JPS59170820A - 光書込型液晶ライトバルブ素子 - Google Patents
光書込型液晶ライトバルブ素子Info
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- JPS59170820A JPS59170820A JP58044745A JP4474583A JPS59170820A JP S59170820 A JPS59170820 A JP S59170820A JP 58044745 A JP58044745 A JP 58044745A JP 4474583 A JP4474583 A JP 4474583A JP S59170820 A JPS59170820 A JP S59170820A
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- Japan
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- film
- liquid crystal
- refractive
- light
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1351—Light-absorbing or blocking layers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1352—Light-reflecting layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投射型の大画面表示装置などに用いら′ｉ′す
る光素込型液晶ライトバルブ素子に関するもので」する
。
る光素込型液晶ライトバルブ素子に関するもので」する
。
光摺込型液晶ライトパルプ素子は投射型大画面表７１＜
装置は及び光学ｉｉ！ｉｌ像処理における入出力デバイ
スである、インコヒーレント畢コヒーレント光像変換素
子などに用いられ、光入力情報分光出力情報に変換する
だめのキーデバイスである。光書込型液晶ライトバルブ
の一般的な構造を第１図に示す。図において１，６はガ
ラス基板、２．７は透明電極、６は光導電５体、４は入
力光１２と投射光１３とを分離するための遮光族、５は
誘市体多層反射膜、８は液晶、９．９′は液晶分子を配
向させるための絶縁体からなる配向処理層、１０げスベ
ーザー、１１は電源である。七し２てその動作６次のと
おりである。あらかじめ透明％極２，７の旧１に交流を
圧を加えておく。この状態で＆１交流電圧に、光導電８
体、遮光膜、誘箪体多層反射膜で分圧さね、液晶には液
晶がＯＮ状態にならない程度の電圧しかかかつていない
。次に入力光１２が光導電体５に当ると当った部分だけ
抵抗が下がり、液晶にかかる霜、圧が増す。このとき液
晶にがかる１圧を液晶がＯＮする値となるように設計し
ておけは入力光のパターンと同じパターンか液晶上に現
れる。この液晶面上に投射光を当て反射Ｆ〜だ光を投影
するのが投射型のディスプレイである。
装置は及び光学ｉｉ！ｉｌ像処理における入出力デバイ
スである、インコヒーレント畢コヒーレント光像変換素
子などに用いられ、光入力情報分光出力情報に変換する
だめのキーデバイスである。光書込型液晶ライトバルブ
の一般的な構造を第１図に示す。図において１，６はガ
ラス基板、２．７は透明電極、６は光導電５体、４は入
力光１２と投射光１３とを分離するための遮光族、５は
誘市体多層反射膜、８は液晶、９．９′は液晶分子を配
向させるための絶縁体からなる配向処理層、１０げスベ
ーザー、１１は電源である。七し２てその動作６次のと
