KR890702083A - 낙적물량을 최소화하기 위한 물량제한형 표적과 그 장착법 - Google Patents

낙적물량을 최소화하기 위한 물량제한형 표적과 그 장착법

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KR890702083A
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Abstract

내용 없음

Description

낙적물량을 최소화하기 위한 물량제한형 표적과 그 장착법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래엑스레이 석판인쇄용 엑스레이 발진장치 구성도. 제2도는 표적상의 레이저 빔 촛점근처에서의 용융낙적물과 탈루물이 일정한 각을 이루면서 퇴적된 모형도. 제3도는 플러즈머를 유발시키는 레이저 빔으로부터 방출된 두가지 분리물질 즉 퇴적물의 퇴적층과 수많은 고온에너지 이온물질이 일정한 각을 이루면서 중복적으로 퇴적된 모형도.

Claims (22)

  1. 엑스레이 발진 플러즈머(20)를 생성시키기에 충분한 출력을 가지는 레이저 빔 펄스(12 또는 104)를 표적(18,44,56,66,76 또는 102)에 집중투사시켜 엑스레이(22)를 발진시키는 엑스레이 석판인쇄장치(10 또는100)으로서, 엑스레이 패턴으로 하여금 기층(28 또는 112)에 절연체단층(26)을 노출시키도록 하기 위하여 마스크-기층 결합장치(24,28 또는 110,112)에 발진된 엑스레이(22)를 투사하는 것, 지지장치(44,58,68 또는 84) 및 지지장치에 의하여 지지되는 얇은 표적물질의 박판(60,72 또는 88)을 특징으로 하는 표적(18,4456,66,76 또는 102), 레이저펄스(12 또는 104) 집중지점에서는 표적물질(60,72 또는 88)의 전체단층이 레이저 펄스 조사시간 동안에 모두 삭마될 수 있는 두께로 표적물질 판(60,72 또는 88)을 형성한 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄 장치.
  2. 청구범위 제 1 항에 있어서 표적물질(60,72 또는 88)은 0.1 내지 10미크론 두께의 금속단층으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  3. 청구범위 제 1 항에 있어서 표적물질(60,72 또는 88)은 0.1 내지 2.0미크론 두께의 금속단층으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄.
  4. 청구범위 제 1 항에 있어서 지지장치(44,58,68 또는 84)에는 박판(70 또는 86)으로 덮인 하나의 공간(74 또는 90)이 형성되어 있는 것 및 표적물질(60,72 또는 88)은 박판(70 또는 86)의 위 공간(74 또는 90)밑에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  5. 청구범위 제 4 항에 있어서 표적물질(72 또는 88)의 표면부위와 공간(74 또는 90)은 둘다 레이저 빔(12 또는 104)의 촛점 부위의 크기와 같은 규격으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  6. 청구범위 제 5 항에 있어서 공간(74 또는 90)의 횡단면 면적은 레이저 빔(12 또는 104) 촛점 크기의 2배보다 크지 않은 규격으로 형성된 것, 표적물질(72 또는 89)의 면적은 공간(74 또는 90)의 횡단면 면적보다 좁은 규격으로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  7. 청구범위 제 4 항에 있어서 지지장치(44,58,68 또는 84)는 엑스레이발진 플러즈머(20)가 소멸된 다음 잔류하는 열의 방열장치인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  8. 청구범위 제 7 항에 있어서 박판(70 또는 86)은 방열장치(44,58,68 또는 84)로 열을 전도하는 열 전도물질인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  9. 청구범위 제 4 항에 있어서 박판(70 또는 86)은 표적물질(72 또는 88)을 박판(70 또는 86)에 부착시킬 수 있도록 허용하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  10. 청구범위 제 4 항에 있어서 박판(70 또는 86)은 열전도물질로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  11. 청구범위 제10항에 있어서 박판(70 또는 86)은 표적물질(72 또는 88)을 박판(70 또는 86)에 부착시킬 수 있도록 허용하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  12. 청구범위 제 1 항에서부터 제11항까지 중 어느 하나에서 박판(70 또는 86)은 중합물질인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  13. 청구범위 제12항에 있어서 박판(70 또는 86)은 폴리이마이드 물질인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  14. 청구범위 제 1 항에서부터 제11항까지 중 어느 하나에 있어서 박판(70 또는 86)은 질화물인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  15. 청구범위 제14항에 있어서 박판(70 또는 86)은 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  16. 청구범위 제14항에 있어서 박판(70 또는 86)은 붕소질화물인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  17. 청구범위 제 1 항에서부터 제11항까지중 어느 하나에 있어서 박판(70 또는 86)은 옥시나이트라이드물질인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  18. 청구범위 제17항에 있어서 박판(70 또는 86)은 실리콘 옥시나이트라이드인 것을 특징으로 하는 엑스레이 석판인쇄장치.
