JP3062012B2 - 液晶ライトバルブ - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1351—Light-absorbing or blocking layers
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投射型液晶表示装置、
光演算器、波長変換器等に用いられる光書込型の液晶ラ
イトバルブに関するものである。
光演算器、波長変換器等に用いられる光書込型の液晶ラ
イトバルブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、家庭用ビデオ鑑賞や、プレゼンテ
ーションを目的とした、大画面投射型ディスプレイの開
発が盛んに行われている。従来の大画面ディスプレイと
しては、ＴＦＴ液晶パネルを使用した投射型プロジェク
ター、ブラウン管を使用した投射型プロジェクター、ま
た、プレゼンテーション用としてスライドプロジェクタ
ーやオーバーヘッドプロジェクターが使用されている。
しかし、これらは画面輝度が非常に暗いため、上記の各
プロジェクターを使用する際には、部屋を暗くする必要
があり、明るい部屋でのビデオ鑑賞や、メモを取りなが
らのプレゼンテーションには不向きであった。
ーションを目的とした、大画面投射型ディスプレイの開
発が盛んに行われている。従来の大画面ディスプレイと
しては、ＴＦＴ液晶パネルを使用した投射型プロジェク
ター、ブラウン管を使用した投射型プロジェクター、ま
た、プレゼンテーション用としてスライドプロジェクタ
ーやオーバーヘッドプロジェクターが使用されている。
しかし、これらは画面輝度が非常に暗いため、上記の各
プロジェクターを使用する際には、部屋を暗くする必要
があり、明るい部屋でのビデオ鑑賞や、メモを取りなが
らのプレゼンテーションには不向きであった。
【０００３】そこで、上記の各プロジェクターにおい
て、画面輝度を向上させるために、液晶ライトバルブが
使用されている。例えば、１９７７年に、Ｕ．Ｓ．Ｐａ
ｔ．４，０１９，８０７ Ｂｏｓｗｅｌｌ ｅｔ ａ
ｌ．により、光導電体層に硫化カドミウム（ＣｄＳ）、
遮光層にテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、光反射層に
誘電体の多層膜であるＭｇＦ／ＺｎＳを用いた光書き込
み型の液晶ライトバルブが提案されている。しかしなが
ら、光導電体層にＣｄＳを使用しているため、素子の応
答速度が遅く、また再現性に乏しいという問題から１９
８９年に、Ｕ．Ｓ．Ｐａｔ．４，７９９，７７３ Ｓｔ
ｅｒｌｉｎｇにより、素子の応答速度が速く、また再現
性に富む非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を光導電
体層に用い、遮光層にＣｄＴｅ、光反射層に誘電体の多
層膜であるＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 を用いた光書込み型の液
晶ライトバルブが提案された。しかしながら、この液晶
ライトバルブでは、光導電体層である非晶質水素化ケイ
素と遮光層であるＣｄＴｅとの密着性が悪いこと、また
ＣｄＴｅの遮光性能が十分でないという問題を有してい
る。
て、画面輝度を向上させるために、液晶ライトバルブが
使用されている。例えば、１９７７年に、Ｕ．Ｓ．Ｐａ
ｔ．４，０１９，８０７ Ｂｏｓｗｅｌｌ ｅｔ ａ
ｌ．により、光導電体層に硫化カドミウム（ＣｄＳ）、
遮光層にテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、光反射層に
誘電体の多層膜であるＭｇＦ／ＺｎＳを用いた光書き込
み型の液晶ライトバルブが提案されている。しかしなが
ら、光導電体層にＣｄＳを使用しているため、素子の応
答速度が遅く、また再現性に乏しいという問題から１９
８９年に、Ｕ．Ｓ．Ｐａｔ．４，７９９，７７３ Ｓｔ
ｅｒｌｉｎｇにより、素子の応答速度が速く、また再現
性に富む非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を光導電
体層に用い、遮光層にＣｄＴｅ、光反射層に誘電体の多
層膜であるＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 を用いた光書込み型の液
晶ライトバルブが提案された。しかしながら、この液晶
ライトバルブでは、光導電体層である非晶質水素化ケイ
素と遮光層であるＣｄＴｅとの密着性が悪いこと、また
ＣｄＴｅの遮光性能が十分でないという問題を有してい
る。
【０００４】そこで、例えば文献１（Ｕ．Ｓ．Ｐａｔ．
５，０８４，７７７ ＤａｖｉｄＥ．Ｓｌｏｂｏｄｉｎ
Ｇｒｅｙｈａｗｋ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．）に
は、高輝度ディスプレイを目的とし、非晶質水素化ケイ
素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）が光導電体層に使用され、光導電体
層との密着性が良く、また、遮光性が良い非晶質水素化
ケイ素ゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）が遮光層に使
用された光書込み型の液晶ライトバルブが開示されてい
る。
５，０８４，７７７ ＤａｖｉｄＥ．Ｓｌｏｂｏｄｉｎ
Ｇｒｅｙｈａｗｋ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．）に
は、高輝度ディスプレイを目的とし、非晶質水素化ケイ
素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）が光導電体層に使用され、光導電体
層との密着性が良く、また、遮光性が良い非晶質水素化
ケイ素ゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）が遮光層に使
用された光書込み型の液晶ライトバルブが開示されてい
る。
【０００５】上記の文献１の液晶ライトバルブは、例え
ば図１０に示すように、読み出し光１１０の強度変化を
電圧変化によって変調する液晶層１０７、読み出し光１
１０を反射させる誘電体多層膜で構成された光反射層１
０４、光反射層１０４からの透過光を遮断する非晶質水
素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層１０３、書き込
み光１０９の強度によりインピーダンスを変化させ、液
晶層１０７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素
からなる光導電体層１０２から成り、これらの各層を透
明導電膜１０１ａ・１０１ｂの形成されたガラス等の透
光性基板１００ａ・１００ｂで挟んだサンドイッチ構造
をしている。
ば図１０に示すように、読み出し光１１０の強度変化を
電圧変化によって変調する液晶層１０７、読み出し光１
１０を反射させる誘電体多層膜で構成された光反射層１
０４、光反射層１０４からの透過光を遮断する非晶質水
素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層１０３、書き込
み光１０９の強度によりインピーダンスを変化させ、液
晶層１０７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素
からなる光導電体層１０２から成り、これらの各層を透
明導電膜１０１ａ・１０１ｂの形成されたガラス等の透
光性基板１００ａ・１００ｂで挟んだサンドイッチ構造
をしている。
【０００６】上記液晶層１０７は、光反射層１０４上に
形成された、液晶分子を配向させる配向膜１０５ａと、
透明導電膜１０１ｂ上に形成された、液晶分子を配向さ
せる配向膜１０５ｂとの間に、スペーサ１０６・１０６
を介して液晶が封入されて、形成されている。また、上
記透明導電膜１０１ａ・１０１ｂには、交流電圧を発生
する駆動電源１１１が接続されている。
形成された、液晶分子を配向させる配向膜１０５ａと、
透明導電膜１０１ｂ上に形成された、液晶分子を配向さ
せる配向膜１０５ｂとの間に、スペーサ１０６・１０６
を介して液晶が封入されて、形成されている。また、上
記透明導電膜１０１ａ・１０１ｂには、交流電圧を発生
する駆動電源１１１が接続されている。
【０００７】上記の液晶ライトバルブは、光導電体層１
０２に書き込み光１０９による画像信号の入力が無い状
態（暗状態）では光導電体層１０２は高インピーダンス
となるが、光導電体層１０２に書き込み光１０９による
画像信号が入力された状態（明状態）では光導電効果に
より光導電体層１０２は低インピーダンスとなるため、
液晶層１０７に印加される電圧が閾値電圧を越え、液晶
層１０７の配向状態が変化する。この配向状態の変化を
読み出し光１１０の強度変化として、偏光ビームスプリ
ッタ等を通してスクリーンに投影することで画像信号と
して取り出すようになっている。
０２に書き込み光１０９による画像信号の入力が無い状
態（暗状態）では光導電体層１０２は高インピーダンス
となるが、光導電体層１０２に書き込み光１０９による
画像信号が入力された状態（明状態）では光導電効果に
より光導電体層１０２は低インピーダンスとなるため、
液晶層１０７に印加される電圧が閾値電圧を越え、液晶
層１０７の配向状態が変化する。この配向状態の変化を
読み出し光１１０の強度変化として、偏光ビームスプリ
ッタ等を通してスクリーンに投影することで画像信号と
して取り出すようになっている。
【０００８】また、液晶ライトバルブを使用した投射型
液晶表示装置は、図１１に示すように、ＣＲＴ（Cathod
e Ray Tube) １２２によって形成された画像がファイバ
ープレート等により液晶ライトバルブ１２３に書き込ま
れる一方、読み出し光源１２１から出射された読み出し
光が光学レンズ１２５ａ、偏光ビームスプリッタ１２４
を介して液晶ライトバルブ１２３に入射され、液晶ライ
