KR890702070A - 액정 광밸브 및 대응본딩 구조 - Google Patents
액정 광밸브 및 대응본딩 구조Info
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 LCLV 구조의 바람직한 실시 형태를 예시하는 측단면도이다. 제2도는 바람직한 실시 방법에 따른 LCLV 디바이스 제작 순서를 예시하는 블록 다이아그램이다. 제3도는 LCLV 디바이스의 제작 순서를 예시하는 블록 다이아그램이다.
Claims (19)
- (a) 기판, (b) 상기 기판에 형성된 무정형의 광도전성층, (c) 차단층, (d) 상기 차단층상에 부착된 미러층, 및 (e) 상기 차단층을 상기 무정형의 광도전성층에 본딩시키기 위한 수단으로 구성되는 액정 광밸브(LCLV) 디바이스 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 차단층이 테루르화카드뮴으로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 미러층이 이산화티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제3항에 있어서, 상기 차단층이 텔루르화카드뮴으로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제4항에 있어서, 상기 무정형 광도전성층이 무정형 실리콘 광도전성층으로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제5항에 있어서, 상기 본딩 수단이 산소가 풍부한 이산화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제5항에 있어서, 상기 본딩 수단이 (a) 아르곤 중에서 증착시킨 이산화실리콘, (b) 아르곤과 산소 혼합물 중에서 증착시킨 이산화 실리콘과 텔루르화카드뮴, 및 (c) 아르곤 중에서 증착시킨 데루르화카드뮴으로 구성되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제5항에 있어서, 상기 본딩 수단이 (a) 상기 무정형의 광도전성층에 인접한 이산화실리콘층, (b) 상기 이산화실리콘층에 인접한 산소가 풍부한 이산화실리콘층, (c) 상기 산소가 풍부한 이산화실리콘층에 인접한 산소가 풍부한 텔루프화가드뮴층, 및 (d) 상기 산소가 풍부한 텔루르화카드뮴층에 인접한 텔루르화 카드뮴층을 포함하고, 층을 이루어 어닐링된 구조로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 미러층이 이산화실리콘과 이산화티타늄의 교대 층의 포함하는 유전성 미러로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제9항에 있어서, 상기 차단층이 텔루르화카드뮴으로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제10항에 있어서, 상기 무정형의 광도전성츨이 무정형의 실리콘 광도전성층으로 되는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- 제11항에 있어서, 상기 본딩 수단이 산소가 풍부한 이산화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 LCLV 디바이스 구조.
- (a) 아르곤 중에서 증착시킨 이산화실리콘층, (b) 아르곤과 산소 혼합물 중에서 각각 증착시킨 연속적인 이산화실리콘층과 텔루르화카드뮴층, 및 (c) 아르곤 중에서 증착시킨 텔루르화카드뮴층으로 구성되는, 실리콘 함유 재료에 텔루르화카드뮴을 본딩시키기 위한 구조.
- 제13항에 있어서, 실리콘 함유 재료가 무정형 실리콘인 것을 특징으로 하는 구조.
- 제13항에 있어서, 실리콘 함유 재료가 단결성 실리콘인 것을 특징으로 하는 구조.
- 제13항에 있어서, 실리콘 함유 재료가 이산화실리콘인 것을 특징으로 하는 구조.
- 제13항에 있어서, 상기 구조를 어닐링하는 것을 특징으로 하는 구조.
- (a) 무정형 실리콘, 단결정 실리콘 또는 이산화실리콘으로 되어 베이스층 상에 형성된 이산화실리콘층, (b) 상기 이산화실리콘층 상에 형성된 산소가 풍부한 이산화실리콘층, (c) 상기 산소가 풍부한 이산화실리콘층 상에 형성된 산소가 풍부한 텔루르화카드뮴층, 및 (d) 상기 산소가 풍부한 텔루르화가드뮴층 상에 형성된 텔루르화카드뮴층으로 구성되는, 상기 베이스층에 델루르화카드뮴을 본딩하기 위한 구조.