おりである。あらかじめ透明％極２，７の旧１に交流を
圧を加えておく。この状態で＆１交流電圧に、光導電８
体、遮光膜、誘箪体多層反射膜で分圧さね、液晶には液
晶がＯＮ状態にならない程度の電圧しかかかつていない
。次に入力光１２が光導電体５に当ると当った部分だけ
抵抗が下がり、液晶にかかる霜、圧が増す。このとき液
晶にがかる１圧を液晶がＯＮする値となるように設計し
ておけは入力光のパターンと同じパターンか液晶上に現
れる。この液晶面上に投射光を当て反射Ｆ〜だ光を投影
するのが投射型のディスプレイである。
この構造で各部に必要な性質は以下の通りである。まず
光徘込層である光導電体３は高分解能と昂コントラスト
を得るため暗導電率１０−７０−”Ｃｍ−１以下、人力
光堀射時の明導電率１０−６〜１０−４１０−４Ｏ−１
以上か必要である。遮光膜４は投射光１６０光導福、体
３への透過を防止するだめのもので、少くとも１０−４
以下の透過率であることと、分解能を確保するために投
射光照射時に１０−７Ω−１ｃ＠−１以下の明導゛■率
であることが必要である。また、誘電体多層反射膜５の
反射率は９０チ以上が必要である。
光徘込層である光導電体３は高分解能と昂コントラスト
を得るため暗導電率１０−７０−”Ｃｍ−１以下、人力
光堀射時の明導電率１０−６〜１０−４１０−４Ｏ−１
以上か必要である。遮光膜４は投射光１６０光導福、体
３への透過を防止するだめのもので、少くとも１０−４
以下の透過率であることと、分解能を確保するために投
射光照射時に１０−７Ω−１ｃ＠−１以下の明導゛■率
であることが必要である。また、誘電体多層反射膜５の
反射率は９０チ以上が必要である。
従来上記条件を満足する材料とＬ−て光導電体３にはＣ
ｄＳ、遮光膜４にはＣｄＴｅが用いられる。光導′酸体
６がシリコン結晶である場合には５ｉ０２中に多量のニ
ッケルや亜鉛などの金属を含ませたサーメット等の薄膜
が遮光膜として用いらり、ている。
ｄＳ、遮光膜４にはＣｄＴｅが用いられる。光導′酸体
６がシリコン結晶である場合には５ｉ０２中に多量のニ
ッケルや亜鉛などの金属を含ませたサーメット等の薄膜
が遮光膜として用いらり、ている。
ｌ、か１１、こ第１らの物質はそれぞれ異質々ものであ
り、製造方法か異るため素子の作製に非常に長い時間を
必要とした。また、物質が異るため膜の接Ｉ（性の問題
や膨張率の差による膜のはく離の問題がちり、安定な素
子を再現性よく作るためには非常に高度な技術が賛求さ
れた。さらに、ＣｄＳの場合にはＳによる真空装置の寿
命劣化の問題もある。
り、製造方法か異るため素子の作製に非常に長い時間を
必要とした。また、物質が異るため膜の接Ｉ（性の問題
や膨張率の差による膜のはく離の問題がちり、安定な素
子を再現性よく作るためには非常に高度な技術が賛求さ
れた。さらに、ＣｄＳの場合にはＳによる真空装置の寿
命劣化の問題もある。
特性の上からは、ＣｄＳ光導電体は応答速度がｈミリ秒
から数十ミリ秒と遅いため高速走査配録には不向きであ
る。また、結晶シリコン結晶うものでは、Ｓｔ基板上に
ドツト数に対応し７たダイオードアレイを作製しなけれ
ばならないため、こｔｌを実用的なサイズで無欠陥に作
ることは非常に廂しく、歩留りが極端に悪いという問題
がある。以上説明したように従来の光書込型液晶ライト
バルブ素子は作製か難しく、動作速度から用途が制限さ
れる等の欠点ケ有していた。
から数十ミリ秒と遅いため高速走査配録には不向きであ
る。また、結晶シリコン結晶うものでは、Ｓｔ基板上に
ドツト数に対応し７たダイオードアレイを作製しなけれ
ばならないため、こｔｌを実用的なサイズで無欠陥に作
ることは非常に廂しく、歩留りが極端に悪いという問題
