KR890004454A - 초전도 세라믹 필름제조방법 및 그 장치 - Google Patents
초전도 세라믹 필름제조방법 및 그 장치 Download PDFInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 10
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0381—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by evaporation, e.g. MBE
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0408—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 초전도 필름을 제조하는 장치의 제1구성도.
제3도는 본 발명에 따른 초전도 필름을 제조하는 장치의 제2구성도.
제4도는 본 발명에 따른 전자소개장치의 구성도.
Claims (17)
- 초전도 세라믹 필름을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 초전돈 구조를 구성하기 위해 요구된 성분의 세라믹 필름을 침전시키는 단계를 포함하며, 상기 침전은 자계내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제1항에 있어서, 자계에서 침전된 상기 필름은 열처리 어니얼링에 의해 초전도 성질이 주어지는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침전은 프러터링에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제3항에 있어서, 스퍼링의 표적은 희망 초전도 세라믹 물질의 분말화학성분을 함께 믹싱하고 혼합물을 굳히므로 만들어지는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침전은 소개에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자계의 강도는 0.3T보다 낮지 않는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 제1항에 있어서, 자계는 상기 필름의 결정체 구조의 (a,b)평면에 표준방향에서 상기 필름에 인가되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조방법.
- 초전도 세라믹 물질을 침전하는 방법으로써, 초전도 구조를 구성하기 위해 요구된 것에 확정된 성분의 세라믹 물질을 침전시키고 상기 물질에 초전도 성질을 부여하기 위해 침전된 물질을 어니얼링 하는 단계를 포함하는데 여기서 자계는 상기 어니얼링동안 상기 침전된 물질에 인가되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 물질 침전방법.
- 초전도 세라믹을 제조하는 장치로써, 침전실, 산화 세라믹 물질을 침전하는 침전수단, 상기 세라믹물질이 침전되도록 하는 목적을 지지하는 고정기, 상기 침전된 물질을 가열하는 수단 및 침전이 발생하는 공간에 자계를 유도하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 제조장치.
- 제9항에 있어서, 상기 침전수단은 표적고정구조, 기질고정기 및 상기 기질에 전압을 인가하는 전압소스를 포함하는 스퍼터링 장치인 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 제조장치.
- 제10항에 있어서, 상기 유도수단은 표적고정구조 바로 뒤에 위치되는 한 폴의 자기회로인 반면 다른 폴은 상기 기질고정기에 직각인 자계를 유도하기 위해 기질고정기 바로 뒤에 위치되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제10항에 있어서, 상기 유도수단은 기질고정기에 평행인 잔계를 유도하도록 적용되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제9항에 있어서, 상기 침전수단은 소개장치인 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제13항에 있어서, 상기 소개장치는 전자 빔 소개장치인 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제10항에 있어서, 상기 발화전은 산화대기에서 실행되는 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합물은 이론적 공식(A1-XBX)yCuzOw와 일치하여 준비되는데, 여기서 A는 주기표의 그룹 Ⅲa로부터 선택된 하나이상의 소자이고, B는 주기표의 그룹 Ⅱa의 하나이상의 소자이며, x는 0 내지 1, y는 2 내지 4, z는 1 내지 4인 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합물은 이론적 공식(A1-XBX)yCuzOw와 일치하여 준비되는데, 여기서 A는 Bi, Sb 및 As와 같은 주기표의 그룹 Vb에서 선택된 하나이상의 소자이며, B는 주기표의 그룹 Ⅱa의 하나 이상의 소자이며, x는 0.3 내지 1, y는 2.0 내지 4.0, z는 1.0 내지 4.0, w는 4.0 내지 10.0인 것을 특징으로 하는 초전도 세라믹 필름 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62218535A JP2564562B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 超電導材料の作製方法 |
| JP62218537A JPS6459974A (en) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | Device for manufacturing superconducting material |
| JP62218536A JPS6460925A (en) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | Fabricating method for superconductive material |
| JP62-218535 | 1987-08-31 | ||
| JP62-218536 | 1987-08-31 | ||
| JP62-218537 | 1987-08-31 | ||
| JP3094817A JPH05279025A (ja) | 1987-08-31 | 1991-04-01 | 酸化物超電導薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890004454A true KR890004454A (ko) | 1989-04-22 |
| KR920007799B1 KR920007799B1 (ko) | 1992-09-17 |
Family
ID=27468264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880011107A KR920007799B1 (ko) | 1987-08-31 | 1988-08-31 | 초전도 산화물 세라믹 막 제조방법 및 산화물 초전도 세라믹 막 침착장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0306286B1 (ko) |
| KR (1) | KR920007799B1 (ko) |
| CN (1) | CN1016387B (ko) |
| DE (1) | DE3855391T2 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5073209A (en) * | 1987-09-16 | 1991-12-17 | Giancola Dominic J | Process embodiments for improving the electrical properties of conductors |
| EP0310332A3 (en) * | 1987-09-28 | 1990-11-14 | Arch Development Corporation | Preferential orientation of metal oxide superconducting materials |
| DE3736523A1 (de) * | 1987-10-28 | 1989-05-11 | Hoechst Ag | Duenner supraleitender film, seine herstellung und verwendung |
| US5147851A (en) * | 1988-11-02 | 1992-09-15 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Superconducting thick film circuit board, production thereof, thick film superconductor and production thereof |
| DE19940458A1 (de) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Nanogate Gmbh | Verfahren zur Veränderung von Beschichtungsmaterialien |
| CN101177775B (zh) * | 2006-11-10 | 2010-09-15 | 中国科学院物理研究所 | 具有外加磁场的真空淀积薄膜和薄膜热处理设备 |
| CN112553681B (zh) * | 2020-11-21 | 2021-10-08 | 嘉兴固美科技有限公司 | 一种大块体单晶铜的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU600345B2 (en) * | 1987-03-23 | 1990-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method of manufacturing superconducting ceramics under a magnetic field |
-
1988
- 1988-08-31 EP EP88308047A patent/EP0306286B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-31 DE DE3855391T patent/DE3855391T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-31 CN CN88106462A patent/CN1016387B/zh not_active Expired
- 1988-08-31 KR KR1019880011107A patent/KR920007799B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007799B1 (ko) | 1992-09-17 |
| DE3855391D1 (de) | 1996-08-08 |
| CN1031773A (zh) | 1989-03-15 |
| CN1016387B (zh) | 1992-04-22 |
| EP0306286B1 (en) | 1996-07-03 |
| DE3855391T2 (de) | 1997-02-13 |
| EP0306286A3 (en) | 1989-05-03 |
| EP0306286A2 (en) | 1989-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |
|
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |