KR890011123A - 불휘발성 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 불휘발성 기억장치의 구성을, 그 메모리셀의 단면에 의하여 도시한 도면.
제2도는 제1도에 도시한 메모리셀의 1비트데이터의 기억동작을 설명하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 검출부 2 : 기억부
10 : FET 21,22 : 초전도링
23 : 절연층
Claims (6)
- 적어도 하나는 선택적으로 전류를 인가할 수 있는 복수의 초전도링으로 이루어진 기억부와, 상기 초전도링에 전류를 인가했을때에 발생하는 자장내에 위치하여서 배설된 MOSFET를 구한 검출부를 구비한 메모리셀에 의하여 구성되고, 상기 MOSFET의 자장내에서의 게이트전압의존특성의 변화에 의하여, 디지탈치의 써넣기, 지워없애기 또는 보존이 가능한것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 초전도링이, 일반식(단, α는 주기율표 IIa, IIIa족 원소로부터 선택된 1종이고, β는 주기율표 IIa, IIIa족 원소로서 α와 동일한 것을 함유한 원소로부터 선택된 원소이고, γ는 주기율표 Ib, IIb, IIIa, VIIIa족 원소로부터 선택된 적어도 1종의 원소이고, δ는 O,B(붕소), C(탄소), N, F 및 S중에서 선택된 적어도 1종이고, x는, α+β에 대한 의 원자비인데, 0.1≤x≤0.9이고, y 및 z는 (α1-xβx)를 1로 했을 경우에 0.4≤y≤3.0, 0.1≤y≤5가 되는 원자비이다)로 표시하한 조성을 가진 복합산화물초전도재료에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 원소 α가 Ba이고, 상기 원소 β가 Y이고, 상기 원소 γ가 Cu이며, 상기 δ가 O인것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 원소 α가 Ba이고, 상기 원소 β가 La이고, 상기 원소 γ가 Cu이며, 상기 δ가 O인것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 원소 α가 Sr이고, 상기 원소 β가 La이고, 상기 원소 γ가 Cu이며, 상기 δ가 O인것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 원소 α가 Ba이고, 상기 원소 β가 H0이고, 상기 원소 γ가 Cu이며, 상기 δ가 O인것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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