KR880014658A - 기판의 열처리 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 이 발명에 관계하는 기판 열처리 장치의 평면도, 제5도는 이 발명에 관계하는 기판 열처리 장치의 부분 단면도.
Claims (8)
- 기판을 가열, 또는 냉각하기 위한 기판의 열처리 장치로서, 전기 가열 또는 냉각하기 위한 그 어느 한쪽의 수단을 가지며, 또한 주표면을 가지는 열처리판과, 전기 열처리판의 표면상에 상호 간격을 두어서 설치된 복수의 凹부와, 전기 복수의 凹부의 위치는 전기 기판을 재치하는 위치에 선정되어, 전기 凹부내의 유지되며, 전기 凹부 깊이보다 큰 직경을 가지며 또한 그 정상부에서 전기 기판을 재치하기 위한 복수 구체를 포함하며, 그것으로 전기 기판이 전기 구체상에 재치되었을 때, 전기 기판과 전기 열처리판의 표면과 사이에 열교환을 위한 간극이 형성되는 열처리 장치.
- 제1항에 있어서, 전기 복수의 凹부는 전기 1개의 기판에 대해서 각 3개의 凹부를 포함하며 전기 복수의 구체는 전기 1개의 기판에 대해, 전기 3개의 凹부에 수납되는 3개의 구체를 포함하는 기판 열처리 장치.
- 제2항에 있어서, 전기 복수의 凹부는 상호 동일한 깊이를 가지며, 전기 복수의 구체는 상호 동일한 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제3항에 있어서, 전기 구체는 전기 凹부에 착탈 자재로 유지되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 4항에 있어서, 전기 열처리판은 관통혈을 가지며, 상부에 전기 기판을 재치하기 위한 재치부를 가지며 또한 전기 관통혈을 거쳐서 전기 열처리판의 전기 주표면상에 돌출하거나, 전기 주표면에 인입되는 것이 가능한 기판 승강수단을 다시 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제5항에 있어서, 전기 열처리판은 상호 일정간격을 유지해서 설치된 복수의 전기 관통혈을 가지며, 전기 기판 승강 수단은 전기 복수의 관통혈을 거쳐서 상하하며 또한, 그 상단부가 동일 높이로 유지되는 복수의 핀을 포함하며, 전기 복수의 핀의 상단이 전기 재치부를 구성하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제6항에 있어서, 전기 복수의 핀은 전기 기판을 열처리할때는 전기 열처리판의 전기 관통혈의 아래쪽외부에 유지되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제7항에 있어서, 전기 복수의 핀은 전기 1개의 기판에 대해서, 3개의 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR100368006B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-01-14 | 유일반도체 주식회사 | 히터 조립체와 이를 이용한 기판 가열장치 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3818854A1 (de) * | 1988-06-03 | 1990-01-11 | Norton Gmbh | Vorrichtung zum kapsellosen brennen von geschirr |
US5169310A (en) * | 1989-10-06 | 1992-12-08 | International Business Machines Corp. | Hermetic package for an electronic device and method of manufacturing same |
US5588827A (en) * | 1993-12-17 | 1996-12-31 | Brooks Automation Inc. | Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method |
JP3715073B2 (ja) * | 1997-04-22 | 2005-11-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
US6054688A (en) * | 1997-06-25 | 2000-04-25 | Brooks Automation, Inc. | Hybrid heater with ceramic foil serrated plate and gas assist |
US6399926B2 (en) * | 2000-04-03 | 2002-06-04 | Sigmameltec Ltd. | Heat-treating apparatus capable of high temperature uniformity |
JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2005012172A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005259917A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用セラミックスヒータ |
KR100696375B1 (ko) | 2005-01-10 | 2007-03-19 | 삼성전자주식회사 | 베이크 장치 |
JP4629574B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-02-09 | 日本発條株式会社 | 基板支持装置と、その製造方法 |
US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
JP6596356B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2019-10-23 | 日本発條株式会社 | かしめ治具及びそれを使用する製造方法 |
CN107764069B (zh) * | 2017-09-21 | 2018-11-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1941941A (en) * | 1931-04-22 | 1934-01-02 | William W Irwin | Ware support for kilns |
US2208734A (en) * | 1938-05-03 | 1940-07-23 | Armin L Schreiber | Pottery support for glaze firing |
US2273475A (en) * | 1940-08-04 | 1942-02-17 | Armin L Schreiber | Pin for supporting ceramic ware |
US3266116A (en) * | 1963-08-12 | 1966-08-16 | Mayer China Company | Support for ceramic ware |
US3904352A (en) * | 1974-01-17 | 1975-09-09 | Coors Porcelain Co | Assembly and method for supporting ceramics and the like during firing |
US3948594A (en) * | 1974-10-21 | 1976-04-06 | The Joseph Dixon Crucible Company | Ceramic refractory setter |
JPS5737848A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-02 | Toshiba Corp | Heating apparatus for wafer |
US4362507A (en) * | 1981-04-17 | 1982-12-07 | Buffalo China, Inc. | Support for ceramic ware article during firing |
US4407654A (en) * | 1982-01-21 | 1983-10-04 | The Potters Supply Company | Handling and support system for kiln fired ware |
DE3516490A1 (de) * | 1985-05-08 | 1986-11-13 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Brennhilfsmittel |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100368006B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-01-14 | 유일반도체 주식회사 | 히터 조립체와 이를 이용한 기판 가열장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US4919614A (en) | 1990-04-24 |
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JPS63193833U (ko) | 1988-12-14 |
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