KR900007067A - 진공증착 시스템 - Google Patents

진공증착 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR900007067A
KR900007067A KR1019890015735A KR890015735A KR900007067A KR 900007067 A KR900007067 A KR 900007067A KR 1019890015735 A KR1019890015735 A KR 1019890015735A KR 890015735 A KR890015735 A KR 890015735A KR 900007067 A KR900007067 A KR 900007067A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum chamber
substrate
moving
vacuum
mobile station
Prior art date
Application number
KR1019890015735A
Other languages
English (en)
Inventor
가스킬 브레이크 쥬리안
세터펜 무카 리쟈아드
로스마셀라 연가아 피이터
Original Assignee
프랑크 엠.사죠백
이턴 코오포레이숀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프랑크 엠.사죠백, 이턴 코오포레이숀 filed Critical 프랑크 엠.사죠백
Publication of KR900007067A publication Critical patent/KR900007067A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

내용 없음

Description

진공증착 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 로우드록의 절단된 부품의 입면도.
제 3 도는 본 발명의 웨이퍼 취급 조립체의 단면도.
제 4 도는 제 3 도의 선4-4에 따라 취한 단면도.
제 5 도는 본 발명의 웨이퍼취급 아암의 단면도.
제 6 도는 웨이퍼 취급 아암의 평면도.

Claims (14)