  19. 엑스레이 발진 플러즈마(20)를 생성시키기 위하여 표적(56,66,76 또는 102)에 펄스가 가해진 레이저 빔(12 또는 104)를 집중시키는 방법으로써 절연체를 도포한(26) 부품(28 또는 112)에 엑스레이(22) 패턴을 노출시키는 방식으로서, 마스크(24 또는 11) 그리고 플러즈마(20)에 의하여 발진되는 엑스레이(22)의 통로에 부품(28 또는 112)이 장치되어 있으며, 레이저 펄스(12 또는 104)가 발생될 때 동 레이저펄스(12 또는 104)의 집중지점에서 표적물질(60,72 또는 88)의 단층이 실질적으로 삭마되는 것을 특징으로 하는 노출방식.
  20. 청구범위 제19항에 있어서 플러즈마(20)로부터의 열은 집중 촛점으로부터 방사식을 확산되는 것을 특징으로 하는 노출방식.
  21. 청구범위 제19항에 있어서 표적(66,76 또는 102)의 베이스를 형성하고 있는 방열장치(68 또는 84)로 열이 소멸되는 것을 특징으로 하는 노출방식.
  22. 청구범위 제19,20 또는 21항중 하나에서 표적물질(72 또는 88)위에 있는 공간부위(74 또는 90)을 통하여 열이 소멸되는 것을 특징으로 하는 노출방식.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2576278B2 (ja) * 1990-08-31 1997-01-29 株式会社島津製作所 Ｘ線発生装置
US5577092A (en) * 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
US6975703B2 (en) * 2003-08-01 2005-12-13 General Electric Company Notched transmission target for a multiple focal spot X-ray source
US7583791B2 (en) * 2005-08-16 2009-09-01 General Electric Co. X-ray tube target assembly and method of manufacturing same
CN108615564A (zh) * 2018-05-07 2018-10-02 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种烧蚀状态下中z元素透射能流的测量靶及测量方法
EP3742469A1 (de) 2018-09-26 2020-11-25 Siemens Healthcare GmbH Röntgenanode, röntgenstrahler und verfahren zur herstellung einer röntgenanode

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4484339A (en) * 1981-02-09 1984-11-20 Battelle Development Corporation Providing X-rays
US4602378A (en) * 1982-08-19 1986-07-22 General Electric Company X-ray table
US4504964A (en) * 1982-09-20 1985-03-12 Eaton Corporation Laser beam plasma pinch X-ray system
FR2551614B1 (fr) * 1983-09-02 1986-03-21 Centre Nat Rech Scient Source intense de rayons x mous, a compression cylindrique de plasma, ce plasma etant obtenu a partir d'une feuille explosee
US4692934A (en) * 1984-11-08 1987-09-08 Hampshire Instruments X-ray lithography system
US4700371A (en) * 1984-11-08 1987-10-13 Hampshire Instruments, Inc. Long life x-ray source target
EP0186491B1 (en) * 1984-12-26 1992-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam

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JPH02500626A (ja) 1990-03-01
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KR940002546B1 (ko) 1994-03-25
DE3853531D1 (de) 1995-05-11
DE3853531T2 (de) 1995-09-14

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