KR900014772A - 입자오염을 최소화시키는 유체 유동 제어방법과 그 장치 - Google Patents

입자오염을 최소화시키는 유체 유동 제어방법과 그 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

입자오염을 최소화시키는 유체 유동 제어방법과 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온 주입계통의 개략도.
제2도는 이온 주입실과 이 주입실로부터 실리콘 웨이퍼들을 끼우고 빼내기 위한 로드 록(load-lock)을 나타내는 확대 입면도.
제3도는 웨이퍼들이 처리되고 나서 이온주입실로 부터 철회됨에 따라 이온주입실 자체가 감압되고 나서 가압되는 다른 배열을 나타내는 개략도.

Claims (9)

  1. a) 적어도 하나의 작업물이 처리를 위해 안으로 이동하게 되는 실내를 구성하는 체임버(22)로서 이 체임버에는 처리전에 작업물을 체임버안에 집어 넣고 처리후에 체임버로부터 제거하기 위한 적어도 하나의 작업물 개구부들(74,74)이 있고, 공기가 입구유동제어통로(116)를 통해 체임버에 들어오게 하고 제2유동제어통로(120)를 통해 체임버의 공기를 빼내어 체임버를 감압시키기 위한 적어도 하나의 개구부들을 더 포함하는 상기 체임버(22); b) 체임버내의 압력을 감시하고 감지된 압력을 나타내는 압력신호를 제공하는 압력센서(132); 그리고 c) 압력센서로부터의 압력신호를 감시하고 제1 및 제2유동제어통로를 지나 출입하는 공기의 이동율을 조절하여 체임버의 안팍으로 이동하는 공기의 이동율이 너무 높아야기되는 실내의 오염을 방지하는 유동콘트롤러(130); 로 구성되는 적어도 하나의 작업물을 처리하는 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유동콘트롤러는 상기 제1 및 제2유동제어 통로들을 통하는 제1 및 제2최대 유동율들에 압력센서의 압력신호를 상호관련시키는 수단을 포함하고, 상기 제1 및 제2유동제어통로들 내부에 위치하여 그 유동율들을 상기 최대 유동율 또는 그 이하의 값으로 조절하는 수단(110,112)을 더 포함하는 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유동 콘트롤런는 a) 상기 제1유동제어통로내의 밸브(140); b) 상기 제1유동제어통로내의 밸브 상류측에 있는 압력센서(135); c) 상기 제1유동제어통로내의 밸브 하류측에 있는 압력센서(136); 그리고 d) 밸브 양측의 압력차로 표시된 대로 감지된 유동율보다 더 높거나 낮은 밸브를 통한 유동율을 얻도록 밸브 세팅을 조절하는 수단(130,142)을 포함하는 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 체임버는 대기압 지역에서 작업물을 받아들이는 하나의 작업물 개구부(76)와 대기압보다 낮은 압력지역에서 작업물을 운반하는 제2작업물 개구부(74)를 가진 시스템.
  5. a) 웨이퍼들이 처리를 위해 안으로 이동되는 실내를 구성하는 주입실(22)로서, 처리전에 웨이퍼들을 주입실 안으로 삽입하고 처리후에 주입실에서 제거하기 위한 개구부(74)가 있는 상기 주입실(22); b) 입구유동제어통로(116)를 통해 공기가 압력실(72)로 들어오게 하고 제2유동제어통로(120)를 통해 압력실의 공기를 빼내어 압력실을 감압시키기 위한 적어도 하나의 개구부(76)를 포함하고, 주입실의 개구부(74)를 통해 주입실과 유체소통하는 상기압력실(72); c) 압력실 내부의 압력을 감시하고 감지된 압력을 나타내는 압력신호를 제공하는 압력센서(132); 그리고 d) 압력센서의 압력신호를 감시하고 제1 및 제2유동제어통로를 지나 압력실을 출입하는 공기의 유동율을 조절하여 압력실 안팎으로 이동하는 공기의 유동율이 너무 높아 야기되는 압력실내의 오염을 방지하는 유동콘트롤러(130); 로 구성되는 실리콘 웨이퍼를 처리하는 이온 주입 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 유동콘트롤러는 상기 제1 및 제2유동 제어통로들을 통한 제1 및 제2최대 유동율에 압력센서의 압력신호를 상호관련시키는 수단을 포함하고, 제1 및 제2유동제어 통로들내에 위치하여 그 유동율들은 상기 최대 유동율 또는 그 이하의 값으로 조절하는 수단(110, 112)을 더 포함하는 시스템.
  7. 다음의 단계들을 포함하는 입자 오염물을 움직여서 야기되는 실내 오염을 피하면서 처리실(22)를 교대로 감압하고 가압하는 방법; a) 처리실을 출입하는 공기의 공기압에 의존하는 임계 최대속도를 규정하는 단계; b)처리실내의 압력을 감지하고 처리실의 형태에 기초한 순간 공기 유동율을 결정하여 상기 임계 최대 속도미만의 처리실내 공기이동속도를 산출하는 단계; 그리고 c) 가압 또는 감압중에 처리실내의 공기압이 변함에 따라 순간 공기유동율을 산출하도록 처리실을 출입하는 공기의 유동율을 조절하는 단계.
  8. 제7항에 있어서, 상기 조절단계는 단위시간당 처리실에 들어오는 공기의 체적을 조절하도록 유체유동 콘트롤러를 세팅함으로서 수행되는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 조절단계는 밸브에 걸친 압력차를 측정하고 밸브세팅을 변화시켜 적절한 순간 공기유동율에 대응하는 소기의 압력차를 산출함으로서 완수되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
US5217053A (en) * 1990-02-05 1993-06-08 Texas Instruments Incorporated Vented vacuum semiconductor wafer cassette
US5308989A (en) * 1992-12-22 1994-05-03 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter
DE4419333A1 (de) * 1994-06-02 1995-12-07 Bolz Alfred Gmbh Co Kg Abfüllanlage für gefährliche, schütt- oder fließfähige Medien
US5542458A (en) * 1994-08-22 1996-08-06 Gilbarco Inc. Vapor recovery system for a fuel delivery system
DE69615165T2 (de) 1995-03-07 2002-05-16 B B I Bioseq Inc Verfahren zur regelung von enzymatischen reaktionen