がある。以上説明したように従来の光書込型液晶ライト
バルブ素子は作製か難しく、動作速度から用途が制限さ
れる等の欠点ケ有していた。
本発明の目的は、上記の従来の光書込型液晶ライトバル
ブ素子の欠点を除去せしめ、光応答速度が速く、作製が
容易で特性の再現性のよい光書込型液晶ライトバルブ素
子を提供することにある。
ブ素子の欠点を除去せしめ、光応答速度が速く、作製が
容易で特性の再現性のよい光書込型液晶ライトバルブ素
子を提供することにある。
本発明の光書込型液晶ライトバルブ素子は従来構造の光
書込型液晶ライトバルブ素子で特に光埼電体膜及び遮光
膜に非晶質シリコン膜を用いた光裏込型液晶ライトバル
ブ素子において、訪電１体多層反射膜の一部を構成する
高屈折率膜を非晶質シリコン膜と１−たことを特徴とす
るものである。
書込型液晶ライトバルブ素子で特に光埼電体膜及び遮光
膜に非晶質シリコン膜を用いた光裏込型液晶ライトバル
ブ素子において、訪電１体多層反射膜の一部を構成する
高屈折率膜を非晶質シリコン膜と１−たことを特徴とす
るものである。
り下しζ各１１１〜の非品′１！］シリコンの特性を示
しざらに本分、明の光書込型液晶ライトバルブ素子を説
明する。
しざらに本分、明の光書込型液晶ライトバルブ素子を説
明する。
８年、非晶質シリコンの１ｉｔｉｉ箱子制御が水素によ
４・ダングリングボンドのン肖去によりＢＴ能となるこ
とかヲ１テされて以来、非晶ａシリコンの各力面への応
Ｊｊｌか盛んに研究心ノ１ている。その高い抵抗率と光
感度フン・ら光書込型液晶ライトバルブ素子への応用も
考えられた。ＳｉＨ４のグロー放霜、法によって形ＩＪ
Ｖ Ｌ ｆｃノンドープａ−８ｉ：Ｈは、暗導１ｇ′率
１Ｏ−８−−１Ｑ−ｒｏΩ−＋ ｃｔｔｔ−３、明線、
宿率は例えｆ １００ ｍＷの白色光のｆＦｉ明の下で
１０−３〜１０−６Ω−１ｃ＠−１であり、上５１４バ
、パｉ′小体部の条件を十分満足している。［２かも光
昨５、名神）ＵにＣｄＳに比べ１桁程Ｖ速いことが知ら
オ′１ている。また特性はａ−８ｉ：Ｈに比べやや劣る
もσ）の、而」熱性において優り、弗素と水素を含んだ
ａ −Ｓｌ ：Ｉ”’Ｈでも上記条件を満足するものが
得られている。しか１−１非晶質シリコンの場合には最
近１で遮光膜材料が見出さｈなかったため光書込型液晶
ライトバルブ素子とＬ〜て実用Ｋにｊ２Ｚらなかった。
４・ダングリングボンドのン肖去によりＢＴ能となるこ
とかヲ１テされて以来、非晶ａシリコンの各力面への応
Ｊｊｌか盛んに研究心ノ１ている。その高い抵抗率と光
感度フン・ら光書込型液晶ライトバルブ素子への応用も
考えられた。ＳｉＨ４のグロー放霜、法によって形ＩＪ
Ｖ Ｌ ｆｃノンドープａ−８ｉ：Ｈは、暗導１ｇ′率
１Ｏ−８−−１Ｑ−ｒｏΩ−＋ ｃｔｔｔ−３、明線、
宿率は例えｆ １００ ｍＷの白色光のｆＦｉ明の下で
１０−３〜１０−６Ω−１ｃ＠−１であり、上５１４バ
、パｉ′小体部の条件を十分満足している。［２かも光
昨５、名神）ＵにＣｄＳに比べ１桁程Ｖ速いことが知ら
オ′１ている。また特性はａ−８ｉ：Ｈに比べやや劣る
もσ）の、而」熱性において優り、弗素と水素を含んだ
ａ −Ｓｌ ：Ｉ”’Ｈでも上記条件を満足するものが
得られている。しか１−１非晶質シリコンの場合には最
近１で遮光膜材料が見出さｈなかったため光書込型液晶
ライトバルブ素子とＬ〜て実用Ｋにｊ２Ｚらなかった。
そこで発明者等はａ−８ｔ：Ｆ：Ｈの成長条件を変える
ことにより遮光膜に適した特性を持たせることが可能で
あることを見い出し７、本発明はこわを用いた光書込型
液晶ライトバルブ素子を提供するものである。
ことにより遮光膜に適した特性を持たせることが可能で