トバルブ１２３内で画像に応じて変調された後、再び偏
光ビームスプリッタ１２４、光学レンズ１２５ｂを介し
てスクリーン１２６上に画像が投影される。
液晶表示装置は、図１１に示すように、ＣＲＴ（Cathod
e Ray Tube) １２２によって形成された画像がファイバ
ープレート等により液晶ライトバルブ１２３に書き込ま
れる一方、読み出し光源１２１から出射された読み出し
光が光学レンズ１２５ａ、偏光ビームスプリッタ１２４
を介して液晶ライトバルブ１２３に入射され、液晶ライ
トバルブ１２３内で画像に応じて変調された後、再び偏
光ビームスプリッタ１２４、光学レンズ１２５ｂを介し
てスクリーン１２６上に画像が投影される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ハイビジョ
ンに代表される次世代メディア媒体は、近年、高輝度
化、高解像度化が進んでおり、投射型液晶表示装置もそ
れに順じ、高輝度化、高解像度化が進んでいる。
ンに代表される次世代メディア媒体は、近年、高輝度
化、高解像度化が進んでおり、投射型液晶表示装置もそ
れに順じ、高輝度化、高解像度化が進んでいる。
【００１０】このため、投射型液晶表示装置を高輝度化
するためには、読み出し光源１２１の高輝度化が必要と
なり、ランプ出力を大きくする必要がある。この場合、
投射型液晶表示装置のシステム全体の温度が上昇し、液
晶ライトバルブ自身の温度も４０度から６０度までに上
昇する。
するためには、読み出し光源１２１の高輝度化が必要と
なり、ランプ出力を大きくする必要がある。この場合、
投射型液晶表示装置のシステム全体の温度が上昇し、液
晶ライトバルブ自身の温度も４０度から６０度までに上
昇する。
【００１１】ところで、文献１では、遮光層の導電率、
遮光性能、温度の関係を（１）式で示しており、 σ＝σ0 ｅｘｐ（-Eopt/2kT ）・・・・・（１） σ ：導電率（Ｓ／ｃｍ） Ｅｏｐｔ：光学ギャップ（ｅＶ） ｋ ：ボルツマン定数 ８．６２（ｅＶ／Ｋ） Ｔ ：温度（Ｋ） Ｅｏｐｔを１．０＜Ｅｏｐｔ＜１．５の範囲で使用する
ことで、導電率の最適化を行っている。しかし、一般に
非晶質半導体薄膜は、図１４および（１）式からも分か
るように、Ｅｏｐｔを最適化しても、温度が上昇するこ
とにより導電率も上昇するため、温度の上昇と共に抵抗
率が低下する。このため、文献１で示された１．０＜Ｅ
ｏｐｔ＜１．５の条件を有する遮光層で光書き込み型液
晶ライトバルブを作成した場合、時間の経過と共に温度
が上昇し、図１２に示すように、解像度が低下するとい
う問題が生じる。
遮光性能、温度の関係を（１）式で示しており、 σ＝σ0 ｅｘｐ（-Eopt/2kT ）・・・・・（１） σ ：導電率（Ｓ／ｃｍ） Ｅｏｐｔ：光学ギャップ（ｅＶ） ｋ ：ボルツマン定数 ８．６２（ｅＶ／Ｋ） Ｔ ：温度（Ｋ） Ｅｏｐｔを１．０＜Ｅｏｐｔ＜１．５の範囲で使用する
ことで、導電率の最適化を行っている。しかし、一般に
非晶質半導体薄膜は、図１４および（１）式からも分か
るように、Ｅｏｐｔを最適化しても、温度が上昇するこ
とにより導電率も上昇するため、温度の上昇と共に抵抗
率が低下する。このため、文献１で示された１．０＜Ｅ
ｏｐｔ＜１．５の条件を有する遮光層で光書き込み型液
晶ライトバルブを作成した場合、時間の経過と共に温度
が上昇し、図１２に示すように、解像度が低下するとい
う問題が生じる。
【００１２】また、文献２（１９９３年 平成５年春季
第４０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 ２９
ｐ−ＺＤ−１ 液晶空間光変調素子用光吸収層アモルフ
ァスＳｉＧｅＣ：Ｈ膜の作製・評価 日本ガイシ（株）
ＮＨＫ放送技術研究所）により、光導電体層にＢＳ
Ｏ、遮光層に非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム炭素（ａ
−ＳｉＧｅＣ：Ｈ）を用いた光書き込み型液晶ライトバ
ルブが提案されているが、遮光層の導電率と温度との関
係から、温度特性の改善を行ったという記述は無い。
第４０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 ２９
ｐ−ＺＤ−１ 液晶空間光変調素子用光吸収層アモルフ
ァスＳｉＧｅＣ：Ｈ膜の作製・評価 日本ガイシ（株）
ＮＨＫ放送技術研究所）により、光導電体層にＢＳ
Ｏ、遮光層に非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム炭素（ａ
−ＳｉＧｅＣ：Ｈ）を用いた光書き込み型液晶ライトバ
ルブが提案されているが、遮光層の導電率と温度との関
係から、温度特性の改善を行ったという記述は無い。
【００１３】従って、非晶質半導体が示す抵抗率の温度
特性を緩和し、高温下においても液晶ライトバルブの解
像度の低下をできるだけ小さくして、十分な遮光性能を
有する遮光層が必要とされている。
特性を緩和し、高温下においても液晶ライトバルブの解
像度の低下をできるだけ小さくして、十分な遮光性能を
有する遮光層が必要とされている。
【００１４】また、遮光層の活性化エネルギーＥａを用
いて遮光層の温度特性を（２）式によって説明する。
尚、（２）式は、一般的な導電率と活性化エネルギーの
関係式を示す。
いて遮光層の温度特性を（２）式によって説明する。
尚、（２）式は、一般的な導電率と活性化エネルギーの
関係式を示す。
【００１５】 σ＝σ0 ｅｘｐ（-Ea/kT）・・・・・（２） σ ：導電率（Ｓ／ｃｍ） Ｅａ ：活性化エネルギー（ｅＶ） ｋ ：ボルツマン定数 ８．６２（ｅＶ／Ｋ） Ｔ ：温度（Ｋ） 前述のように、液晶ライトバルブの解像度の低下は、図
１３に示すように、温度上昇に伴う遮光層の導電率の上
昇が原因となっている。
１３に示すように、温度上昇に伴う遮光層の導電率の上
昇が原因となっている。
【００１６】また、（２）式から分かるように、温度の
上昇に伴う導電率の上昇は、活性化エネルギーＥａによ
り表される。理想的にはＥａ＝０ｅＶのとき、導電率は
温度特性を示さなくなるが、これは現実的ではない。
上昇に伴う導電率の上昇は、活性化エネルギーＥａによ
り表される。理想的にはＥａ＝０ｅＶのとき、導電率は
温度特性を示さなくなるが、これは現実的ではない。
【００１７】また、文献１では、光学ギャップＥｏｐｔ
と活性化エネルギーＥａの関係をＥａ≒Ｅｏｐｔ／２と
規定しており、これによると０．５ｅＶ＜Ｅａ＜０．７
５ｅＶとなる。しかし、この条件下では活性化エネルギ
ーが大きすぎるため、温度上昇に伴って導電率が大きく
低下し、それによって、解像度が著しく低下する。
と活性化エネルギーＥａの関係をＥａ≒Ｅｏｐｔ／２と
規定しており、これによると０．５ｅＶ＜Ｅａ＜０．７
５ｅＶとなる。しかし、この条件下では活性化エネルギ
ーが大きすぎるため、温度上昇に伴って導電率が大きく
低下し、それによって、解像度が著しく低下する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１の液晶ライトバ
ルブは、上記課題を解決するために、電極を有する一対
の透明基板の一方の電極上に光導電体層、遮光層が形成
され、両基板間に液晶を狭持してなる液晶ライトバルブ
において、上記遮光層が、シリコンを主成分とする４Ｂ
族の合金からなり、遮光層の活性化エネルギーＥａと光
学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、もし
くは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるように形成されてい
ることを特徴としている。
ルブは、上記課題を解決するために、電極を有する一対
の透明基板の一方の電極上に光導電体層、遮光層が形成
され、両基板間に液晶を狭持してなる液晶ライトバルブ
において、上記遮光層が、シリコンを主成分とする４Ｂ
族の合金からなり、遮光層の活性化エネルギーＥａと光
学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、もし
くは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるように形成されてい
ることを特徴としている。
【００１９】また、請求項２の液晶ライトバルブは、請
求項１記載の液晶ライトバルブにおいて、遮光層が非晶
質水素化ケイ素ゲルマニウムからなることを特徴として
いる。
求項１記載の液晶ライトバルブにおいて、遮光層が非晶
質水素化ケイ素ゲルマニウムからなることを特徴として
いる。
【００２０】さらに、請求項３の液晶ライトバルブは、
請求項１記載の液晶ライトバルブにおいて、遮光層が非
晶質水素化ケイ素錫からなることを特徴としている。
請求項１記載の液晶ライトバルブにおいて、遮光層が非
晶質水素化ケイ素錫からなることを特徴としている。
【００２１】
【作用】請求項１の構成によれば、遮光層として、シリ
コンを主成分とする４Ｂ族の合金、例えば請求項２記載
の非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム、あるいは請求項３
記載の非晶質水素化ケイ素錫を、活性化エネルギーＥａ
と光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、
もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるように形成する
ことによって、温度特性の小さい、高抵抗な遮光層を得
ることができる。
コンを主成分とする４Ｂ族の合金、例えば請求項２記載
の非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム、あるいは請求項３
記載の非晶質水素化ケイ素錫を、活性化エネルギーＥａ
と光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、
もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるように形成する
