KR880004341A - 박막el소자 및 그 제조방법 - Google Patents

박막el소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR880004341A
KR880004341A KR870010633A KR870010633A KR880004341A KR 880004341 A KR880004341 A KR 880004341A KR 870010633 A KR870010633 A KR 870010633A KR 870010633 A KR870010633 A KR 870010633A KR 880004341 A KR880004341 A KR 880004341A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film
manufacturing
plane
insulating layer
Prior art date
Application number
KR870010633A
Other languages
English (en)
Inventor
모리아끼 후야마
가쯔미 다무라
가즈오 다구찌
겐이찌 오니자와
아끼라 사또
겐이찌 하시모또
다까히로 나까야마
요시오 아베
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다지 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다지 세이사꾸쇼 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR880004341A publication Critical patent/KR880004341A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

박막EL소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 박막 EL 소자의 하나의 실시예를 나타내는 단면도이고.
제4도는 본 발명의 SrTiO3막의 X선 회절 결과를 나타내는 도면이고.
제7도는 종래의 박막 EL소자의 단면도이다.

Claims (21)

  1. 절연기판상에 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막 EL소자에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나를 현저한 정도로 (111)면이 성장한 페로브스카이트 구조의 결정막으로 이루어진 박막EL소자.
  2. 제1항에 있어서, 페로브스카이트 구조의 결정막이 SrTiO3,PbTiO3또는 BaTiO3의 막인 박막EL소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 페로브스카이트 구조의 결정막이 (111)면과 (110)면과의 회절강도비인 Ⅰ(111)/Ⅰ(110)가 0.5이상을 갖는 막인 박막EL소자.
  4. 절연기판상에, 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배멱전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막EL소자에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나가 현저한 정도로 (111)면이 성장한 SrTiO3막으로 이루어진 박막EL소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 SrTiO3막이 결정성장면인 (111)면과 (110)면과의 회절강도비 Ⅰ(111)/Ⅰ(110)가 0.5이상의 막인 박막EL소자.
  6. 절연기판상의 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막EL소자에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나가 (111)면을 갖는 페로브스카이트 구조의 단결정막으로 이루어진 박막EL소자.
  7. 절연기판상의 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막EL소자에 있어서, 전기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나가 (111)면을 갖는 SrTiO3단결정막으로 이루어진 박막EL소자.
  8. 절연기판상의 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막EL소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나를 스푸터링에 의해 현저한 비율로 (111)면이 성장한 페로브스카이트 구조의 결정막으로서 형성시킨 박막EL소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 스푸터링을 기판온도 200℃이상, 절연기판의 연화점 이하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 스푸터링을 진공압력 1× 10-2Torr이하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 스푸터링을 반응가수로서 Ar과 He 및 O2가스의 어느 일종의 혼합가스의 존재하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 스푸터링을 반응가스로서 Ar과 He과의 혼합가스 또는 Ar, O2, He의 혼합가스의 존재하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 페로브스카이트 구조의 결정막이 SrTiO3, PbTiO3또는 BaTiO3의 막인 박막EL소자의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 결정막이 결정성장면인 (111)면과 (111)면과의 회절강도비 Ⅰ(111)/Ⅰ(110)이 0.5이상의 막인 박막EL소자의 제조방법.
  15. 절연기판상에 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 갖는 박막EL소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나를 스푸터링에 의해 현저한 정도로 (111)면이 성장한 SrTiO3막으로 형성시킨 박막EL소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 스푸터링을 기판온도 200℃이상, 기판의 연화점이하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 스푸터링을 진공압력 1×10-2Torr이하에서 행하는 박막 EL소자의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 스푸터링을 반응가스로서 Ar과 He 및 O2가스의 적어도 하나의 혼합가스의 존재하에서 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 스푸터링을 반응가스로서 Ar과 He의 혼합가스 또는 Ar, O2와 He의 혼합가스의 존재하에 행하는 박막EL소자의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, SrTiO3막이 (111)면과 (110)면과의 회절강도비 Ⅰ(111)/ Ⅰ(110)가 0.5이상인 박막EL소자의 제조방법.
  21. 절연기판상에 투명전극, 제1절연층, 발광층, 제2절연층 및 배면전극을 차례로 적층한 구조를 가진 박막EL소자의 제조방법에 있어서, 상기 제1, 제2의 절연층의 적어도 하나를 기판온도 200℃이상, 기판의 연화점이나 진공압력 1×10-9Torr이하에서 (111)면의 SrTiO3,PbTiO3또는 BaTiO3의 단결정막으로서 생성하는 것으로 이루어진 박막EL소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870010633A 1986-09-25 1987-09-25 박막el소자 및 그 제조방법 KR880004341A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP224879 1986-09-25
JP22487986 1986-09-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR880004341A true KR880004341A (ko) 1988-06-03