あることを見い出し７、本発明はこわを用いた光書込型
液晶ライトバルブ素子を提供するものである。
本発明では誘電体多層反射膜の部分にも非晶質シリコン
を用い、光導電体から誘電体多層反射膜１でを同一装置
で連続形成することを可能にし、安定でかつ炸裂が容易
な光書込型液晶ライトバルブを得た。誘電体多層反射膜
は一般に屈折率の大きな膜と小さな膜を組合わせ干渉効
果によって反射率を増大させるもので、それぞれの膜の
屈折率差が大きい程良い反射鏡が得らねることが知らハ
ている。通常は、誘電体材料として硫化亜鉛とフン化マ
グネシウム、鹸化セリウムとフッ化マグネシウム、二酸
化硅素と二酸化チタニウムなどの絹合せが用いられてい
る。しかｊ〜前記従来−型素子の欠点で肩・べたよう（
へ′、こｔ）らの鰹と遮光膜との拷赤ダｔ−ｉ＋ ：ｉ
！ｓ ＜ 、例え（ｄ水かかかるとすぐに膜のｒＪ〈崗
１ｔ か始−〕グこ リ°す４）１、こｉ’ｌ ’、’
＋一対し７本発明の光書込型液晶ライトバルブネ干−Ｃ
’ ＆−，１１ｉｉ１述１．たように相料ケすべてシリ
コン糸７、、、−：、、、 、、、・こ（ｌによりこの
問題全解決しでいる。非λ１゜’（７４／ＩＩニフンは
市子与真σ〕感光体に使用可能な程か／、−′いｊＩＩ
□“（゛あ２）３．１かも九纏電体、井光膜ともＪ１゛
ＪｒＴ”ｔＩ）ソ′１）二？ン′であね（６丁、この」
二に非晶質シリコンイ（中心ど１．／ζ多層膜ｋ・メ、
］け２．ことには何の問題もない、゛ま／こＭ ｉ出体
多層反１ｒ：Ｊ膜の低屈折率膜に５ＩＯ９や８１ＮＸ谷
−１＋１い冶（：１、汝定性が損なわれることはない。
を用い、光導電体から誘電体多層反射膜１でを同一装置
で連続形成することを可能にし、安定でかつ炸裂が容易
な光書込型液晶ライトバルブを得た。誘電体多層反射膜
は一般に屈折率の大きな膜と小さな膜を組合わせ干渉効
果によって反射率を増大させるもので、それぞれの膜の
屈折率差が大きい程良い反射鏡が得らねることが知らハ
ている。通常は、誘電体材料として硫化亜鉛とフン化マ
グネシウム、鹸化セリウムとフッ化マグネシウム、二酸
化硅素と二酸化チタニウムなどの絹合せが用いられてい
る。しかｊ〜前記従来−型素子の欠点で肩・べたよう（
へ′、こｔ）らの鰹と遮光膜との拷赤ダｔ−ｉ＋ ：ｉ
！ｓ ＜ 、例え（ｄ水かかかるとすぐに膜のｒＪ〈崗
１ｔ か始−〕グこ リ°す４）１、こｉ’ｌ ’、’
＋一対し７本発明の光書込型液晶ライトバルブネ干−Ｃ
’ ＆−，１１ｉｉ１述１．たように相料ケすべてシリ
コン糸７、、、−：、、、 、、、・こ（ｌによりこの
問題全解決しでいる。非λ１゜’（７４／ＩＩニフンは
市子与真σ〕感光体に使用可能な程か／、−′いｊＩＩ
□“（゛あ２）３．１かも九纏電体、井光膜ともＪ１゛
ＪｒＴ”ｔＩ）ソ′１）二？ン′であね（６丁、この」
二に非晶質シリコンイ（中心ど１．／ζ多層膜ｋ・メ、
］け２．ことには何の問題もない、゛ま／こＭ ｉ出体
多層反１ｒ：Ｊ膜の低屈折率膜に５ＩＯ９や８１ＮＸ谷
−１＋１い冶（：１、汝定性が損なわれることはない。
１い・′１）Ｉ体々・層ＪＹ芽Ｉ膜の私憤、を功べるた
めに形ｈν（７Ａ−’６１色肪、’しく／〕４”Ｍ Ｊ
２．ｉ４第２１ン１に示す。図において１４（・、ｌカ
ラス基板、ｉ５，１７，１９，２１ｉｄ基板温１３０１
℃、１）、と８１Ｆ４のカス７糧１イ今］七ｓｉ Ｆ４
／１（、、が６（〕、貞空鵬二〇。
めに形ｈν（７Ａ−’６１色肪、’しく／〕４”Ｍ Ｊ
２．ｉ４第２１ン１に示す。図において１４（・、ｌカ
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／１（、、が６（〕、貞空鵬二〇。