ことによって、温度特性の小さい、高抵抗な遮光層を得
ることができる。
【００２２】したがって、温度に対する導電率の変化が
小さい遮光層を提供することができ、これに伴って、遮
光層の抵抗率に対する温度特性を緩和することができる
ので、遮光性能を低下させることなく、高輝度、高解像
度の液晶ライトバルブを提供する事ができる。
小さい遮光層を提供することができ、これに伴って、遮
光層の抵抗率に対する温度特性を緩和することができる
ので、遮光性能を低下させることなく、高輝度、高解像
度の液晶ライトバルブを提供する事ができる。
【００２３】
〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図３
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２４】本実施例の液晶ライトバルブは、図１に示
すように、読み出し光２０の強度変化を電圧変化によっ
て変調する液晶層１７、読み出し光２０を反射させる誘
電体多層膜で構成された誘電体ミラー（光反射層）１
４、誘電体ミラー１４からの透過光を遮断する非晶質水
素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層１３、書き込み
光１９の強度によりインピーダンスを変化させ、液晶層
１７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素からな
る光導電体層１２から成り、これらの各層を透明電極１
１ａおよび対向電極１１ｂの形成されたガラスからなる
透光性基板１０ａ・１０ｂで挟んだサンドイッチ構造を
している。
すように、読み出し光２０の強度変化を電圧変化によっ
て変調する液晶層１７、読み出し光２０を反射させる誘
電体多層膜で構成された誘電体ミラー（光反射層）１
４、誘電体ミラー１４からの透過光を遮断する非晶質水
素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層１３、書き込み
光１９の強度によりインピーダンスを変化させ、液晶層
１７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素からな
る光導電体層１２から成り、これらの各層を透明電極１
１ａおよび対向電極１１ｂの形成されたガラスからなる
透光性基板１０ａ・１０ｂで挟んだサンドイッチ構造を
している。
【００２５】尚、上記透光性基板１０ｂの読み出し光２
０側表面には、読み出し光２０の反射を防止する反射防
止膜１８が形成されている。
０側表面には、読み出し光２０の反射を防止する反射防
止膜１８が形成されている。
【００２６】上記誘電体ミラー１４上には、液晶分子を
配向させる配向膜１５ａが形成される一方、上記対向電
極１１ｂ上には、液晶分子を配向させる配向膜１５ｂが
形成され、この配向膜１５ａ・１５ｂ間にスペーサ１６
・１６を介して液晶を封入することで上記の液晶層１７
が形成されている。また、上記透明導電膜１１ａ・１１
ｂには、交流電圧を発生する駆動電源（図示せず）が接
続されている。
配向させる配向膜１５ａが形成される一方、上記対向電
極１１ｂ上には、液晶分子を配向させる配向膜１５ｂが
形成され、この配向膜１５ａ・１５ｂ間にスペーサ１６
・１６を介して液晶を封入することで上記の液晶層１７
が形成されている。また、上記透明導電膜１１ａ・１１
ｂには、交流電圧を発生する駆動電源（図示せず）が接
続されている。
【００２７】上記の液晶ライトバルブは、光導電体層１
２に書き込み光１９による画像信号の入力が無い状態
（暗状態）では光導電体層１２は高インピーダンスとな
るが、光導電体層１２に書き込み光１９による画像信号
が入力された状態（明状態）では光導電効果により光導
電体層１２は低インピーダンスとなるため、液晶層１７
に印加される電圧が閾値電圧を越え、液晶層１７の配向
状態が変化する。この配向状態の変化を読み出し光２０
の強度変化として、偏光ビームスプリッタ等を通してス
クリーンに投影することで画像信号として取り出すよう
になっている。
２に書き込み光１９による画像信号の入力が無い状態
（暗状態）では光導電体層１２は高インピーダンスとな
るが、光導電体層１２に書き込み光１９による画像信号
が入力された状態（明状態）では光導電効果により光導
電体層１２は低インピーダンスとなるため、液晶層１７
に印加される電圧が閾値電圧を越え、液晶層１７の配向
状態が変化する。この配向状態の変化を読み出し光２０
の強度変化として、偏光ビームスプリッタ等を通してス
クリーンに投影することで画像信号として取り出すよう
になっている。
【００２８】次に、この液晶ライトバルブの製造方法に
ついて説明する。先ず、透光性基板１０ａ上に、全面に
錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる透明
導電膜をスパッタ法により形成し、透明電極１１ａとす
る。
ついて説明する。先ず、透光性基板１０ａ上に、全面に
錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる透明
導電膜をスパッタ法により形成し、透明電極１１ａとす
る。
【００２９】次に、透明電極１１ａ上に、光導電体層１
２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
（化学気相成長法）を用い、膜厚がおよそ７μｍとなる
ように形成する。
２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
（化学気相成長法）を用い、膜厚がおよそ７μｍとなる
ように形成する。
【００３０】次いで、光導電体層１２上に、液晶層１７
側から光導電体層１２へ入射する光を遮断するための遮
光層１３として、非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ１
μｍの厚さとなるように形成する。
側から光導電体層１２へ入射する光を遮断するための遮
光層１３として、非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ１
μｍの厚さとなるように形成する。
【００３１】上記の非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガスを原料
として生成される。このときの生成条件は、ガス比率を
ＳｉＨ4 ：ＧｅＨ4 ：Ａｒ＝２：１：１５、圧力を０．
８Ｔｏｒｒ、基板温度を２５０℃、Ｒｆパワーを６０Ｗ
とする。このように生成された遮光層１３の光学ギャッ
プＥｏｐｔは１．３ｅＶ、活性化エネルギーＥａは０．
６ｅＶとなる。
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガスを原料
として生成される。このときの生成条件は、ガス比率を
ＳｉＨ4 ：ＧｅＨ4 ：Ａｒ＝２：１：１５、圧力を０．
８Ｔｏｒｒ、基板温度を２５０℃、Ｒｆパワーを６０Ｗ
とする。このように生成された遮光層１３の光学ギャッ
プＥｏｐｔは１．３ｅＶ、活性化エネルギーＥａは０．
６ｅＶとなる。
【００３２】その後、遮光層１３上に、液晶層１７側か
ら光導電体層１２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー１４として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着法
によって形成する。
ら光導電体層１２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー１４として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着法
によって形成する。
【００３３】次に、透光性基板１０ａに対向する透光性
基板１０ｂ上の液晶層１７側に、ＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって対向電
極１１ｂを形成すると共に、読み出し光２０の入射側に
ガラスの表面反射を防止するための反射防止膜１８を形
成する。
基板１０ｂ上の液晶層１７側に、ＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって対向電
極１１ｂを形成すると共に、読み出し光２０の入射側に
ガラスの表面反射を防止するための反射防止膜１８を形
成する。
【００３４】次いで、対向電極１１ｂ及び誘電体ミラー
１４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜１５ａ・１５ｂを形成する。
１４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜１５ａ・１５ｂを形成する。
【００３５】その後、上記配向膜１５ａ・１５ｂにラビ
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板に樹脂から
なるシール剤を印刷してスペーサ１６・１６を形成し、
このスペーサ１６・１６を介して透光性基板１０ａと透
光性基板１０ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の
液晶ライトバルブを構成する。
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板に樹脂から
なるシール剤を印刷してスペーサ１６・１６を形成し、
このスペーサ１６・１６を介して透光性基板１０ａと透
光性基板１０ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の
液晶ライトバルブを構成する。
【００３６】ここで、上記構成の液晶ライトバルブの解
像度と温度との関係を図２に示す。図２から分かるよう
に、本実施例での液晶ライトバルブの場合、従来の遮光
層１０３を備えた液晶ライトバルブの場合、即ち図１２
に示す解像度と温度との関係と比較して、温度上昇によ
