 원자가 2를 갖는 방법.
  18. 제17항에 있어서, Cu의 화합물이 Cu〔(OCH2CH2)nOR〕2(여기서 n은 정수1이고, n이 1일 때 R은 C4이상의 알킬기이고 n〉2일 때 R은 C1이상의 알킬기임)인 방법.
  19. 제17항에 있어서, Cu의 화합물이 Cu(OCH2CH2NR2)2(여기서, R은 C1이상의 알킬기임)인 방법.
  20. 제18항에 있어서, n이 1이고 R이 부틸이거나 n이 2이고 R이 에틸인 방법.
  21. 제19항에 있어서, R이 메틸 또는 에틸인 방법.
  22. 제16항에 있어서, Cu의 화합물이 +1 원자가 상태로 있는 Cu를 함유하고 방법에 침전물을 단리시키고 침전물을 산소-함유 분위기내에서 Cu의 원자가를 1.6-2.0의 값으로 상승시키기에 충분한 시간동안 온도 약 200℃-약 400℃로 가열해주는 단계가 포함되는 방법.
  23. 제22항에 있어서, Cu의 화합물이 일반식 Cu(OCMe)3또는 Cu〔OCH(CMe3)2〕의 Cu 알콕사이드인 방법.
  24. 제22항에 있어서, Cu의 화합물이 일반식 Cu(NEt2), Cu(NBu2), 또는 Cu〔N(SiMe3)2〕의 Cu아미드인 방법.
  25. 제22항에 있어서, Cu의 화합물이 Cu (메시틸)인 방법.
  26. 일반식 Cu〔(OCH2CH2)nOR〕2(여기서, n은 정수〉1이고, n이 1일때 R은 C4이상의 알킬기이고 n〉2일때 R은 C1이상의 알킬기임)의 화합물.
  27. 일반식 Cu(OCH2CH2NR)2(여기서 R은 C1이상의 알킬기임)의 화합물.
  28. 일반식 Cu(OCH2CH2SR)2(여기서 R은 C4이상의 알킬기임)의 화합물.
  29. 일반식 Cu(OCH2CH2PR)2(여기서 R은 페닐기, 치환된 페닐기 또는 C4이상의 알킬기임)의 화합물.
  30. 제26항에 있어서, n이 1이고 R이 부틸이거나 n이 2이고 R이 에틸인 화합물.
  31. 제27항에 있어서, R이 메틸 또는 에틸인 화합물.
  32. 제28항에 있어서, R이 부틸인 화합물.
  33. 제29항에 있어서, R이 페닐인 화합물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5145833A (en) * 1986-02-12 1992-09-08 The Dow Chemical Company Method for producing ceramic bodies
US5252247A (en) * 1988-11-14 1993-10-12 Akzo America Inc. Metal (dialkylaminoalcoholate) solutions
EP0389941B1 (de) * 1989-03-31 1994-12-07 Asea Brown Boveri Ag Verfahren zur Herstellung eines länglichen Körpers bestehend aus längsgerichteten nadelförmigen Kristallen aus einem supraleitenden keramischen Stoff
JPH05500651A (ja) * 1989-10-06 1993-02-12 イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー MBa↓2Cu↓4O↓8超電導体の製造法
US5149684A (en) * 1991-04-09 1992-09-22 General Atomics Production of a superconductor powder having a narrow melting transition width using a controlled oxygen atmosphere
FR2688207B1 (fr) * 1992-03-06 1994-04-15 Alcatel Alsthom Cie Gle Electric Procede de preparation d'une poudre d'ybacuo (phase 123) en vue d'une mise en forme par etirage-laminage.
GB9416582D0 (en) * 1994-08-17 1994-10-19 Ici Plc Process for the production of exothermically reacting compositions
US5872081A (en) * 1995-04-07 1999-02-16 General Atomics Compositions for melt processing high temperature superconductor
AU722410B2 (en) * 1996-01-16 2000-08-03 Corning Incorporated Athermal optical device
JP2000256012A (ja) * 1999-03-05 2000-09-19 Internatl Superconductivity Technology Center 酸化物超電導体及びその製造方法
DE10320609A1 (de) * 2003-05-08 2004-12-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sprühgefriergranulate mit verbesserter Homogenität der Eigenschaftsverteilung und Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4861753A (en) * 1987-06-22 1989-08-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making superconductors using barium nitrate
US4839339A (en) * 1988-02-25 1989-06-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Superconductor precursor mixtures made by precipitation method
US4943558A (en) * 1988-04-15 1990-07-24 Ford Motor Company Preparation of superconducting oxide films using a pre-oxygen nitrogen anneal

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Publication number Publication date
WO1990000154A1 (en) 1990-01-11
US5021395A (en) 1991-06-04
DE68924487T2 (de) 1996-05-02
EP0423241B1 (en) 1995-10-04
EP0423241A1 (en) 1991-04-24
EP0628537A1 (en) 1994-12-14
EP0423241A4 (en) 1992-01-15
DE68924487D1 (de) 1995-11-09
JPH04501551A (ja) 1992-03-19
ATE128699T1 (de) 1995-10-15
HK20596A (en) 1996-02-09

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