Ｉ Ｔｏｒｒの条件Ｆでクロー放電法により形成ｊ−１
た非晶１ノ・／すｍｌンａ−８ｉ ： Ｆ ： Ｈの膜
である。、膜Ｊｐ ｖ、ｒ ｍｌ ５ズハろ９ＯＡ、１
７〃＼３３０Ａ、１９が４３０Ａ、２ １、か５０１１
［］ Ａであイ）３、＋ ６ 、 Ｉ ８．２０ ｔ
ｊｌ ５ＩＨ４、ＮＨ８、Ｎ２の混合比を７） ： ４
： ６０、基オル詰ｍ′３０口℃真芹Ｆ Ｏ，Ｔ Ｔ
ｏｒｒでクロー放電、法により形成Ｌ−′＃：、 Ｓｉ
Ｎｘ膜で、膜ルはそハぞｆｌ−膜１６が５４ＤＸ、１
８か４７０Ｘ、２０が６１０＾である。この場合、そｔ
）ぞハの役割（弓、２１が遮光膜の代、りの土地であり
、１５゜１６の糺か５５０ ｕｍの波長の光ケ中心に反
則する反射増大膜、１７．１８が４８０ｕｍの波長の光
を、４９．２０が６２０ｕｍの波長の光を中心に反射さ
せる反射増大膜である。屈す「庵６非晶買シリコンかＡ
６、ＳｉＮｘ膜が２５３と１〜でδ４泗［７八−０と−
ぴ−）多凧・膜の可視域における反射率ｆ第６図に示″
４−０図から分るように反射率はかなり広範囲に９０受
以上の仙となってよ、・り反射鏡とし７て十分使Ｊ＋４
−４ｊｌ能であ４）ことか分る。ピークの波長かＡ干す
れでいるのに膜厚制御が冗全てなかったためである。反
射（、′Ｖ′ｃ関してにさト）に仙密な膜厚制御ケ省つ
／ζす、）１しの組合せ力、層数等を考えるととによ１
プさらに休きくすることが可能である。尚、この多層ｊ
模に使っている非晶λシリコンに一遮光ｊ換と同じ恰、
寅をも“１つており光によって素子の分％を能が劣化１
゛ることＶＪｆｉ （身、 （Ｑ′）ようシ（オー。導小体から銹霜１体多Ｉ曽反射
換寸でｋ ４’ ｔＷ１’ｊ！＋シリコン糸で、しかも
同一の装すで真空ｋ・やぶｌ）、 −ｊ−’ 、’ｉｊ
−紐的に形成できるため、本発明の光；”■込ハリ液晶
うイトノ・ルブ累子は従来型の素子に対１．１゛ノ、１
・に夕１１Ｒ・す乙優ノ］た点かおる。−１−なわぢ、
１）Ｊ１晶′Ｂ（シリコン１ＩＣｄＳに比べ光応答か少
く。１−もｉ Ｒｙ以十速いため高速応答の光吉込型液
１１’ｉｌライトバルブ−２＋、子か得らｉ４゜ン）叶
ト１ｂ（・←が＊ｒ ｆｑ＋−であり、膜彰成時間の犬
＋ｔａｆＡ：知縮が■」］能てあゐ。ν１（えは従来の
ＣｄＳ式ｄＴｅ／ｉ＋−： ’：巾体多層反帽ｊｊ（だ
と６神類の形成装置か必冑２・劉゛、ろ同頁？から出し
７人ｊする心安があ２）〃・・↑＼発明の象゛１名・一
つの装橘で、１回真空に引Ｄ−Ｊ（・、：ｌよい１、位
って作製に夾する時間に大体し、〜１／４以トとなる５
、 ５）伸糾成（夛６のためそｆｌぞねの膜の界面を苗浄Ｖ
（ｉＷつことが６−’ｉ ’ｉ：であり、Ｌ、かもぞれ
ぞねの脇の（」料かほとんど同じであるため不安１性／
ハ 々 い 。
た非晶１ノ・／すｍｌンａ−８ｉ ： Ｆ ： Ｈの膜
である。、膜Ｊｐ ｖ、ｒ ｍｌ ５ズハろ９ＯＡ、１
７〃＼３３０Ａ、１９が４３０Ａ、２ １、か５０１１
［］ Ａであイ）３、＋ ６ 、 Ｉ ８．２０ ｔ
ｊｌ ５ＩＨ４、ＮＨ８、Ｎ２の混合比を７） ： ４
： ６０、基オル詰ｍ′３０口℃真芹Ｆ Ｏ，Ｔ Ｔ
ｏｒｒでクロー放電、法により形成Ｌ−′＃：、 Ｓｉ
Ｎｘ膜で、膜ルはそハぞｆｌ−膜１６が５４ＤＸ、１
８か４７０Ｘ、２０が６１０＾である。この場合、そｔ
）ぞハの役割（弓、２１が遮光膜の代、りの土地であり
、１５゜１６の糺か５５０ ｕｍの波長の光ケ中心に反
則する反射増大膜、１７．１８が４８０ｕｍの波長の光
を、４９．２０が６２０ｕｍの波長の光を中心に反射さ
せる反射増大膜である。屈す「庵６非晶買シリコンかＡ
６、ＳｉＮｘ膜が２５３と１〜でδ４泗［７八−０と−
ぴ−）多凧・膜の可視域における反射率ｆ第６図に示″