る解像度の低下率が小さくなっている。例えば、図２に
示すように、本実施例の液晶ライトバルブでは、温度２
６℃の解像度がほぼ４３（ｌｐ／ｍｍ）となる一方、図
１２に示すように、従来の液晶ライトバルブでは、温度
２６℃の解像度がほぼ３０（ｌｐ／ｍｍ）となる。ま
た、図２に示すように、本実施例の液晶ライトバルブで
は、温度５０℃の解像度がほぼ３０（ｌｐ／ｍｍ）とな
る一方、図１２に示すように、従来の液晶ライトバルブ
では、温度５０℃の解像度がほぼ１５（ｌｐ／ｍｍ）と
なる。したがって、本実施例における液晶ライトバルブ
は、従来の液晶ライトバルブよりも温度が上昇しても高
解像度が維持される。
像度と温度との関係を図２に示す。図２から分かるよう
に、本実施例での液晶ライトバルブの場合、従来の遮光
層１０３を備えた液晶ライトバルブの場合、即ち図１２
に示す解像度と温度との関係と比較して、温度上昇によ
る解像度の低下率が小さくなっている。例えば、図２に
示すように、本実施例の液晶ライトバルブでは、温度２
６℃の解像度がほぼ４３（ｌｐ／ｍｍ）となる一方、図
１２に示すように、従来の液晶ライトバルブでは、温度
２６℃の解像度がほぼ３０（ｌｐ／ｍｍ）となる。ま
た、図２に示すように、本実施例の液晶ライトバルブで
は、温度５０℃の解像度がほぼ３０（ｌｐ／ｍｍ）とな
る一方、図１２に示すように、従来の液晶ライトバルブ
では、温度５０℃の解像度がほぼ１５（ｌｐ／ｍｍ）と
なる。したがって、本実施例における液晶ライトバルブ
は、従来の液晶ライトバルブよりも温度が上昇しても高
解像度が維持される。
【００３７】この結果、温度上昇による解像度の低下が
目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブ
となっていることが分かる。また、上記の遮光層１３の
遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持さ
れている。
目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブ
となっていることが分かる。また、上記の遮光層１３の
遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持さ
れている。
【００３８】また、上記構成の液晶ライトバルブにより
なる投射型液晶表示装置としてのプロジェクションシス
テムは、図３に示すように、液晶ライトバルブＬＶが、
画像生成手段としてのＴＦＴ液晶パネル２２ｒ・２２ｇ
・２２ｂを介して赤、緑及び、青の各映像を表示するた
めの書き込み光源としての書き込みランプ２１ｒ・２１
ｇ・２１ｂに接続された構成となっている。
なる投射型液晶表示装置としてのプロジェクションシス
テムは、図３に示すように、液晶ライトバルブＬＶが、
画像生成手段としてのＴＦＴ液晶パネル２２ｒ・２２ｇ
・２２ｂを介して赤、緑及び、青の各映像を表示するた
めの書き込み光源としての書き込みランプ２１ｒ・２１
ｇ・２１ｂに接続された構成となっている。
【００３９】上記のＴＦＴ液晶パネル２２ｒ・２２ｇ・
２２ｂは、それぞれの色信号（Ｒ・Ｇ・Ｂ）に対応した
画像を形成するものであり、これにより、書き込みラン
プ２１ｒ・２１ｇ・２１ｂから出射された光によって、
上記のＴＦＴ液晶パネルで形成された画像が液晶ライト
バルブＬＶに書き込まれるようになっている。
２２ｂは、それぞれの色信号（Ｒ・Ｇ・Ｂ）に対応した
画像を形成するものであり、これにより、書き込みラン
プ２１ｒ・２１ｇ・２１ｂから出射された光によって、
上記のＴＦＴ液晶パネルで形成された画像が液晶ライト
バルブＬＶに書き込まれるようになっている。
【００４０】一方、上記のプロジェクションシステムに
は、読み出し光源としての読み出しランプ２６が備えら
れ、この読み出しランプ２６から出射された光は、レン
ズ系２７を介して、フィルター２８・２９およびミラー
３０を経て、上記の各色信号毎に設けられた偏光ビーム
スプリッタ２３に入射される。この偏光ビームスプリッ
タ２３に入射された光は、上記書き込み光源の明暗レベ
ルに応じて個別に変調され、これによって得られる各読
み出し画像を偏光ビームスプリッタ２３、レンズ系２４
などの投射手段としての光学系３１によりスクリーン２
５へ合成拡大投射される。
は、読み出し光源としての読み出しランプ２６が備えら
れ、この読み出しランプ２６から出射された光は、レン
ズ系２７を介して、フィルター２８・２９およびミラー
３０を経て、上記の各色信号毎に設けられた偏光ビーム
スプリッタ２３に入射される。この偏光ビームスプリッ
タ２３に入射された光は、上記書き込み光源の明暗レベ
ルに応じて個別に変調され、これによって得られる各読
み出し画像を偏光ビームスプリッタ２３、レンズ系２４
などの投射手段としての光学系３１によりスクリーン２
５へ合成拡大投射される。
【００４１】上記構成のプロジェクションシステムによ
り投射された画像は高解像度で高コントラストで良好で
あった。したがって、上記のような構成の液晶ライトバ
ルブを使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラ
ストな投射表示を容易に実現することができるプロジェ
クションシステムを提供することができる。
り投射された画像は高解像度で高コントラストで良好で
あった。したがって、上記のような構成の液晶ライトバ
ルブを使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラ
ストな投射表示を容易に実現することができるプロジェ
クションシステムを提供することができる。
【００４２】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図４および図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
図４および図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
【００４３】本実施例の液晶ライトバルブは、図４に示
すように、基本的な構成は上記の実施例１に示した液晶
ライトバルブと同じであり、読み出し光５０の強度変化
を電圧変化によって変調する液晶層４７、読み出し光５
０を反射させる誘電体多層膜で構成された誘電体ミラー
４４、誘電体ミラー４４からの透過光を遮断する非晶質
水素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層４３、書き込
み光４９の強度によりインピーダンスを変化させ、液晶
層４７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素から
なる光導電体層４２から成り、これらの各層を透明電極
４１ａおよび対向電極４１ｂの形成されたファイバープ
レートからなる透光性基板４０ａおよびガラスからなる
透光性基板４０ｂで挟んだサンドイッチ構造をしてい
る。
すように、基本的な構成は上記の実施例１に示した液晶
ライトバルブと同じであり、読み出し光５０の強度変化
を電圧変化によって変調する液晶層４７、読み出し光５
０を反射させる誘電体多層膜で構成された誘電体ミラー
４４、誘電体ミラー４４からの透過光を遮断する非晶質
水素化ケイ素ゲルマニウムからなる遮光層４３、書き込
み光４９の強度によりインピーダンスを変化させ、液晶
層４７にかかる電圧を制御する非晶質水素化ケイ素から
なる光導電体層４２から成り、これらの各層を透明電極
４１ａおよび対向電極４１ｂの形成されたファイバープ
レートからなる透光性基板４０ａおよびガラスからなる
透光性基板４０ｂで挟んだサンドイッチ構造をしてい
る。
【００４４】尚、上記透光性基板４０ｂの読み出し光５
０側表面には、読み出し光５０の反射を防止する反射防
止膜４８が形成されている。
０側表面には、読み出し光５０の反射を防止する反射防
止膜４８が形成されている。
【００４５】上記誘電体ミラー４４上には、液晶分子を
配向させる配向膜４５ａが形成される一方、上記対向電
極４１ｂ上には、液晶分子を配向させる配向膜４５ｂが
形成され、この配向膜４５ａ・４５ｂ間にスペーサ４６
・４６を介して液晶を封入することで上記の液晶層４７
が形成されている。また、上記透明導電膜４１ａ・４１
ｂには、交流電圧を発生する駆動電源（図示せず）が接
続されている。
配向させる配向膜４５ａが形成される一方、上記対向電
極４１ｂ上には、液晶分子を配向させる配向膜４５ｂが
形成され、この配向膜４５ａ・４５ｂ間にスペーサ４６
・４６を介して液晶を封入することで上記の液晶層４７
が形成されている。また、上記透明導電膜４１ａ・４１
ｂには、交流電圧を発生する駆動電源（図示せず）が接
続されている。
【００４６】次に、この液晶ライトバルブの製造方法に
ついて説明する。先ず、ファイバープレートからなる透
光性基板４０ａ上に、全面に錫をドープした酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）からなる透明導電膜をスパッタ法により形成
し、透明電極４１ａとする。
ついて説明する。先ず、ファイバープレートからなる透
光性基板４０ａ上に、全面に錫をドープした酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）からなる透明導電膜をスパッタ法により形成
し、透明電極４１ａとする。
【００４７】次に、透明電極４１ａ上に、光導電体層４
２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法を
用い、膜厚がおよそ５μｍとなるように形成する。
２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法を
用い、膜厚がおよそ５μｍとなるように形成する。
【００４８】次いで、光導電体層４２上に、液晶層４７
側から光導電体層４２へ入射する光を遮断するための遮
光層４３として、非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ
