KR900004963A - 질화 알루미늄 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

질화 알루미늄 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

질화 알루미늄 기판 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 질화 알루미늄에 레이저 스코어 라인(score line)을 형성한 후의 질화 알루미늄 기판의 단면도를 보여주는 전자 광현미경 사진, 제1b도 제1a도의 구성을 설명하기 위한 동일한 도면,
제2a도 1600℃에서 질화 알루미늄에 레이저 스코어 라인을 형성하기 위해 가열한 후에 본 발명에 따른 질화 알루미늄 기판의 단면도를 보여주는 전자 광형미경 사진,
제2b도 제2a도의 구성을 설명하기 위한 동일한 도면,
제3a도 제1도의 확대 단면도를 보여주는 전자 광현미경 사진,
제3b도 제3a도의 구성을 설명하기 위한 동일한 도면.

Claims (20)

  1. 적어도 한부분에 약간의 구멍들, 연속되는 구멍들, 및 또는 홈들로된 고밀도 에너지 장치로 생성된 스코어 라인(score line)들을 가진 질화 알루미늄 기판에 있어서, 기판이 알루미늄의 산화물, 질화물 또는 산화질화물, 및 질화 알루미늄 기판의 첨가물의 산화물, 질화물, 또는 산질화물로부터 선택된 적어도 하나의 이루어진 스코어 라인 근방에 재응고층을 갖는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판
  2. 제1항에 있어서, 고밀도 에너지 장치가 레어저 방법인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  3. 제1항에 있어서, 재응고층이 알루미늄의 산화물, 질화물 또는 산질화물로 된 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  4. 제1항에 있어서, 기판이 금속 화합물로 이루어지는 적어도 하나의 첨가물을 포함하며, 재응고층이 첨가물의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 이루어진 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  5. 제4항에 있어서, 첨가물이 이트륨으로 된것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  6. 제1항에 있어서, 기판의 스코어 라인 근방에 금속 알루미늄이 없는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄.
  7. 제1항에 있어서, 질화 알루미늄이 고밀도 에너지 장치로 생성된 스코어 라인을 따라 나누어진 부 기판들로 잘려지는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  8. 제7항에 있어서, 고밀도 에너지 장치가 레이저 방법인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  9. 제7항에 있어서, 재응고층이 알루미늄의 산화물, 질화물 또는 산질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  10. 제7항에 있어서, 기판이 금속 화합물로 이루어진 적어도 하나의 첨가물을 포함하고, 재응고층이 첨가물의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 이루어진 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  11. 제10항에 있어서, 첨가물이 이트륨으로된 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  12. 제7항에 있어서, 기판의 스코어라인 근방에 금속 알루미늄이 없는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  13. 질화 알루미늄 기판의 적어도 한 부분에 고밀도 에너지 장치로 스코어 라인을 만들어, 스코어 라인 근방에 금속 알루미늄을 생성하고 : 약 1000℃와 1800℃ 사이의 온도로 스코어링된 기판을 가열하고 : 및 가열 단계에서 가해졌던 기판을 금속화시키는 단계들로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 고밀도 에너지 장치가 레이저 방법인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 가열단계가 모든 금속 알루미늄을 비금속 형태로 전환하기에 충분한 시간 주기동안 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제13항에 있어서, 고밀도 에너지 장치로 생성된 스코어 라인을 따라 고밀도 에너지 장치로 스코어링된 기판을 다수의 기판들로 나누는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제13항에 있어서, 가열 단계가 공기 또는 질소 분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어서, 시간 주기가 약 1시간인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제13항에 따라 정의된 바와같은 공정에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 기판.
  20. 절연 기판 및 기판상에 장착되는 반도체 회로로 이루어지며, 기판이 제7항에 따라 정의된 바와 같은 질화 알루미늄 기판으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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