KR890013841A - 2차원 레이저 장치 - Google Patents

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KR890013841A
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KR1019890002158A
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옵슈르 얀
요하네스 반 데르 푈 카롤루수
프레드릭 요제프 반트 블릭 헨리
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract

내용 없음.

Description

2차원 레이저 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예로서, 2차원 배열 반도체 다이오드 레이저의 개략적 단면도.
제2도는 제1성장 처리후 제1도 도시의 2차원 배열구성의 개략적 단면도.
제3도는 제2성장 처리후 제1도 도시의 2차원 배열 구성의 개략적 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체층의 구조가 다수개의 평행 스트립형 활성영역을 갖고, 각 활성영역은, 이 활성영역보다 공극이 더 크고 발생된 방사선에 대해서도 굴절율이 더 작은 두개의 봉입층 사이에 위치하며, 또한 상기 활성영역은 공진기내에 놓이게 되고, 최소 두개의 활성영역을 포함하는 여러 그룹중의 적어도 한 그룹에서, 두개 동일 거리의 평면내에 위치하는 최소 두개의 그룹으로 구성되어 있는 반도체 다이오드 레이저 장치에 있어서, 상기 한 그룹의 활성영역은 봉입층중의 적어도 한 개에 의해 다른 그룹의 활성영역과 완전히 분리된 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  2. 제1항에 있어서, 활성영역간의 거리가 짧아, 방출 방사선 빔이 동위상으로 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1봉입층은 설치된 스트립형 채널사이에 메사형 스트립을 제공하고, 상기 한 그룹의 활성영역 각각은 메사형 스트립형 스트립위에 놓이는 반면, 다른 그룹의 각 스트립형 활성영역은 채널 하부상에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  4. 제3항에 있어서, 스트립형 채널은 스트립보다 폭이 넓으며, 상기 스트립형 채널 하부의 중심부에는, 상기 채널보다 폭이 좁은 스트립형 채널이 추가적으로 설치되고, 상기 스트립형 채널 하부상에는 추가적 그룹에 대한 활성영역이 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  5. 제3항에 있어서, 메사형 스트립은 스트립형 채널보다 폭이 넓고, 상기 메사형 스트립의 상부면 중심부에는, 상기 스트립형 채널보다도 깊이가 얕은 추가적인 스트립형 채널이 설치되고, 메사형 스트립의 하부에는 추가적 그룹에 대한 활성영역이 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  6. 제3항, 제4항 또는 제5항에 있어서, 반도체 기판은 갈륨 아세나이트(GaAs)로 구성되는 반면, 제1봉입층은 알루미늄 아세나이트 및 갈늄 아세나이트(ALxGa1-xAs)의 혼합 결정으로 구성되며, 메사형 스트립의 엣지부를 구성하는 표면은 (111)아세나이트 결정면인 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1봉입층은 반도체 기판상에 설치되고, 상기 제1봉입층상에는, 한 그룹의 스트립형 활성영역이 일부분을 형성하고, 제2봉입층으로 피복되는 제1활성층이 설치되며, 상기 제1활성층상에는, 다른 그룹의 스트립형 활성영역이 일부분을 형성하고, 제3봉입층에 의해 피복되는 제2활성층이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002158A 1988-02-29 1989-02-24 2차원 레이저 장치 KR890013841A (ko)

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NL8800509A NL8800509A (nl) 1988-02-29 1988-02-29 Tweedimensionaal laser array.

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JP (1) JPH01255285A (ko)
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US4954971A (en) 1990-09-04
DE68920457D1 (de) 1995-02-23
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