０．８μｍの厚さとなるように形成する。
側から光導電体層４２へ入射する光を遮断するための遮
光層４３として、非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ
−ＳｉＧｅ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ
０．８μｍの厚さとなるように形成する。
【００４９】上記の非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガス、１００ｐｐｍの濃度のジボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）ガスを含む水素（Ｈ2 ）ガスとクリプト
ン（Ｋｒ）ガスを原料として生成される。このときの生
成条件は、ガス比率をＳｉＨ4 ：ＧｅＨ4 ：Ｈ2 ：Ｋｒ
＝３：１：５：５、圧力を０．７Ｔｏｒｒ、基板温度を
２８０℃、Ｒｆパワーを２００Ｗとする。このように生
成された遮光層４３の光学ギャップＥｏｐｔは１．６ｅ
Ｖ、活性化エネルギーＥａは０．３ｅＶとなる。
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲ
ルマン（ＧｅＨ4 ）ガス、１００ｐｐｍの濃度のジボラ
ン（Ｂ2 Ｈ6 ）ガスを含む水素（Ｈ2 ）ガスとクリプト
ン（Ｋｒ）ガスを原料として生成される。このときの生
成条件は、ガス比率をＳｉＨ4 ：ＧｅＨ4 ：Ｈ2 ：Ｋｒ
＝３：１：５：５、圧力を０．７Ｔｏｒｒ、基板温度を
２８０℃、Ｒｆパワーを２００Ｗとする。このように生
成された遮光層４３の光学ギャップＥｏｐｔは１．６ｅ
Ｖ、活性化エネルギーＥａは０．３ｅＶとなる。
【００５０】その後、遮光層４３上に、液晶層４７側か
ら光導電体層４２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー４４として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着法
によって形成する。
ら光導電体層４２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー４４として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着法
によって形成する。
【００５１】次に、透光性基板４０ａに対向する透光性
基板４０ｂ上に、液晶層４７側にＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって、対向
電極１１ｂを形成すると共に、読み出し光５０の入射側
にガラスの表面反射を防止するための反射防止膜４８を
形成する。
基板４０ｂ上に、液晶層４７側にＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって、対向
電極１１ｂを形成すると共に、読み出し光５０の入射側
にガラスの表面反射を防止するための反射防止膜４８を
形成する。
【００５２】次いで、対向電極４１ｂ及び誘電体ミラー
４４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜４５ａ・４５ｂを形成する。
４４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜４５ａ・４５ｂを形成する。
【００５３】その後、上記配向膜４５ａ・４５ｂにラビ
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ４６・４６を形成し、このスペーサ
４６・４６を介して透光性基板１０ａと透光性基板１０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ４６・４６を形成し、このスペーサ
４６・４６を介して透光性基板１０ａと透光性基板１０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
【００５４】ここで、上記構成の液晶ライトバルブの解
像度と温度との関係を図５に示す。図５から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、実施例１の場合と同
様に、温度上昇による解像度の低下が目立たなくなり、
高輝度、高解像度の液晶ライトバルブとなっていること
が分かる。また、上記の遮光層４３の遮光性能は、温度
上昇による低下もなく、良好に維持されている。
像度と温度との関係を図５に示す。図５から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、実施例１の場合と同
様に、温度上昇による解像度の低下が目立たなくなり、
高輝度、高解像度の液晶ライトバルブとなっていること
が分かる。また、上記の遮光層４３の遮光性能は、温度
上昇による低下もなく、良好に維持されている。
【００５５】また、上記遮光層４３は、活性化エルギー
が０．３ｅＶと小さいので、温度上昇に伴う導電率の上
昇率が小さくなる。このため、温度変化による解像度の
低下率を小さくすることができる。
が０．３ｅＶと小さいので、温度上昇に伴う導電率の上
昇率が小さくなる。このため、温度変化による解像度の
低下率を小さくすることができる。
【００５６】したがって、上記構成の液晶ライトバルブ
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
【００５７】〔実施例３〕本発明のさらに他の実施例に
ついて図６および図７に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
ついて図６および図７に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
【００５８】本実施例の液晶ライトバルブは、基本的な
構成は上記の実施例２に示した液晶ライトバルブと同じ
であり、図６に示すように、ファイバープレートからな
る透光性基板６０ａおよびガラスからなる透光性基板６
０ｂ、透明電極６１ａおよび対向電極６１ｂ、光導電体
層６２、遮光層６３、誘電体ミラー６４、配向膜６５ａ
・６５ｂ、スペーサ６６、液晶層６７、反射防止膜６８
で構成されている。
構成は上記の実施例２に示した液晶ライトバルブと同じ
であり、図６に示すように、ファイバープレートからな
る透光性基板６０ａおよびガラスからなる透光性基板６
０ｂ、透明電極６１ａおよび対向電極６１ｂ、光導電体
層６２、遮光層６３、誘電体ミラー６４、配向膜６５ａ
・６５ｂ、スペーサ６６、液晶層６７、反射防止膜６８
で構成されている。
【００５９】次に、この液晶ライトバルブの製造方法に
ついて説明する。先ず、ファイバープレートからなる透
光性基板６０ａ上に、全面に錫をドープした酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）と酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明導電
膜をスパッタ法により形成し、透明電極６１ａとする。
ついて説明する。先ず、ファイバープレートからなる透
光性基板６０ａ上に、全面に錫をドープした酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）と酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明導電
膜をスパッタ法により形成し、透明電極６１ａとする。
【００６０】次に、透明電極６１ａ上に、書き込み光６
９の強度によりインピーダンスを変化させる光導電体層
６２として非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ−Ｓｉ
Ｇｅ：Ｈ）膜を、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲルマン
（ＧｅＨ4 ）ガス、水素（Ｈ2）ガスを原料としてプラ
ズマＣＶＤ法を用い、膜厚がおよそ８μｍとなるように
形成する。このときの形成条件は、ガス比率をＳｉ
Ｈ4 ：ＧｅＨ4 ：Ｈ2 ＝５：１：１０、圧力を０．７５
Ｔｏｒｒ、基板温度を２７０℃、Ｒｆパワーを５０Ｗと
する。
９の強度によりインピーダンスを変化させる光導電体層
６２として非晶質水素化ケイ素ゲルマニウム（ａ−Ｓｉ
Ｇｅ：Ｈ）膜を、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、ゲルマン
（ＧｅＨ4 ）ガス、水素（Ｈ2）ガスを原料としてプラ
ズマＣＶＤ法を用い、膜厚がおよそ８μｍとなるように
形成する。このときの形成条件は、ガス比率をＳｉ
Ｈ4 ：ＧｅＨ4 ：Ｈ2 ＝５：１：１０、圧力を０．７５
Ｔｏｒｒ、基板温度を２７０℃、Ｒｆパワーを５０Ｗと
する。
【００６１】次いで、光導電体層６２上に、液晶層６７
側から光導電体層６２へ入射する光を遮断するための遮
光層６３として、非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）をスパッタ法により、およそ０．７μｍの厚さ
で形成する。
側から光導電体層６２へ入射する光を遮断するための遮
光層６３として、非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）をスパッタ法により、およそ０．７μｍの厚さ
で形成する。
【００６２】上記の非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）は、ＳｉＳｎ（重量比Ｓｉ：Ｓｎ＝１：１）タ
ーゲットを使用し、水素（Ｈ2 ）ガスとキセノン（Ｘ
ｅ）ガス雰囲気中で生成した。このときの生成条件は、
ガス比率をＨ2 ：Ｘｅ＝１：１、圧力を３ｍＴｏｒｒ、
基板温度を２５０℃、Ｒｆパワーを１０００Ｗとする。
このように生成された遮光層６３の光学ギャップＥｏｐ
ｔは０．９ｅＶ、活性化エネルギーＥａは０．５ｅＶと
なる。
ｎ：Ｈ）は、ＳｉＳｎ（重量比Ｓｉ：Ｓｎ＝１：１）タ