- 제18항에 있어서, 구조를 어닐링하는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5084777A (en) * | 1989-11-14 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H |
JPH0752268B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1995-06-05 | シャープ株式会社 | 光書き込み型液晶素子 |
US5272554A (en) * | 1991-01-28 | 1993-12-21 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Liquid crystal light valve having a SiO2 /TiO2 dielectric mirror and a Si/SiO2 light blocking layer |
US5153759A (en) * | 1991-04-01 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Optically addressed light valve system |
US5283676A (en) * | 1991-05-13 | 1994-02-01 | Hughes-Jvc Technology Corporation | Liquid crystal light valve |
JP2680484B2 (ja) * | 1991-05-20 | 1997-11-19 | シャープ株式会社 | 光書き込み型液晶表示装置 |
US5384649A (en) * | 1991-12-26 | 1995-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal spatial light modulator with electrically isolated reflecting films connected to electrically isolated pixel portions of photo conductor |
WO1994009401A1 (en) * | 1992-10-20 | 1994-04-28 | Hughes-Jvc Technology Corporation | Liquid crystal light valve with minimized double reflection |
US5309262A (en) * | 1992-12-23 | 1994-05-03 | Xerox Corporation | Optically addressed light valve system with two dielectric mirrors separated by a light separating element |
JPH075488A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Pioneer Electron Corp | 光導電型液晶ライトバルブ |
US5441776A (en) * | 1993-11-08 | 1995-08-15 | Sterling; Rodney D. | Silicon dioxide bonding layers and method |
US5490004A (en) * | 1994-05-02 | 1996-02-06 | Hughes Jvc Tech Corp | Photoconductivity reduction in cadmium telluride films for light blocking applications using nitrogen incorporation |
JP3062012B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2000-07-10 | シャープ株式会社 | 液晶ライトバルブ |
JP2811629B2 (ja) * | 1995-01-31 | 1998-10-15 | 日本ビクター株式会社 | 空間光変調素子 |
JP3474312B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2003-12-08 | 株式会社リコー | 合成樹脂製反射鏡、その製造方法および製造装置 |
JP3437944B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2003-08-18 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液晶ライトバルブおよび投射型液晶表示装置 |
US7910497B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of forming dielectric layers on a substrate and apparatus therefor |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3716406A (en) * | 1971-05-04 | 1973-02-13 | Hughes Aircraft Co | Method for making a cadmium sulfide thin film sustained conductivity device |
US3811180A (en) * | 1971-11-12 | 1974-05-21 | Hughes Aircraft Co | Method of manufacture of liquid crystal device |
US3824002A (en) * | 1972-12-04 | 1974-07-16 | Hughes Aircraft Co | Alternating current liquid crystal light value |
US3976361A (en) * | 1974-11-18 | 1976-08-24 | Hughes Aircraft Company | Charge storage diode with graded defect density photocapacitive layer |
US4019807A (en) * | 1976-03-08 | 1977-04-26 | Hughes Aircraft Company | Reflective liquid crystal light valve with hybrid field effect mode |
US4114991A (en) * | 1976-12-22 | 1978-09-19 | Hughes Aircraft Company | Visible-to-infrared converter light valve |
US4093357A (en) * | 1977-04-05 | 1978-06-06 | Hughes Aircraft Company | Cermet interface for electro-optical devices |
US4124278A (en) * | 1977-06-22 | 1978-11-07 | Hughes Aircraft Company | Optical subtraction of images in real time |
US4239347A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-16 | Hughes Aircraft Company | Semiconductor light valve having improved counterelectrode structure |
EP0078604A3 (en) * | 1981-10-30 | 1984-09-05 | Hughes Aircraft Company | Single layer absorptive anti-reflection coating for a laser-addressed liquid crystal light valve |
US4525032A (en) * | 1982-07-27 | 1985-06-25 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Liquid crystal reusable signature comparison |
JPS59170820A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-27 | Nec Corp | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
US4522469A (en) * | 1984-01-09 | 1985-06-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Liquid crystal light valve structures |
DE3681862D1 (de) * | 1985-08-23 | 1991-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer hochsperrenden diodenanordnung auf der basis von a-si:h fuer bildsensorzeilen. |
-
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