SU361471A1 - Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области радиотехники , в частности к способу вакуумно-термического напылени  тонкопленочных терморезисторов , используемых в качестве элементов тонкопленочных .микросхем.

Известен способ изготовлени  тонкопленочных терморезисторов путем нанесени  на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.

Недостатком известного способа  вл етс  низкий температурный коэффициент сопротивлени  (ТК,С) и недостаточна  стабильность изготовл емых терморезисторов.

По предлагаемому способу с целью повышени  ТКС и стабильности терморезисторов смесь окислов марганца, кобальта и меди .методом термического испарени  в вакууме нанос т па предварительно осажденный тем же методом на подложку слой окиси марганца.

Согласно изобретению терморезисторы получают методом вакуумно-термического напылени  тер.мочувствительной пленки на основе полупроводниковых окислов марганца, меди и

кобальта толщиной на предварительно осажденный в этом же технологическом дикле подслой окиси марганца толщиной 100-

о.300 А с последующим отжигом пленки на воздухе при температуре 400-500°С в течение 6-8 час дл  увеличени  ТКС. Подслой окиси

марганца повышает адгезию термочувствительной пленки к подложке, снижает внутренние напр жени  в пленке, что звеличивает ее стабильность. В качестве испар емого материала дл  термочувствительной пленки подобран состав полупроводниковых окисей марганца, кобальта и .меди в следующих весовых соотношени х:

от 62-70%

МпаОз от 18-30% СОаОз от 8-12%, СпО

а в качестве материала подсло , не снижающего термочувствительность пленки, предложена окись марганца МпзОз.

В качестве электродов и контактов терморезистора с элементами микросхемы используют пленки алюмини  или золота, осаждаемые методом вакуумного термического напылени  через .маски.

Предлагаемый способ опробован в лабораторных услови х на предпри тии за вител  и позволил достичь высокой степени надежности терморезистора. Температурный коэффициент сопротивлени  (ТКС) имеет отрицательный знак, величина его 3-5% на градус Цельси  при температуре 20°С. Сопротивление полученных терморезисторов составл ет от 500 ом до 1 мом. 34

Предмет изобретени ратурного коэффициента сопротивлени  и стаСпособ изготовлени  тонкопленочных термо- окислой методом термического испарени  в варезисторов путем нанесени  на подложку оме- кууме нанос т на предварительно осажденный си окислов марганца, кобальта и меди, отли- 5 тем же методом на подложку слой окиси марчающийс  тем, что, с целью повышени  темпе- ганца.

Э6И71

бйльйоетй терморезисторов, указанную смесь