ーゲットを使用し、水素（Ｈ2 ）ガスとキセノン（Ｘ
ｅ）ガス雰囲気中で生成した。このときの生成条件は、
ガス比率をＨ2 ：Ｘｅ＝１：１、圧力を３ｍＴｏｒｒ、
基板温度を２５０℃、Ｒｆパワーを１０００Ｗとする。
このように生成された遮光層６３の光学ギャップＥｏｐ
ｔは０．９ｅＶ、活性化エネルギーＥａは０．５ｅＶと
なる。
【００６３】その後、遮光層６３上に、液晶層６７側か
ら光導電体層６２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー６４として、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着
法によって形成する。
ら光導電体層６２へ入射する光を反射させるための誘電
体ミラー６４として、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）と酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）とからなる多層膜を電子ビーム蒸着
法によって形成する。
【００６４】次に、透光性基板６０ａに対向する透光性
基板６０ｂ上の液晶層６７側に、ＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって対向電
極１１ｂを形成すると共に、読み出し光７０の入射側に
ガラスの表面反射を防止するための反射防止膜６８を形
成する。
基板６０ｂ上の液晶層６７側に、ＩＴＯからなる透明導
電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって対向電
極１１ｂを形成すると共に、読み出し光７０の入射側に
ガラスの表面反射を防止するための反射防止膜６８を形
成する。
【００６５】次いで、対向電極６１ｂ及び誘電体ミラー
６４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜６５ａ・６５ｂを形成する。
６４上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８
０℃で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配
向膜６５ａ・６５ｂを形成する。
【００６６】その後、上記配向膜６５ａ・６５ｂにラビ
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ６６・６６を形成し、このスペーサ
６６・６６を介して透光性基板６０ａと透光性基板６０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ６６・６６を形成し、このスペーサ
６６・６６を介して透光性基板６０ａと透光性基板６０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
【００６７】ここで、上記構成の液晶ライトバルブの解
像度と温度との関係を図７に示す。図７から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、上記実施例１および
実施例２の場合と同様に、温度上昇による解像度の低下
が目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバル
ブとなっていることが分かる。また、上記の遮光層６３
の遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持
されている。
像度と温度との関係を図７に示す。図７から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、上記実施例１および
実施例２の場合と同様に、温度上昇による解像度の低下
が目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバル
ブとなっていることが分かる。また、上記の遮光層６３
の遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持
されている。
【００６８】したがって、上記構成の液晶ライトバルブ
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
【００６９】〔実施例４〕本発明のさらに他の実施例に
ついて図８および図９に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
ついて図８および図９に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
【００７０】本実施例の液晶ライトバルブは、基本的な
構成は上記の実施例１に示した液晶ライトバルブと同じ
であり、図８に示すように、ガラスからなる透光性基板
８０ａ・８０ｂ、透明電極８１ａおよび対向電極８１
ｂ、光導電体層８２、遮光層８３、配向膜８５ａ・８５
ｂ、スペーサ８６、液晶層８７、反射防止膜８８で構成
されている。
構成は上記の実施例１に示した液晶ライトバルブと同じ
であり、図８に示すように、ガラスからなる透光性基板
８０ａ・８０ｂ、透明電極８１ａおよび対向電極８１
ｂ、光導電体層８２、遮光層８３、配向膜８５ａ・８５
ｂ、スペーサ８６、液晶層８７、反射防止膜８８で構成
されている。
【００７１】次に、この液晶ライトバルブの製造方法に
ついて説明する。先ず、透光性基板８０ａ上に、全面に
錫をドープした酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明導電膜
をスパッタ法により形成し、透明電極８１ａとする。
ついて説明する。先ず、透光性基板８０ａ上に、全面に
錫をドープした酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなる透明導電膜
をスパッタ法により形成し、透明電極８１ａとする。
【００７２】次に、透明電極８１ａ上に、書き込み光８
９の強度によりインピーダンスを変化させる光導電体層
８２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、
シラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
を用い、膜厚がおよそ８μｍとなるように形成する。
９の強度によりインピーダンスを変化させる光導電体層
８２として非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を、
シラン（ＳｉＨ4 ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法
を用い、膜厚がおよそ８μｍとなるように形成する。
【００７３】次いで、光導電体層８２上に、液晶層８７
側から光導電体層８２へ入射する光を遮断するための遮
光層８３として、非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ０．７μｍ
の厚さとなるように形成する。尚、上記遮光層８３は、
読み出し光９０を反射する反射層も兼ねている。
側から光導電体層８２へ入射する光を遮断するための遮
光層８３として、非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）をプラズマＣＶＤ法により、およそ０．７μｍ
の厚さとなるように形成する。尚、上記遮光層８３は、
読み出し光９０を反射する反射層も兼ねている。
【００７４】上記の非晶質水素化ケイ素錫（ａ−ＳｉＳ
ｎ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、Ｓｎ（ＣＨ3 ）
4 ガスおよび２００ｐｐｍの濃度のジボラン（Ｂ
2 Ｏ6 ）ガスを含むアルゴン（Ａｒ）ガスを原料として
生成される。このときの生成条件は、ガス比率をＳｉＨ
4 ：Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ：Ａｒ＝３：１：５、圧力を０．
６５Ｔｏｒｒ、基板温度を２８０℃、Ｒｆパワーを２５
０Ｗとする。このように生成された遮光層８３の光学ギ
ャップＥｏｐｔは１．１ｅＶ、活性化エネルギーＥａは
０．２ｅＶとなる。
ｎ：Ｈ）は、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、Ｓｎ（ＣＨ3 ）
4 ガスおよび２００ｐｐｍの濃度のジボラン（Ｂ
2 Ｏ6 ）ガスを含むアルゴン（Ａｒ）ガスを原料として
生成される。このときの生成条件は、ガス比率をＳｉＨ
4 ：Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ：Ａｒ＝３：１：５、圧力を０．
６５Ｔｏｒｒ、基板温度を２８０℃、Ｒｆパワーを２５
０Ｗとする。このように生成された遮光層８３の光学ギ
ャップＥｏｐｔは１．１ｅＶ、活性化エネルギーＥａは
０．２ｅＶとなる。
【００７５】次に、透光性基板８０ａに対向する透光性
基板８０ｂ上の液晶層８７側に、ＳｎＯ2 からなる透明
導電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって、対
向電極８１ｂを形成すると共に、読み出し光９０の入射
側にガラスの表面反射を防止するための反射防止膜８８
を形成する。
基板８０ｂ上の液晶層８７側に、ＳｎＯ2 からなる透明
導電膜をスパッタ法を用いて蒸着することによって、対
向電極８１ｂを形成すると共に、読み出し光９０の入射
側にガラスの表面反射を防止するための反射防止膜８８
を形成する。
【００７６】次いで、遮光層８３および対向電極８１ｂ
上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８０℃
で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配向膜
８５ａ・８５ｂを形成する。
上に、配向膜をスピンコートにより薄膜化して１８０℃
