KR890011071A - 저응력화 변성제 제조방법 및 이를 함유한 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (6)
- 합성고무 화합물 1종 또는 2종이상의 혼합물과 분자내 분자 양말단에 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기를 갖는 실리콘오일계 화합물 1종 또는 2종이상의 화합물을 1차 반응시킨 후 생성된 혼합물을 분자내 또는 분자양단말단에 적어도 2개이상의 에폭시기를 갖는 에폭수지 1종 또는 2종이상의 혼합물과 2차 반응시킨 저응력화 변성제 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 합성고무 화합물은 분자 양단말에 수산기, 카르복실기, 아미노기를 갖는 부타디엔계, 이소푸렌계, 아크릴로니트릴계, 수소첨가된 부타디엔계, 또는 이들의 공중합체로써 분자량 1000-5000인 것을 특징으로 하는 저응력화 변성제 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 실리콘오일계 화합물은 분자내 또는 분자양단말단에 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기를 갖는 것으로 분자량 500-8000인 것을 특징으로 하는 저응력화 변성제 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 에폭시수지는 분자내 또는 분자양단말에 에폭시기를 2개이상 함유한 비스페놀 A형, 페놀노볼락형, 크레졸노볼락형인 것을 특징으로 하는 저응력화 변성제 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 에폭시수지 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 변성제 전체 중량의 60-94%, 합성고무계 화합물 1종 또는 2종이상의 혼합물이 3-20%, 실리콘오일계 화합물 1종 또는 2종이상의 혼합물이 3-20%인 것을 특징으로 하는 저응력화 변성제 제조방법.
- 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제 및 첨가제로 조성되는 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 100중량%에 대하여 제1항의 방법에 따른 변성제를 0.1-15중량%배합함을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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| KR1019870014165A KR910003407B1 (ko) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 저응력화 변성제 제조방법 및 이를 함유한 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 |
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Publications (2)
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| KR910003407B1 KR910003407B1 (ko) | 1991-05-30 |
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| KR1019870014165A KR910003407B1 (ko) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 저응력화 변성제 제조방법 및 이를 함유한 반도체 봉지용 에폭시수지 조성물 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR910003407B1 (ko) |
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1987
- 1987-12-11 KR KR1019870014165A patent/KR910003407B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR910003407B1 (ko) | 1991-05-30 |
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