US5554854A (en) * 1995-07-17 1996-09-10 Eaton Corporation In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter
US5633506A (en) * 1995-07-17 1997-05-27 Eaton Corporation Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses
KR100189981B1 (ko) * 1995-11-21 1999-06-01 윤종용 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치
US5672882A (en) * 1995-12-29 1997-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Ion implantation device with a closed-loop process chamber pressure control system
GB2325561B (en) * 1997-05-20 2001-10-17 Applied Materials Inc Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates
US6278542B1 (en) 1998-11-23 2001-08-21 Light And Sound Design Ltd. Programmable light beam shape altering device using separate programmable micromirrors for each primary color
FR2807951B1 (fr) * 2000-04-20 2003-05-16 Cit Alcatel Procede et systeme de pompage des chambres de transfert d'equipement de semi-conducteur
DE10144923A1 (de) 2001-09-12 2003-03-27 Guehring Joerg Spanabhebendes Werkzeug mit Wendeschneidplatte
KR101297917B1 (ko) 2005-08-30 2013-08-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 대안적인 불화 붕소 전구체를 이용한 붕소 이온 주입 방법,및 주입을 위한 대형 수소화붕소의 형성 방법
US8598022B2 (en) 2009-10-27 2013-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
WO2011056515A2 (en) 2009-10-27 2011-05-12 Advanced Technology Materials, Inc. Ion implantation system and method
CN103201824B (zh) 2010-08-30 2016-09-07 恩特格里斯公司 由固体材料制备化合物或其中间体以及使用该化合物和中间体的设备和方法
TWI583442B (zh) 2011-10-10 2017-05-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 B2f4之製造程序
JP2014146486A (ja) * 2013-01-29 2014-08-14 Jeol Ltd 荷電粒子線装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963043A (en) * 1975-01-02 1976-06-15 Motorola, Inc. Pressure sensing method and apparatus for gases
DE2811345C2 (de) * 1978-03-16 1986-12-11 Knorr-Bremse AG, 8000 München Druckregler für pneumatische Drücke, insbesondere in Fahrzeugen
US4373549A (en) * 1979-02-12 1983-02-15 Hewlett-Packard Company Mass flow/pressure control system
US4433951A (en) * 1981-02-13 1984-02-28 Lam Research Corporation Modular loadlock
JPS5998217A (ja) * 1982-11-26 1984-06-06 Fujikin:Kk 流量制御装置
JPS60189854A (ja) * 1984-03-10 1985-09-27 Shimadzu Corp 試料交換装置
JPS6191375A (ja) * 1984-10-11 1986-05-09 Hitachi Electronics Eng Co Ltd プラズマエツチング装置の排気ベント機構
US4717829A (en) * 1985-03-14 1988-01-05 Varian Associates, Inc. Platen and beam setup flag assembly for ion implanter
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
US4739787A (en) * 1986-11-10 1988-04-26 Stoltenberg Kevin J Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices
US4836233A (en) * 1988-06-06 1989-06-06 Eclipse Ion Technology, Inc. Method and apparatus for venting vacuum processing equipment

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Publication number Publication date
EP0385709A3 (en) 1991-06-05
EP0385709A2 (en) 1990-09-05
KR950011846B1 (ko) 1995-10-11
CA2010604C (en) 1996-07-02
EP0385709B1 (en) 1995-05-24
DE69019558D1 (de) 1995-06-29
CA2010604A1 (en) 1990-09-03
JPH02291652A (ja) 1990-12-03
JP3000223B2 (ja) 2000-01-17
DE69019558T2 (de) 1996-02-01
US4987933A (en) 1991-01-29

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