KR900700653A - 금속 불화물 침착용 전구물질 및 이의 용도 - Google Patents
금속 불화물 침착용 전구물질 및 이의 용도Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (20)
- (1) 일반식(Ⅰ)의 불화 전구물질 화합물 하나 이상의 증기를 형성시키고, (2) 상기 전구물질 화합물의 증기를 기판 표면의 근처에서 분해시켜 금속 M의 불화물 층을 형성시키는 단계를 특징으로 하여, 반도체 기판상에 (Ⅱ)족 또는 (Ⅲ)족 금속의 볼화물 층을 형성시키는 방법.상기식에서 M은 Be, Ca, Sr, Ba 또는 라타나이드 중에서 선택된 금속의 원자 또는 이온이고, b 및 d는 서로 독립적으로 0 또는 1이며, A, B, C 및 D는 서로 독립적으로 일반식 (ⅡA) 또는 (ⅡB)의 비덴테이트 리간드[여기서, X는 독립적으로 산소, S, NR 또는 PR(여기서 R은 H, C1-10알킬 또는 C1-10퍼플루오로알킬이다) 중에서 선택되고, Y는 서로 독립적으로 C1-10알킬, C1-10퍼플루오로알킬, C1-10플루오로알케닐, C1-10플루오로알킬아민 및 C1-10플루오로알케닐아민 중에서 선택되며, Z는 H, F, C1-10알킬, C1-10퍼플루오로알킬 및 C1-10플루오로알케닐 중에서 선택되고, 단 Y 또는 Z중 하나 이상은 불소이거나 불소를 함유한다] 중에서 선택된다.
- 제1항에 있어서, 금속 M이 칼슘 또는 라타늄 중에서 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, M이 칼슘이고 일반식(Ⅰ)의 화합물이 일반식(Ⅲ)을 가짐을 특징으로 하는 방법.상기식에서 X, Y 및 Z는 제1항에서 정의한 바와 같다.
- 제1항에 있어서, X가 산소이고, Y가 C1-10알킬 또는 C1-10퍼플루오로알킬이며 Z가 H, F, 또는 C1-10퍼플루오로알킬 그룹임을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, X가 산소이고, Y가 C1-10알킬 또는 C1-10퍼플루오로알킬이며 Z가 H, F, 또는 C1-10퍼플루오로알킬 그룹임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, M과 배위결합하는 리간드가 모두 동일함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 일반식(Ⅲ)의 화합물이 식(Ⅳ)의 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-팬탄디온과 칼슘의 착물임을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 일반식(Ⅲ)의 화합물이 식(V), (Ⅵ) 및 (Ⅶ) 중에서 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 5항 또는 7항 또는 8항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 화합물을 가열 또는 가열과 조사(radiation)를 병용하여 분해시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 화합물을 가열 또는 가열과 조사를 병용하여 분해시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 5항 또는 7항 또는 8항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 혼합물을 자외선을 분해시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서. 일반식(Ⅰ)의 화합물을 자외선으로 분해시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서. 반도체가 갈륨 아세나이드임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 금속 M의 불화물 층이 EP(epitaxial) 층으로 형성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상이한 금속 M을 갖는 일반식(Ⅰ)의 화합물 둘 이상을 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, M이 칼슘 및 스트론튬인 일반식(Ⅰ)의 화합물을 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 청구된 바와 같은 방법으로 형성시킨 (Ⅱ)족 또는 (Ⅲ)족 금속의 불화물 층.
- 식(Ⅳ)임을 특징으로 하는 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄 디온과 칼슘의 착물.
- 금속 M을 일반식(Ⅷ)의 불화 화합물과 반응시킴을 특징으로 하여 제1항에 청구된 바와 같은 일반식(Ⅰ)의 화합물을 제공하는 방법.상기식에서 X' 및 X"는 서로 독립적으로 OH, NH2, 산소, S, NH, PH, NR 또는 PR 중에서 선택되고, Y는 서로 독립적으로 C1-10알킬, 퍼플루오로 알킬 또는 퍼플루오로알킬아민 중에서 선택되며, Z는 F, H, C1-10퍼플루오로알킬 및 C1-10알킬 중에서 선택되고, 그룹 X' 및 X"의 성질에 따르며, C-X' 및 C-X" 결합은 단일 또는 이중 결합일 수 있고, 단 Y 및 Z 중 하나 이상은 F이거나 F를 함유한다.
- 제19항에 있어서, 칼슘 금속을 1,1,1,5,5,5-헥사풀루오로-2,4-팬탄디온과 반응시킴을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB888807793A GB8807793D0 (en) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | Precursors for group ii fluoride & use thereof |
GB8807793.8 | 1988-03-31 | ||
GB888810404A GB8810404D0 (en) | 1988-05-03 | 1988-05-03 | Precursors for group 11 fluoride deposition & use thereof |
GB8810404.7 | 1988-05-31 | ||
PCT/GB1989/000338 WO1989009294A1 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | Precursors for metal fluoride deposition and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900700653A true KR900700653A (ko) | 1990-08-16 |
KR960015376B1 KR960015376B1 (ko) | 1996-11-11 |
Family
ID=26293721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890702223A KR960015376B1 (ko) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | 금속 플루오르화물 부착용 전구물질, 이의 제조방법 및 이를 사용하는 금속 플루오르화물의 부착방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5116785A (ko) |
EP (1) | EP0407457B1 (ko) |
JP (1) | JP2755755B2 (ko) |
KR (1) | KR960015376B1 (ko) |
DE (1) | DE68913527T2 (ko) |
GB (1) | GB2240787B (ko) |
WO (1) | WO1989009294A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5805973A (en) * | 1991-03-25 | 1998-09-08 | General Electric Company | Coated articles and method for the prevention of fuel thermal degradation deposits |
CA2113366C (en) * | 1993-01-15 | 2005-11-08 | George A. Coffinberry | Coated articles and method for the prevention of fuel thermal degradation deposits |
WO1998046617A1 (en) * | 1997-04-17 | 1998-10-22 | The President And Fellows Of Harvard College | Liquid precursor for formation of metal oxides |
JP4618927B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2011-01-26 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及び金属化合物 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4718929A (en) * | 1983-10-21 | 1988-01-12 | Corning Glass Works | Vapor phase method for making metal halide glasses |
-
1989
- 1989-03-31 EP EP89904822A patent/EP0407457B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-31 KR KR1019890702223A patent/KR960015376B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-03-31 WO PCT/GB1989/000338 patent/WO1989009294A1/en active IP Right Grant
- 1989-03-31 JP JP1504524A patent/JP2755755B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-31 DE DE68913527T patent/DE68913527T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-26 GB GB9020981A patent/GB2240787B/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 US US07/619,831 patent/US5116785A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1989009294A1 (en) | 1989-10-05 |
EP0407457A1 (en) | 1991-01-16 |
US5116785A (en) | 1992-05-26 |
JP2755755B2 (ja) | 1998-05-25 |
GB9020981D0 (en) | 1990-11-28 |
DE68913527D1 (de) | 1994-04-07 |
EP0407457B1 (en) | 1994-03-02 |
DE68913527T2 (de) | 1994-09-22 |
GB2240787A (en) | 1991-08-14 |
GB2240787B (en) | 1992-07-08 |
JPH03503662A (ja) | 1991-08-15 |
KR960015376B1 (ko) | 1996-11-11 |
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