KR890012893A - 반도체의 결정인상방법 - Google Patents

반도체의 결정인상방법 Download PDF

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마사카츠 고지마
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체의 결정인상방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법에 사용되는 일체적으로 된 2중 도가니의 개념도.
제2도 내지 제3도는 본 발명에 따른 제1실시예의 작용 및 효과를 설명하기 위한 그래프.

Claims (4)

  1. 반도체결정인상용의 도가니내에 이 도가니와 동일한 중심의 원통형 격리벽을 설치해서 그 도가니내를 내실과 외실로 구분하고, 그 내실에 도우프된 제1원료융액을 수용함과 더불어 외실에 제2원료융액을 수용하는 한편, 상기 내실과 외실의 사이를 연통함과 더불어 내실로 부터 외실로의 불순물유출을 억제하는 연통수단을 통해서 외실안의 제2원료융액을 내실안으로 공급하면서 내실안의 제1원료융액으로 부터 반도체결정을 인상하도록 된 결정인상방법에 있어서, 상기 외실안의 제2원료융액을 비도우프된 융액으로함과 더불어, 도우프불순물의 편석계수를 K, 내실의 안지름을 2r, 외실의 안지름을 2R로 할때, (r/R)＞K로 되도록 하여 도우프불순물의 농도를 결정의 길이방향으로 증가시키거나, 또는 (r/R)＞K로 해서 도우프불순물의 농도를 결정의 길이방향으로 감소시켜 도가니를 이루는 재료로 부터 혼입되는 전도불순물의 영향을 보상함으로써 인상결정에서의 길이방향의 비저항을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체의 결정인상방법.
  2. 제1항에 있어서, r/R비를 0.85＞(r/R)＞0.59로 해서 석영으로 만들어진 도가니로 부터 인상되는 비저항이 20Ω㎝ 이상인 고저항의 P도우프 N형 실리콘단결정의 길이방향의 비저항을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체의 결정인상방법.
  3. 반도체결정인상용의 도가니내에 이 도가니와 동일한 중심의 원통형 격리벽을 설치해서 그 도가니내를 내실과 외실로 구분하고, 그 내실에 도우프된 제1원료융액을 수용함과 더불어 외실에 제2원료융액을 수용하는 한편, 상기 내실과 외실의 사이를 연통함과 더불어 내실로 부터 외실로의 불순물유출을 억제하는 연통수단을 통해서 외실안의 제2원료융액을 내실안으로 공급하면서 내실안의 제1원료융액으로 부터 반도체결정을 인상하는 결정인상방법에 있어서, 상기 외실안의 제2원료융액에 상기 도우프불순물과 반대도전형의 불순물을 함유시켜, 결정인상중에 농축되는 제1원료융액중의 도우프불순물의 농도가 낮아지도록 보상함으로써 인상결정에서의 길이방향의 비저항을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체의 결정인상방법.
  4. 반도체결정인상용의 도가니내에 이 도가니와 동일한 중심의 원통형 격리벽을 설치해서 그 도가니내를 내실과 외실로 구분하고, 그 내실에 도우프된 제1원료용액을 수용함과 더불어 외실에 제2원료융액을 수용하는 한편, 상기 내실과 외실의 사이를 연통함과 더불어 내실로 부터 외실로의 불순물유출을 억제하는 연통수단을 통해서 외실안의 제2원료융액을 내실안으로 공급하면서 내실안의 제1원료융액으로 부터 반도체결정을 인상하도록 된 결정인상방법에 있어서, 상기 외실안의 제2원료융액에 상기 도우프불순물과 동일 전도형인 불순물을 함유시켜, 인상중에 농축되는 제1원료융액중의 도우프불순물의 농도를 조정함으로써 인상결정에서의 길이방향의 비저항을 제어하는 반도체의 결정인상방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002233A 1988-02-25 1989-02-25 반도체의 결정인상방법 KR920009564B1 (ko)

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