で焼成することにより、膜厚がおよそ５００Åの配向膜
８５ａ・８５ｂを形成する。
【００７７】その後、上記配向膜８５ａ・８５ｂにラビ
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ８６・８６を形成し、このスペーサ
８６・８６を介して透光性基板８０ａと透光性基板８０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
ングによる配向処理を施す。ラビング方向は、４５°ね
じれになるようにした。そして、一方の基板にシール剤
を印刷してスペーサ８６・８６を形成し、このスペーサ
８６・８６を介して透光性基板８０ａと透光性基板８０
ｂとを貼り合わせる事により、本実施例の液晶ライトバ
ルブを構成する。
【００７８】ここで、上記構成の液晶ライトバルブの解
像度と温度との関係を図９に示す。図９から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、上記実施例１、２お
よび３の場合と同様に、温度上昇による解像度の低下が
目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブ
となっていることが分かる。また、上記の遮光層８３の
遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持さ
れている。
像度と温度との関係を図９に示す。図９から、本実施例
での液晶ライトバルブにおいても、上記実施例１、２お
よび３の場合と同様に、温度上昇による解像度の低下が
目立たなくなり、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブ
となっていることが分かる。また、上記の遮光層８３の
遮光性能は、温度上昇による低下もなく、良好に維持さ
れている。
【００７９】また、上記遮光層８３は、活性化エルギー
が０．２ｅＶと小さいので、温度上昇に伴う導電率の上
昇率が小さくなる。このため、温度変化による解像度の
低下率を小さくすることができる。
が０．２ｅＶと小さいので、温度上昇に伴う導電率の上
昇率が小さくなる。このため、温度変化による解像度の
低下率を小さくすることができる。
【００８０】したがって、上記構成の液晶ライトバルブ
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
を、例えば図３に示すようなプロジェクションシステム
等に使用すれば、高輝度、高解像度、且つ高コントラス
トな投射表示を容易に実現することができるプロジェク
ションシステムを提供することができる。
【００８１】以上の各実施例および本願発明者による各
種実験から、本発明の液晶ライトバルブは、遮光層とし
て、シリコンを主成分とする４Ｂ族の合金を用い、活性
化エネルギーＥａと光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ
＜Ｅｏｐｔ／２、もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとな
るように形成することで、遮光層を温度特性が小さく高
抵抗なものとすることができることが分かった。
種実験から、本発明の液晶ライトバルブは、遮光層とし
て、シリコンを主成分とする４Ｂ族の合金を用い、活性
化エネルギーＥａと光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ
＜Ｅｏｐｔ／２、もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとな
るように形成することで、遮光層を温度特性が小さく高
抵抗なものとすることができることが分かった。
【００８２】これによって、温度変化に対する導電率の
変化が小さい遮光層を提供することができ、これに伴っ
て、遮光層の抵抗率に対する温度特性を緩和することが
できるので、遮光性能を低下させることなく、高輝度、
高解像度の液晶ライトバルブを提供する事ができる。
変化が小さい遮光層を提供することができ、これに伴っ
て、遮光層の抵抗率に対する温度特性を緩和することが
できるので、遮光性能を低下させることなく、高輝度、
高解像度の液晶ライトバルブを提供する事ができる。
【００８３】なお、本発明はプロジェクションシステム
のほか本発明の効果を損じない範囲内で様々な応用が可
能である。
のほか本発明の効果を損じない範囲内で様々な応用が可
能である。
【００８４】
【発明の効果】請求項１の発明の液晶ライトバルブは、
電極を有する一対の透明基板の一方の電極上に光導電体
層、遮光層が形成され、両基板間に液晶を狭持してなる
液晶ライトバルブにおいて、上記遮光層は、シリコンを
主成分とする４Ｂ族の合金からなり、遮光層の活性化エ
ネルギーＥａと光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅ
ｏｐｔ／２、もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるよ
うに形成されている構成である。
電極を有する一対の透明基板の一方の電極上に光導電体
層、遮光層が形成され、両基板間に液晶を狭持してなる
液晶ライトバルブにおいて、上記遮光層は、シリコンを
主成分とする４Ｂ族の合金からなり、遮光層の活性化エ
ネルギーＥａと光学ギャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅ
ｏｐｔ／２、もしくは０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるよ
うに形成されている構成である。
【００８５】これにより、遮光層として、シリコンを主
成分とする４Ｂ族の合金、例えば請求項２記載の非晶質
水素化ケイ素ゲルマニウム、あるいは請求項３記載の非
晶質水素化ケイ素錫を、活性化エネルギーＥａと光学ギ
ャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、もしくは
０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるようにして形成すること
によって、温度特性の小さい高抵抗な遮光層を得ること
ができるので、温度変化に対する導電率の変化が小さい
遮光層を提供することができる。
成分とする４Ｂ族の合金、例えば請求項２記載の非晶質
水素化ケイ素ゲルマニウム、あるいは請求項３記載の非
晶質水素化ケイ素錫を、活性化エネルギーＥａと光学ギ
ャップＥｏｐｔとが０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、もしくは
０＜Ｅａ≦０．５０ｅＶとなるようにして形成すること
によって、温度特性の小さい高抵抗な遮光層を得ること
ができるので、温度変化に対する導電率の変化が小さい
遮光層を提供することができる。
【００８６】したがって、遮光層の抵抗率に対する温度
特性を緩和することができるので、遮光性能を低下させ
ることなく、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブを提
供する事ができるという効果を奏する。
特性を緩和することができるので、遮光性能を低下させ
ることなく、高輝度、高解像度の液晶ライトバルブを提
供する事ができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例の液晶ライトバルブの概略構
成断面図である。
成断面図である。
【図２】図１に示す液晶ライトバルブの温度変化と解像
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
【図３】図１に示す液晶ライトバルブを使用したプロジ
ェクションシステムの概略構成図である。
ェクションシステムの概略構成図である。
【図４】本発明の他の実施例の液晶ライトバルブの概略
構成断面図である。
構成断面図である。
【図５】図４に示す液晶ライトバルブの温度変化と解像
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
【図６】本発明のさらに他の実施例の液晶ライトバルブ
の概略構成断面図である。
の概略構成断面図である。
【図７】図６に示す液晶ライトバルブの温度変化と解像
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
【図８】本発明のさらに他の実施例の液晶ライトバルブ
の概略構成断面図である。
の概略構成断面図である。
【図９】図８に示す液晶ライトバルブの温度変化と解像
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
【図１０】従来の液晶ライトバルブの概略構成図であ
る。
る。
【図１１】図１０に示す液晶ライトバルブを使用したプ
ロジェクションシステムの概略構成図である。
ロジェクションシステムの概略構成図である。
【図１２】図１０に示す液晶ライトバルブの温度変化と
解像度との関係を示すグラフである。
解像度との関係を示すグラフである。
【図１３】一般的な遮光層の導電率変化と液晶ライトバ
ルブの解像度との関係を示すグラフである。
ルブの解像度との関係を示すグラフである。
【図１４】図１０に示す液晶ライトバルブの導電率と温
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
１０ａ 透光性基板（透明基板） １０ｂ 透光性基板（透明基板） １１ａ 透明電極（電極） １１ｂ 対向電極（電極） １２ 光導電体層 １３ 遮光層 １７ 液晶層 ４０ａ 透光性基板（透明基板） ４０ｂ 透光性基板（透明基板） ４１ａ 透明電極（電極） ４１ｂ 対向電極（電極） ４２ 光導電体層 ４３ 遮光層 ４７ 液晶層 ６０ａ 透光性基板（透明基板） ６０ｂ 透光性基板（透明基板） ６１ａ 透明電極（電極） ６１ｂ 対向電極（電極） ６２ 光導電体層 ６３ 遮光層 ６７ 液晶層 ８０ａ 透光性基板（透明基板） ８０ｂ 透光性基板（透明基板） ８１ａ 透明電極（電極） ８１ｂ 対向電極（電極） ８２ 光導電体層 ８３ 遮光層 ８７ 液晶層