４−０図から分るように反射率はかなり広範囲に９０受
以上の仙となってよ、・り反射鏡とし７て十分使Ｊ＋４
−４ｊｌ能であ４）ことか分る。ピークの波長かＡ干す
れでいるのに膜厚制御が冗全てなかったためである。反
射（、′Ｖ′ｃ関してにさト）に仙密な膜厚制御ケ省つ
／ζす、）１しの組合せ力、層数等を考えるととによ１
プさらに休きくすることが可能である。尚、この多層ｊ
模に使っている非晶λシリコンに一遮光ｊ換と同じ恰、
寅をも“１つており光によって素子の分％を能が劣化１
゛ることＶＪｆｉ （身、 （Ｑ′）ようシ（オー。導小体から銹霜１体多Ｉ曽反射
換寸でｋ ４’ ｔＷ１’ｊ！＋シリコン糸で、しかも
同一の装すで真空ｋ・やぶｌ）、 −ｊ−’ 、’ｉｊ
−紐的に形成できるため、本発明の光；”■込ハリ液晶
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・に夕１１Ｒ・す乙優ノ］た点かおる。−１−なわぢ、
１）Ｊ１晶′Ｂ（シリコン１ＩＣｄＳに比べ光応答か少
く。１−もｉ Ｒｙ以十速いため高速応答の光吉込型液
１１’ｉｌライトバルブ−２＋、子か得らｉ４゜ン）叶
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＋ｔａｆＡ：知縮が■」］能てあゐ。ν１（えは従来の
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７人ｊする心安があ２）〃・・↑＼発明の象゛１名・一
つの装橘で、１回真空に引Ｄ−Ｊ（・、：ｌよい１、位
って作製に夾する時間に大体し、〜１／４以トとなる５
、 ５）伸糾成（夛６のためそｆｌぞねの膜の界面を苗浄Ｖ
（ｉＷつことが６−’ｉ ’ｉ：であり、Ｌ、かもぞれ
ぞねの脇の（」料かほとんど同じであるため不安１性／
ハ 々 い 。
４）ＣｄＳ、ＣｄＴｅに対ｌ−非晶實シリ１ンース（状
公害杓料である。
公害杓料である。
以下に本発明の光ｆ通湯液晶うイトバルブ素−■の一実
施例な第４図（Ｑ示す。卯、４し１において２２゜２３
にガラス基板、２４．２５はＩＴＯス方明箱極、２６は
基＆温＋３’３００℃真空Ｉｔ’ Ｉｌｌ Ｉ Ｔｏｒ
ｒ ｔＪ）条件で５ｉＦ１４のグロー放％法によって形
成しだａ−８ｉ：Ｈの光ｄ１１層層、２７はＳｉＦ４と
Ｈ２とのカス混合比Ｓ Ｉ Ｆ４／’８２が１０、基鈑
温度５００℃、真空ｍ０１Ｔｏｒｒ ｔＪ−＞ ％−件
でグロー放′市法により形成１−た）ｌ −ｂｒ ’
Ｆ” ’ 、ＩＪυつ遮光膜、２８は２７と同一条件て
作製しまたａｓｌ：Ｆ：Ｈｌｉｕ−ｒ、Ｊｔｉ体多層反
射Ｍ ［オＶＪ−４＋ ｔＭＪ １０ｆ ：Ｉｈ率ｊ＋
ｓである。２９はＮ２０と５ｉｌ（４のり１コ一放軍分
解法で形成１−７た５ｉ０２膜で誘電体多廓及躬膜（Ｃ
おｒｆ’ ｌ）低）７＋、１折率膜である。３０にＳｉ
Ｏの址トめ７Ａ着によってｊト成した液晶の配向処理１
層、３１にマイラフィルノ、のスペーサ、３２は表示用
のネの合ｍ界効果型σ９ツイスト・ネマティック液晶Ｅ
７で、成分ｉｊ ４−シフ／−４−ｎ−ペンチルビフエ
ニルと４−シアノ−４−ｎ−ヘンチルビフェニル、！−
４−，７ア／−４７−ｎ−オクメキシビフェニルと４−
シアノ−４′−ｎ−ペンテルターフェニル？（−れツレ
Ｑ、２５．Ｃ１，５１゜０．１，０．１４の割合で混合
したものである。
施例な第４図（Ｑ示す。卯、４し１において２２゜２３
にガラス基板、２４．２５はＩＴＯス方明箱極、２６は
基＆温＋３’３００℃真空Ｉｔ’ Ｉｌｌ Ｉ Ｔｏｒ
ｒ ｔＪ）条件で５ｉＦ１４のグロー放％法によって形
成しだａ−８ｉ：Ｈの光ｄ１１層層、２７はＳｉＦ４と
Ｈ２とのカス混合比Ｓ Ｉ Ｆ４／’８２が１０、基鈑
