KR900015651A - 고 내열성 Sic박막 더어미스터 및 그 제조방법 - Google Patents

고 내열성 Sic박막 더어미스터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고 내열성 Sic 박막 더어미스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 실용 Sic 박막 더어미스터의 조감도.
제2도는 825℃ 공기중 어니일링에 있어서, 종래의 Au-Pt소성전극막과 비교해서 본 발명의 Au-Pt소성전극막의 B정수 안정성에 대한 효과를 도시한 특성도.

Claims (13)

  1. 절연성기판과, 상기 절연성기판상에 형성되고 미량의 산화물이 그속에 첨가된 1쌍의 소정형상의 Au-Pt소성전극막과, 상기 절연성기판과 상기 1쌍의 Au-Pt소성전극막에 형성된 Sic스페터저항막으로 이루어진 것을 특징으로 하는고내열성 Sic박막더어미스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Au-Pt소성전극막의 Au/Pt비가 Au-Pt 2원합금상도에 있어서 2상조성을 나타내는 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  3. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기 산화물이 Ca산화물과 Ti산화물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고내열성Sic박막 더어미스터.
  4. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기 산화물이 Ca산화물인 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  5. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기 산화물이 Ti산화물인 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  6. 제3항, 제4항 및 제5항에 있어서, 상기 산화물이 Au와 Pt의 합계중량에 대해서 0.01∼0.1wt%첨가된 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  7. 절연성기판과, 상기 절연성기판상에 형성되고 SiO2이외의 미량의 산화물이 그속에 첨가된 1쌍의 소정형상의Au-Pt소성전극막과, 상기 절연성기판과 상기 1쌍의 Au-Pt소성전극막상에 형성된 Sic 스패터저항막과, 상기 Au-Pt소성전극막에 접속된 리이드선과, 상기 Au-Pt소성전극막, 상기 Sic스패터막이 형성된 상기 절연성기판표면을 피복한 저융점유리피복층으로 이루어진 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  8. 제7항에 있어서, 상기 리이드선이 직경 0.1∼0.2mm의 Pt선인 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  9. 제9항에 있어서, 상기 저융점유리피복층이 500℃이상의 전이점온도를 가지며, 또한, 상기 절연성기판의 열팽창계수와 실질적으로 동일한 열팽창 계수를 가진 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막더어미스터.
  10. 제7항에 있어서, 상기 저융점유리피복층이 CaO, BaO, SiO2, B2O3, Al2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터.
  11. 절연성기판을 준비하는 공정과, 상기 절연성기판상에 SiO2이외의 미량의 산화물이 그속에 첨가된 1쌍의 소정형상의 Au-Pt소성전극막을 소성하는 공정과, 상기 절연성기판과 상기 1쌍의 Au-Pt소성전극막상에 Sic저항막을 스패터링법에 의해서 형성하는 공정과, 상기 Au-Pt소성전극막에 리이드선을 접속하는 공정과, 상기 Au-Pt소성전극막, 상기 Sic스패터막이 형성된 상기 절연성기판표면을 저융점유리피복층으로 피복하는 공정과, 포스트어니일링하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막 더어미스터의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 포스트어니일링공정이 공기중 어니일링인 것을 특징으로 하는 고내열성 Sic박막더어미스터 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 포스트어니일링공정이 500∼600℃의 온도에서 3∼300시간동안 행해지는 것을 특징으로 하는 고열성 Sic박막 더어미스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890005299A 1988-04-21 1989-04-21 고 내열성 SiC박막 더어미스터 및 그 제조방법 KR920007578B1 (ko)

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