Family

ID=16820596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870010633A KR880004341A (ko) 1986-09-25 1987-09-25 박막el소자 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4857802A (ko)
JP (1) JPS63184287A (ko)
KR (1) KR880004341A (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833282B2 (ja) * 1991-08-20 1998-12-09 富士電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5734452A (en) * 1994-09-26 1998-03-31 Sharp Kabushiki Kaisha Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer
CA2299122A1 (en) 1999-02-23 2000-08-23 Kenneth Cook Oxide phosphor electroluminescent laminate
US6771019B1 (en) 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
US6610352B2 (en) * 2000-12-22 2003-08-26 Ifire Technology, Inc. Multiple source deposition process
US6580545B2 (en) * 2001-04-19 2003-06-17 E Ink Corporation Electrochromic-nanoparticle displays
EP1450588B1 (en) * 2001-11-22 2012-08-22 Nippon Soda Co., Ltd. El device
JP4722530B2 (ja) * 2004-05-11 2011-07-13 パナソニック株式会社 発光素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3283194A (en) * 1955-11-16 1966-11-01 Sylvania Electric Prod Electroluminescent lamp with a barium titanate layer
US4027192A (en) * 1975-07-18 1977-05-31 Rca Corporation Electroluminescent device comprising electroluminescent layer containing indium oxide and/or tin oxide
FI61983C (fi) * 1981-02-23 1982-10-11 Lohja Ab Oy Tunnfilm-elektroluminensstruktur
WO1983004339A1 (en) * 1982-05-28 1983-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film electric field light-emitting device
JPS5957416A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 化合物半導体層の形成方法
JPS59228397A (ja) * 1983-06-08 1984-12-21 松下電器産業株式会社 薄膜発光素子
EP0141116B1 (en) * 1983-10-25 1989-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film light emitting element
JPS62119896A (ja) * 1985-11-20 1987-06-01 株式会社リコー 表示素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63184287A (ja) 1988-07-29
JPH054797B2 (ko) 1993-01-20
US4857802A (en) 1989-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970054585A (ko) 질화물계 iii-v족 화합물 반도체 소자 및 그의 제조 방법
KR870007578A (ko) 전기 발광체장치 및 그 제조방법
KR880013427A (ko) 전기회로 및 그 제작방법
KR880004341A (ko) 박막el소자 및 그 제조방법
KR970013383A (ko) 강유전체박막의 형성방법 및 반도체소자의 커패시터구조의 제작방법
KR960030747A (ko) 백색발광용 전계발광소자(eld) 및 그 제조방법
KR900001612A (ko) 산화 비스무트의 화학 증착방법
KR910007386A (ko) 전자발광소자의 제조방법
KR950021817A (ko) 다층 전계발광소자
KR910016221A (ko) 이엘(el)소자의 절연층 구조 개선방법
KR910007169A (ko) 박막 el 소자와 그 제조방법
EP0493592A4 (en) Thin-film el element
KR940020866A (ko) 풀 칼라 박막 이엘(el) 표시소자의 구조 및 제조방법
KR910004067A (ko) 박막 el표시소자 및 그 제조방법
KR910020957A (ko) 산화물 초전도체를 이용한 초전도 접합 형성 방법
KR920003811A (ko) 박막 el표시소자 및 그 제조방법
KR910016222A (ko) 이엘 소자 및 그 기판의 제조방법
KR950012782A (ko) 박막 전계발광소자
KR930003445A (ko) 박막 el 소자의 구조
JPS6463295A (en) Membrane el element
KR920014363A (ko) 박막 el소자의 제조방법
KR940016973A (ko) 박막전자 발광소자 및 그 제조방법
JPS6315715B2 (ko)
KR890013815A (ko) 큐리 온도가 높은 초전도성 산화물의 박막을 제조하는 방법
JPS5890740A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Surrender of laid-open application requested