Claims (3)
- 【請求項１】電極を有する一対の透明基板の一方の電極
上に光導電体層、遮光層が形成され、両基板間に液晶を
狭持してなる液晶ライトバルブにおいて、 上記遮光層は、シリコンを主成分とする４Ｂ族の合金か
らなり、遮光層の活性化エネルギーＥａと光学ギャップ
Ｅｏｐｔとが、 ０＜Ｅａ＜Ｅｏｐｔ／２、もしくは０＜Ｅａ≦０．５０
ｅＶ、となるように形成されていることを特徴とする液
晶ライトバルブ。 - 【請求項２】上記遮光層が非晶質水素化ケイ素ゲルマニ
ウムからなることを特徴とする請求項１記載の液晶ライ
トバルブ。 - 【請求項３】上記遮光層が非晶質水素化ケイ素錫からな
ることを特徴とする請求項１記載の液晶ライトバルブ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200595A JP3062012B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 液晶ライトバルブ |
| US08/507,703 US5640260A (en) | 1994-08-25 | 1995-07-26 | Liquid crystal light valve having a Eopt of less than 0.5 eV |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6200595A JP3062012B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 液晶ライトバルブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862623A JPH0862623A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3062012B2 true JP3062012B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16426973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6200595A Expired - Fee Related JP3062012B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5640260A (ja) |
| JP (1) | JP3062012B2 (ja) |
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| DE19914112A1 (de) * | 1999-03-23 | 2000-09-28 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren zum Aufbringen einer lichtblockierenden Schicht zwischen photoleitender Schicht und Spiegel bei der Herstellung eines optisch adressierbaren, ortsauflösenden Lichtmodulators OASLM |
| JP2002006325A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Nec Corp | 液晶表示パネルの製造方法 |
| DE60205022T2 (de) * | 2001-03-13 | 2006-04-20 | Qinetiq Ltd. | Optisch adressierbarer, ortsauflösender lichtmodulator (oaslm) mit dielektrischem spiegel, der schichten aus amorphem, hydriertem kohlenstoff enthält |
| GB2373340A (en) | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Secr Defence | Optically addressed spatial light modulator |
| JP2003295169A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示装置 |
| CN1332243C (zh) * | 2003-08-18 | 2007-08-15 | 浙江大学 | 柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法 |
| US7906061B2 (en) | 2005-05-03 | 2011-03-15 | 3D Systems, Inc. | Bubble-free cross-sections for use in solid imaging |
| JP5355970B2 (ja) | 2008-09-16 | 2013-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| KR101691560B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2017-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이의 제조방법 |
| KR101669964B1 (ko) * | 2010-02-02 | 2016-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치스크린 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR101731047B1 (ko) * | 2010-12-01 | 2017-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 적외선 감지 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
| US20130341623A1 (en) * | 2012-06-20 | 2013-12-26 | International Business Machines Corporation | Photoreceptor with improved blocking layer |
| US10466551B2 (en) * | 2016-07-13 | 2019-11-05 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Wavelength-tunable type etalon comprising LCD-layer and preparation method thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4609771A (en) * | 1984-11-02 | 1986-09-02 | Sovonics Solar Systems | Tandem junction solar cell devices incorporating improved microcrystalline p-doped semiconductor alloy material |
| US4891330A (en) * | 1987-07-27 | 1990-01-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of fabricating n-type and p-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements |
| US4775425A (en) * | 1987-07-27 | 1988-10-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | P and n-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements, devices utilizing same |
| US4799773A (en) * | 1987-08-27 | 1989-01-24 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal light valve and associated bonding structure |
| US5084777A (en) * | 1989-11-14 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H |
| DE69221443T2 (de) * | 1991-12-09 | 1998-02-05 | Sharp Kk | Flüssigkristallichtventil und Informationsprozessor unter Verwendung desselben |
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1994
- 1994-08-25 JP JP6200595A patent/JP3062012B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-26 US US08/507,703 patent/US5640260A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5640260A (en) | 1997-06-17 |
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