温度５００℃、真空ｍ０１Ｔｏｒｒ ｔＪ−＞ ％−件
でグロー放′市法により形成１−た）ｌ −ｂｒ ’
Ｆ” ’ 、ＩＪυつ遮光膜、２８は２７と同一条件て
作製しまたａｓｌ：Ｆ：Ｈｌｉｕ−ｒ、Ｊｔｉ体多層反
射Ｍ ［オＶＪ−４＋ ｔＭＪ １０ｆ ：Ｉｈ率ｊ＋
ｓである。２９はＮ２０と５ｉｌ（４のり１コ一放軍分
解法で形成１−７た５ｉ０２膜で誘電体多廓及躬膜（Ｃ
おｒｆ’ ｌ）低）７＋、１折率膜である。３０にＳｉ
Ｏの址トめ７Ａ着によってｊト成した液晶の配向処理１
層、３１にマイラフィルノ、のスペーサ、３２は表示用
のネの合ｍ界効果型σ９ツイスト・ネマティック液晶Ｅ
７で、成分ｉｊ ４−シフ／−４−ｎ−ペンチルビフエ
ニルと４−シアノ−４−ｎ−ヘンチルビフェニル、！−
４−，７ア／−４７−ｎ−オクメキシビフェニルと４−
シアノ−４′−ｎ−ペンテルターフェニル？（−れツレ
Ｑ、２５．Ｃ１，５１゜０．１，０．１４の割合で混合
したものである。
上ＢＬヒによって得た光書込型液晶ライトバルブ素子に
、従来のＣｄＳ糸のライトバルブ素子が作製に約１週間
装ｉ〜でいたのに対１−わずか１日で作製すめことかで
きた。捷だ、パルス幅１μＳｅｅ程用のレーザ光にも十
分追随し、高速性が確かめらねた。
、従来のＣｄＳ糸のライトバルブ素子が作製に約１週間
装ｉ〜でいたのに対１−わずか１日で作製すめことかで
きた。捷だ、パルス幅１μＳｅｅ程用のレーザ光にも十
分追随し、高速性が確かめらねた。
画質に関しては、はぼ従来通りのものが得ら′ｉ″Ｌだ
。
。
以上説明したように、本発明の光書込型液晶ライトバル
ブ素子に従来の素子に比べ作製が容易で再現性、安定性
がよく、高速でしかも材料が無公害物情である等、工朶
的に数多くの利点を有するものである。
ブ素子に従来の素子に比べ作製が容易で再現性、安定性
がよく、高速でしかも材料が無公害物情である等、工朶
的に数多くの利点を有するものである。
ｉ １ ［ｉＱＩは従来の一般的な光書込型液晶ライト
バルブ素子の構造図、第２図は非晶質シリコンを用いた
誘′出体多層反射膜の実験に用いた多層膜の構造図、第
６図は第２図に示Ｌ７た多層膜の反射率、第４図は本発
明の一実施例を示す構造図である。 １．６・・・ガラス基板、２，７・・・透明笥極、３・
・光導電体、４・・・遜光膜、５・・１１体多ｊ曽ｆＸ
躬膜、８・・・液晶、９，９′・・・配向処理層、１ｏ
・・・スペーサー、１１・・・電源、１２・・・入力光
、１６・・・投射光、１４・・・カラス基板、１５．１
７．１９．２１−ａ−８ｉ：Ｆ：Ｈ膜、１６．１ ｓ、
２０−＝ ５ｉＮｘｌｌｌ、２２．２３−ガラス基板
、２４．２５・・・ＩＴＯ透明重極、２６・・・ａ−８
ｉ：Ｈ膜、２７．２８−ａ−８ｔ ：Ｆ’：Ｈ膜、２９
・・・５ｉ０２膜、５０・・・ＳｉＯ配向処理膜、３
１・・・スペーサー、３２・・・複合電界効果型ツイス
ト・ネマティク液晶。 特許出願人 日本電気株式会社 ｔ′） 代 理 人 弁理士 内 原 晋・、＼、−
バルブ素子の構造図、第２図は非晶質シリコンを用いた
誘′出体多層反射膜の実験に用いた多層膜の構造図、第
６図は第２図に示Ｌ７た多層膜の反射率、第４図は本発
明の一実施例を示す構造図である。 １．６・・・ガラス基板、２，７・・・透明笥極、３・
・光導電体、４・・・遜光膜、５・・１１体多ｊ曽ｆＸ
躬膜、８・・・液晶、９，９′・・・配向処理層、１ｏ
・・・スペーサー、１１・・・電源、１２・・・入力光
、１６・・・投射光、１４・・・カラス基板、１５．１
７．１９．２１−ａ−８ｉ：Ｆ：Ｈ膜、１６．１ ｓ、
２０−＝ ５ｉＮｘｌｌｌ、２２．２３−ガラス基板
、２４．２５・・・ＩＴＯ透明重極、２６・・・ａ−８
