KR900004211B1 - 광파이버모재의제조장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 개략도.
제 2 도는 동일하게 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 개략도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반응관 6 : 가스압제어실
7 : 압력측정기 8 : 가스도입구
9 : 배기구 10 : 블로우어
본 발명은 MCVD 방식의 광파이버모재의 제조장치에 관한 것이다.
광파이버모재의 제조장치의 하나로서 종래부터 MCVD법이 있다. 이 방법은 회전하는 반응관내에 유리원료를 공급하고, 이것을 상기한 반응관의 축방향으로 왕복운동하는 토오치등의 가열기에 의해 가열하며, 반응관내에 상기한 유리원료를 퇴적시켜 소망하는 굴절율 분포를 형성하는 것이다.
그러나 이 종래의 MCVD법에는 다음과 같은 결점이 있다. 즉 석영관등으로 되는 상기한 반응관이 가열기에 의해 가열되어 연화되면 자신의 표면장력에 의하여 차차 수축하며, 그결과 반응관 내면에 원하는 두께의 균일한 유리퇴적층을 형성할 수 없던가, 상기한 연화에 의하여 반응관이 변형되어, 반응관의 장방향 단면이 불균일하게 되어 버리는 문제가 있다.
그래서, 이 문제를 해결하고자 반응관내에 상기한 유리층을 퇴적시키는 사이에, 반응관의 내압을 외압보다 높이는 방법이 제안되어 있다. 구체적으로 일본국 특공소 57-37536호 공보에 기재되어있둣이 반응관의 외경치를 반응관의 타단에 설치한 내압조정부에 피드백하여 반응관의 내압을 조정하는 방법이있다.
그러나 이 방법에서는 공급되고 있는 유리원료의 유량이나 반응관내경에 의해 시시각각 변화하고 있는 반응관내압을 반응관외경으로 하는 간접적인 값에 의해 제어하려고 하여서 정밀한 제어가 않되었다. 또한, 전술하듯이 반응관의 외경은 장방향으로 변동한다는 가능성도 크고, 그래서 측정점의 선택법도 문제로 되고있다.
그래서 상기한 방법의 개량법으로서, 본 발명의 출원인은 먼저 다음과 같은 제안(특허출원 소 58-243360호)을 하였다. 이 방법은 상기한 반응관의 타단에 압력측정기와 배기구와 가스도입구를 지니는 가스압제어실을 실치하며, 더나아가서 상기한 배기구에는 배기량조정변을 장비하며, 이 변의 개폐도를 상기한 압력측정기의 값으로 제어한다는 것이었다.
이 방법은 직접반응관의 내압을 측정하며, 이것을 배기량 조정변에 피드백한다고 하는 점에서 전술의 것보다 압력조정이 정밀하게 될 수 있는 이점이 있다.
그러나 조정변의 개폐만으로 압력조정하기 때문에 응답성이 열화한다는 문제가 있다.
상기한 문제에 비추어 본 발명의 목적은 반응관의 내압을 보다 정밀하며 더욱 응답성이 좋게 제어되는 광파이버모재의 제조장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하고자 본 발명에서는 반응관을 회전이 자유롭게 유지하는 지지부와 상기한 반응관의 일단에서 이 반응관 내부로 유리원료를 공급하는 원료공급부와 상기한 반응관을 가열하는 가열기를 지니는 광파이버모재의 제조장치에서 상기한 반응관의 타단에 압력측정기와 가스 도입구와 배기구를 지니는 가스제어실을 설치하는 동시에 상기한 기체도입구에는 상기한 압력측정기의 측정치에 의해 도입가스압을 제어할 수 있는 블로우어를 설치함을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제 1 도는 본 발명의 광파이버모재의 제조장치의 일 실시예를 나타내고 있다. 본 도가 나타내듯이 본 발명은 석영유리등으로 되는 반응관 1을 회전이 자유롭게 유지하는 지지부 2와 예를들면 산소와 동시에 공급되는 사염화규소, 사염화 게르마늄등으로 되는 유리원료를 상기한 반응관 1의 일단에서 이 반응관내부로 공급하는 도시되지 않은 원료공급부와(부호 3은 유리원료를 원료공급부에서 공급하는 공급구이다), 상기한 반응관 1의 축방향으로 왕복이동하며 상기한 반응관 1을 가열하는 토오치등의 가열기 4를 지니는 광파이버모재의 제조장치에서 상기한 반응관 1의 타단에 압력측정기 7, 가스도입구 8, 배기구 9를 지니는 가스압제어실 6을 설치하는 동시에 상기한 가스도입구 8에는 상기한 압력측정기7 의 측정치에 의하여 도입하는 가스량을 제어하며, 그리고 도입가스압을 제어할 수 있는 블로어 10을 설치함을 특징으로 한다. 여기서 상기한 블로우어 10으로서는 도입하는 가스량을 회전수에 따라 조정할 수 있는 회전수제어방식이 도입가스압을 보다 정밀하게 콘트롤 할 수 있어서 적당하다.