  1. 첫번째 진공실내에서 기재의 첫번째 배치를 형성하도록 기재(30)을 진공실(22)으로 이동시키고 상기 첫번째 진공실을 준대기압으로 배기시키고 상기 기재의 첫번째 배치를 상기 첫번째 진공실내에서 탈기되도록 가열하고, 상기 첫번재 진공실에서 두번째 진공실(14)내의 이동위치로 한 단위씩 상기 기재의 첫번째 배치를 이동시키고 상기 두번째 진공실을 준대기압으로 배기시키고 한번에 하나씩 상기 이동위치에 첫번째 배치로부터 상기 두번째 진공실과 통하는 다수의 진공가공실(16,17,18,19,20) 중 어느 하나로 상기 기재를 이동시킴을 특징으로 하는 기재 가공방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 한번에 하나씩 상기 이동위치의 배치에서 상기 두번째 진공실내의 다수의 이동스테이션(66) 중 어느 하나로 상기 기재를 이동시킨 다음 상기 다수의 이동스테이션 중 하나부터 이동스테이션에 인접한 진공 가공실로 기재를 이동시키는 중간단계를 포함함을 특징으로 하는 가공방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기재가 상기 이동스테이션에서 상기 진공실로 이동될때 상기 두번째 진공실과 상기 진공가공실 사이에서 동시에 진공분리를 행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 가공방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 첫번째와 평행으로 상기 두번째 진공실(14)와 통하여 다른 상기 첫번째 진공실(22)를 설치하고,기재의 두번째 배치를 형성하도록 상기 다른 첫번째 진공실로 기재(30)을 이동시키고 상기 다른 첫번째 진공실을 준대기압으로 배기시키고 상기 기재의 두번째 배치를 가열하여 탈기시키고, 상기 첫번째 배치를 상기 두번째 진공실로 이동을 시작하는 단계를 행하는 동안 상기 다른 첫번째진공실의 배기와 상기 두번째 배치의 가열을 행함을 특징으로 하는 가공방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 다른 첫번째 진공실에서 상기 두번째 진공실내의 이동위치로 상기 기재의 두번째 배치를 한 단위씩 이동시킴을 특징으로 하는 가공방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 배치에서 상기 이동 스테이션으로 기재의 이동은 상기 배치에서 해제되도록 첫번째 수직운동으로 기재를 이동시키고 상기 이동위치와 상기 어느 하나의 이동 스테이션 사이의 일정한 반경 호상 통로를 따라 상기 기재를 이동시키고 상기 이동 스테이션에 놓이도록 두번째 수직운동으로 상기 기재를 이동시켜서 행하고, 상기 호상통로에 따른 상기 운동과 상기 첫번째 및 두번째 수직운동은 상기 기재가 이동시에 받는 운동 정도임을 특징으로 하는 가공방법.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항중 어느 한항에 있어서, 상기 기재가 반도체 웨이퍼이고 상기 기재를 상기 첫번째 진공실로 이동시키고 상기 기재의 배치를 상기 첫번째 진공실에서 상기 이동위치로 이동시키고 상기 기재를 상기 이동위치에서 상기 이동스테이션으로 이동시키는 상기 단계에서 수평으로 유지되고, 여기서 상기 웨이퍼는 이들을 진공 가공실로 이동시킬때 상기 수평 위치에서 수직위치로 방향전환됨을 특징으로 하는 가공방법.
  8. 상기 첫번째 진공실과 상기 두번째 진공실 사이에서 진공분리를 선택적으로 행하는 상기첫번째 진공실수단(44)와 통하는 첫번째 진공실(22)와 두번째 진공실(14)와 상기 두번째 진공실과 통하는 다수의 각 세번째 진공실(16,17,18,19,20)으로 이루어진 기재(30)의 가공장치(10)에 있어서, 상기 첫번째 진공실내에 기재의 배치를 형성시키는 수단(41), 상기 기재의 배치를 탈기하도록 조작할 수 있는 상기 첫번째 진공실내의 가열 수단(45), 상기 첫번째 진공실에서 상기 두번째 진공실내의 이동위치로 한 단위씩 상기 기재의 배치를 이동하도록 조작할 수 있는 첫번째 이동수단(42), 각 이동 스테이션이 상기 세 진공실중 하나에 인접하여 위치하는 상기 두번째 진공실 내의 다수의 기재 이동 스테이션(66), 상기 이동 위치와 상기 이동스테이션 중 어느 하나사이와 하나의 이동스테이션과 무순위의 어느 다른 이동 스테이션 사이에서 한번에 하나씩 기재를 이동하도록 조작할 수 있는 두번째 이동수단(24), 상기의 각 이동 스테이션과 조작할 수 있게 연결되고 상기 이동스테이션에서 인접한 세번째 진공실로 기재를 이동 하도록 조작할 수 있는 세번째 이동수단(164,165)으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 두번째 진공실과 이동 스테이션에 인접한 세번째 진공실 사이에서 진공분리를 행하는 상기의 각 이동 스테이션과 연결된 수단(186,259,260)을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 이동스테이션이 주기의 주변에 위치되고 상기 이동위치로 상기주변에 위치되고, 상기 두번째 기재이동수단이 수직축 주위에서 호상으로 가동하는 고정된 길이의 아암(80)으로 이루어지고 상기 아암이 기재를 함유하고 보유하도록 조작할 수 있는 기재 보유수단(142)을 포함함을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 아암이 상기 수직축과 평행인 방향으로 가동하고, 수직과 호상운동이 상기 아암과 결합된 기재가 받는 운동정도 뿐임을 특징으로 하는 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 이동위치가 상기 주변에 위치된 첫번째와 두번째 위치로 이루어지고, 상기 장치가 상기 두번째 진공실(14)와 통하는 상기의 다른 첫번째 진공실(22), 상기의 다른첫번째 진공실과 상기 두번째 진공실 사이에서 진공분리를 선택적으로 행하는 수단(44)상기의 다른 첫번째 진공실내에서 기재의 배치를 형성하는 수단, 상기 기재의 배치를 탈기하도록 조작할 수 있는 상기의 다른 첫번째 진공실내의 가열수단(45)와 상기의 다른 첫번째 진공실에서 상기 이동위치내의 두번째 이동위치로 한 단위씩 기재의 배치가 이동하도록 조작할 수 있는 상기의 다른 첫번째 이동수단(42)를 더 포함하고, 상기 두번째 이동수단(24)가 상기 이동위치로부터 기재를 이동하도록 조작가능함을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 8 항 내지 제12항 중 어느 한항에 있어서, 상기의 각 이동스테이션(66)이 이에 형성된 기재 지지면을 갖는 가압스테이션(66)이 이에 형성된 기재 지지면을 갖는 가압판을 수용하는 기재로 이루어지고 상기 세번째 이동 수단은 상기 기재 지지면이 상기 두번째 진공실내에서 수평으로 되는 첫번째 위치와 상기 기재 지지면이 상기 세 진공실중 하나내에서 수직으로 되는 두번째 위치사이에서 수평측 주위로 상기 가압판을 가동시키는 수단(165)로 이루어짐을 특징으로 하는장치.
  14. 제13항에 있어서 이동스테이션과 인접한 세번째 진공실 사이에서 진공분리를 행하는 상기수단이 상기 가압판에 형성된 시일수단(259,260)으로 이루어짐을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015735A 1988-10-31 1989-10-31 진공증착 시스템 KR900007067A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26457188A 1988-10-31 1988-10-31
US264,571 1988-10-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900007067A true KR900007067A (ko) 1990-05-09