ｉ：Ｈ膜、２７．２８−ａ−８ｔ ：Ｆ’：Ｈ膜、２９
・・・５ｉ０２膜、５０・・・ＳｉＯ配向処理膜、３
１・・・スペーサー、３２・・・複合電界効果型ツイス
ト・ネマティク液晶。 特許出願人 日本電気株式会社 ｔ′） 代 理 人 弁理士 内 原 晋・、＼、−
Claims (1)
- （１）貧１のガラス基鈑上に透明導電１膜、元導笥体膜
、部光膜、胱市体多ｊ−反射膜ケ積層し７、該第１の積
漸カラス基板と第２の透明霜極付ガラス基板とで液晶を
挾持しまた構造を持つ光書込型液晶ライトバルブ素子、
釉に光導都゛体膜及び遮光膜に非晶ｖ１シリコン膜を用
いた光書込型液晶ライトバルブ素子において、高ル（折
率膜と低屈折率膜とが組合さねたお、車体多層反射膜の
うち高屈折率膜を非晶″ｔｉＪシリコン膜と１、たこと
を特徴とする光曹込型液晶ライトバルブ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044745A JPS59170820A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044745A JPS59170820A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170820A true JPS59170820A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12699978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044745A Pending JPS59170820A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光書込型液晶ライトバルブ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501334A (ja) * | 1987-08-27 | 1990-05-10 | ヒューズ―ジェイブイシー・テクノロジー・コーポレーション | 液晶光バルブ装置 |
| EP0422645A2 (en) * | 1989-10-12 | 1991-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve and production process of the same |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58044745A patent/JPS59170820A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501334A (ja) * | 1987-08-27 | 1990-05-10 | ヒューズ―ジェイブイシー・テクノロジー・コーポレーション | 液晶光バルブ装置 |
| JP2567078B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-12-25 | ヒューズ―ジェイブイシー・テクノロジー・コーポレーション | 液晶光バルブ装置 |
| EP0422645A2 (en) * | 1989-10-12 | 1991-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve and production process of the same |
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