또한, 상기한 블로우어 10과 압력측정기 7의 사이에는 제어계로서 설정기 13이 부착된 연산기와 블로우어 10을 구동하는 구동부 11이 설치되어 있으며 상기한 설정기 13과 압력측정기 7의 압력차이에 의하여 블로우어 10의 회전수를 제어하며, 가스도입구 8을 개입시켜 송입하는 도입가스압을 제어하고 있다.
상기한 가스압제어실 6은 제 1 도에 나타나듯이 반응관 1내에 부착이 안된 유리미립자를 집진하는 기능도 있지만 이 가스압제어실 6이 작은 경우에는 블로우어 10에 의해 도입하는 가스에 따마 상기한 집진된 유리미립자가 상승할 우려가 있다. 이 경우에는 제 2 도에 나타나듯이 가스도입구 8을 배기구 9의 도중에 접속하면 좋다.
이와같이 하면 배기구 9의 내로 유리미립자의 부착도 방지할 수 있어서 좋다.
이하에 본 발명의 구체예를 나타낸다.
반응관 1로서 외경 26mm, 내경 22mm의 석영관을 사용하고, 가열기 4에 의하여 가열하며, 상기한 반응관 1내에 90층의 유리퇴적층을 형성시켰다. 이때 설정기 13의 설정을 외기압에 의해 약 10mmH2O 높게 설정하고, 이것과 압력측정기 7의 측정치와의 압력차이에 비례하도록 블로우어 10의 회전수를 제어하며 반응관 1의 내압을 조정하였다.
그결과, 상기한 90층의 유리퇴적층을 형성시킨 반응관 1의 최종외경의 측방향변동은 ±0.lmm 이하로 되고, 극히 양호한 광파이버모재를 얻을 수 있다. 이것에 대하여 전술한 일본국 특허출된 소 58-243360호에 의한 조정변의 개폐에 의한 제어방법에서는 국부적인 변동이 ±0.7mm나 되었다.
이상과 같이 본 발명의 광파이버모재의 제조장치에 의하면 반응관 1내의 압력을 직접 측정하고, 이 값을 블로우어 10에 피드백하고 있는것, 더우기 회전수에 의하여 공급하는 가스량을 조정할 수 있고, 그리고 도입가스압을 정밀하게 제어할 수 있는 블로우어 10을 사용하고 있는 것으로부터 반응관 1의 내압을 정밀하게 제어할 수 있다. 또한 블로우어 10에 의하여 강제적으로 가스를 도입하고 있어서 응답성이 우수하다는 이점도 있다.
전술한 바와같이 본 발명에 의하면 MCVD법에 의한 광파이버모재의 제조에 있어서 반응관내의 압력제어에 극히 우수한 제조장치를 제공할 수 있고, 그리고 외경변동이 없는 우수한 광파이버모재를 얻을 수 있다.
Claims (2)
- 반응관을 회전이 자유롭게 유지하는 지지부, 상기한 반응관의 일단으로부터 이 반응관내부에 유리원료를 공급하는 원료공급부 및 상기한 반응관의 축방향으로 왕복이동하며 상기한 반응관을 가열하는 가열기가 있는 광파이버모재의 제조장치에 있어서 상기한 반응관의 다른쪽단에 압력측정기, 가스도입구 및 배기구를 지니는 가스압제어실을 실치하는 동시에 상기한 가스도입구에는 상기한 압력측정기의 측정값에 의하여 도입가스압을 제어할 수 있는 블로우어를 설치함을 특징으로 하는 광파이버모재의 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기한 블로우어는 회전수제어에 의하여 도입가스량을 제어할 수 있는 블로우어임을 특징으로 하는 광파이버모재의 제조장치.
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