Family

ID=23006653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890015735A KR900007067A (ko) 1988-10-31 1989-10-31 진공증착 시스템

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0367423A3 (ko)
JP (1) JPH02173263A (ko)
KR (1) KR900007067A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392811B1 (ko) * 2001-08-14 2003-07-28 주식회사 삼원진공 이중챔버형 다중 진공증착 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JP5705933B2 (ja) * 2013-09-02 2015-04-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
CN113380919B (zh) * 2021-04-30 2023-08-18 徐州中辉光伏科技有限公司 单晶硅太阳板可调式镀膜装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3650057T2 (de) * 1985-10-24 1995-02-16 Texas Instruments Inc System für Vakuumbehandlung.
JPS63252439A (ja) * 1986-12-19 1988-10-19 アプライド　マテリアルズインコーポレーテッド 多チャンバの統合処理システム
US4795299A (en) * 1987-04-15 1989-01-03 Genus, Inc. Dial deposition and processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392811B1 (ko) * 2001-08-14 2003-07-28 주식회사 삼원진공 이중챔버형 다중 진공증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0367423A2 (en) 1990-05-09
JPH02173263A (ja) 1990-07-04
EP0367423A3 (en) 1991-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4208159A (en) Apparatus for the treatment of a wafer by plasma reaction
US4336438A (en) Apparatus for automatic semi-batch sheet treatment of semiconductor wafers by plasma reaction
KR970013175A (ko) 기판처리장치
EP0262861A2 (en) Apparatus for coating substrate devices
KR850002686A (ko) 연속 스패터 장치
KR870010619A (ko) 다중-공정 및 무 오염 플라즈마 에칭장치
WO2000003467A3 (en) Wafer carrier and method for handling of wafers with minimal contact
US5849087A (en) Vacuum treatment system for applying thin layers to substrates such as headlights reflectors
KR850700238A (ko) 집적회로 다이스의 조작 및 취급
KR870008037A (ko) 신속한 열 화학 처리용 가요성 자동 장치
KR900007067A (ko) 진공증착 시스템
US8740537B2 (en) Transport device having a deflectable sealing frame
CN111846468B (zh) 托盘密封机和轻柔地拾起托盘的方法
US5261776A (en) Vacuum operated wafer transfer apparatus
JP2005123583A5 (ko)
US5759334A (en) Plasma processing apparatus
CA2430979A1 (en) Method and apparatus for vacuum forming films
US4418639A (en) Apparatus for treating semiconductor wafers
US4044937A (en) Multiple ball element wafer breaking apparatus
KR100256568B1 (ko) 웨이퍼 이송장치 및 방법
CN108470704B (zh) 传片腔室及半导体加工设备
JPS6339102B2 (ko)
CN115249634A (zh) 晶粒高速定位方法
JPS5758330A (en) Wafer transferring apparatus
KR940010265A (ko) 멀티 챔버시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application